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產品概述： FCP磁場控制平臺是根據磁控原理設計的理想磁測量系統，磁場范圍超過3T，利用TESTIK475高斯計穩定磁場控制，適合各系列電磁鐵配置，連續可變的電磁氣隙，實心的和光學入口極帽，線型雙極，真實四象限電磁鐵電源。   您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 磁場控制平臺磁控原理磁測量系統 FCP磁場控制平臺控制特征： TESTIK475型高斯計努力保持確切的磁場密度，用戶輸入的控制設定點，用G、T、Oe、A/m來表示。北京錦正茂的電磁鐵磁場控制平臺集成了硬件和控制部件來形成一個變化的磁場平臺，可以被獨立的被利用或做為用戶設計的測量系統的一個基礎。 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！  磁場控制平臺磁控原理磁測量系統 ※ 磁場控制平臺包括錦正茂公司的電磁鐵、雙極電源、具有控制能力的DSP技術的高斯計、霍爾探頭及支架等。 錦正茂提供的磁場控制平臺具有不同的配制用來滿足在磁場強度、磁場均勻性、樣品尺寸、自定義測量要求等基礎之上的用戶要求。可以獨立的形成用戶所需要的不同磁場強度的可變磁場。廣泛用于磁光測量系統、VSM測量系統、在線退火、霍爾效應、磁化率測量、自旋磁共振、B-H曲線測量和精準的傳感器校準等領域。 475高斯計從高斯計霍爾探頭得到反饋來計算并調整控制（模擬）輸出。為了更大程度實現控制的穩定性，475型高斯計每33毫秒更新模擬輸出。結果是一個內置的PI 控制器提供了峰值-到-峰值的0.5 G*的磁場穩定性。 ※ 當設定點速率激活的時候，儀器會開始從當前磁場讀數加速而不是當前設定點，基于對P和I的設定。另外，475高斯計能設定速率來控制設定點，從當前磁場讀數到一個新的值，使用一個磁場中平滑線性變換而不是瞬態特性的PI控制。 ※ 開環磁場控制也可能用手動輸出來使用475模擬輸出，這意味著忽視了反饋并且模擬輸出停留在手動用戶調整。這個方法使磁體電源操作處于恒定電流模式。 ※ 475也包含了用戶可設定的控制斜率限制和模擬輸出電壓限制。這些軟件限制保證了磁體電源如果磁場控制系統遭到不合適的調整或開始擺動而不會損壞。 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 錦正科技以現代高科技產業和傳統產業為核心業務，對內承接科研生產任務，對外以商務平臺方式實現軍民兩用技術成果轉換，形成了科學管理的現代化經營模式，專門從事物理、化學和材料等領域的科學儀器研發、銷售各類型超低溫測試設備（液氮 液氦）制冷機系統集成 ，定制 ，高低溫真空磁場發生系統，Helmholtz線圈（全套解決方案），電磁鐵（全系列支持定制），螺線管，電子槍（高穩定性雙極性磁鐵恒流電源1ppm），高低溫磁場真空探針臺，霍爾測試系統，電輸運測量解決方案，磁光克爾效應測量系統等產品種類齊全，性能可靠，至今已有近10余年的歷史，是國內（較早）生產探針臺，電輸運，電磁鐵的廠家之一。    

針對傳統光柵衍射效應固定不變，不可調節，運用面狹窄的問題，提出了一種磁流體光柵，利用外磁場的強度來控制磁流體的折射率和吸收系數，進而使得磁流體光柵的折射率調制和吸收系數調制隨外磁場的改變而改變，實現磁流體光柵衍射效率可調的特性。   所述磁流體光柵包括一個周期性凹槽、一種磁流體、一個光學透明的剛性覆蓋層及一個磁場產生裝置，磁流體填入周期性凹槽的各個凹槽中，光學透明的剛性覆蓋層將磁流體密封在周期性凹槽中，磁場產生裝置置于周期性凹槽外，磁場產生裝置通電后在磁流體所在的位置產生均勻、可調的磁場，用于改變磁流體的折射率和吸收系數。   所述的周期性凹槽是在光學透明的剛性襯底上用帶折射率的光學材料隔成一個個凹槽，制作凹槽的方法采用蝕刻法。所述磁流體，由表面包覆活性劑的磁性微粒和用于分散磁性顆粒的液相載液組成。所述周期性凹槽的深度在1μm—10μm之間、寬度在1μm一200μm之間。所述光學透明的剛性襯底和光學透明的剛性覆蓋層為石英(Si02）、光學玻璃。所述的周期性凹槽的周期Λ、深度d、入射光波長λ和磁流體光柵的平均折射率n0滿足關系式2πλd／(noΛ)2<<1薄光柵條件，形狀選用矩形、鋸齒形、余弦形。所述的磁流體的磁性微粒選用四氧化三鐵(Fe304)、三氧化二鐵(Fe203)、錳鋅鐵氧體，表面活性劑選用油酸、亞油酸、橄欖油，液相載液選用水、煤油。所述的磁場產生裝置包括一個或一對螺線圈和一個可調直流恒流源，該可調直流恒流源用于給電磁鐵或螺線圈供電，其輸出電流的大小控制電磁鐵磁場或螺線圈感應磁場的強度。所述的磁場產生裝置產生的磁場平行于襯底或覆蓋層的表面、并且垂直于凹槽的長邊側壁。  將磁流體這一液相磁性物質用來制作光柵，利用磁流體的折射率和吸收系數隨外磁場強度變化的特點，通過外磁場即可控制光柵的衍射光效率，從而實現了衍射奴率可調的光柵。實現了可在線、實時調節指定階次衍射光的衍射效率，為光通訊和光子器件領域的性能提高提供了新的方法。

產品詳細介紹安裝簡單方便粘貼式磁性帶傳感器磁頭安裝允許的間隙?。?0mm）非接觸式線性測量系統，無磨損抗液體、抗油污、抗振動，可以在-20～70℃溫度范圍內正常使用 廣泛應用于各種行業的位置、角度檢測中 

320mm×220mm×200mm，酒精燈加熱，輪子會轉動。

集成電路產業需要大量高端薄膜生長設備，上個世紀80年代，MBE作為一種尖端技術，國外就對中國進行了技術封鎖，禁運中國。甚至在今天，MBE仍然屬于美國對中國出口的管制類產品，每一臺都要經過復雜的審批過程。

中試階段/n透明導電薄膜是平臺式材料，是光電產業上游重要產品。柔性透明導電薄膜可以用于大尺寸柔性觸控，柔性顯示與照明、薄膜太陽能電池，可穿戴設備等戰略性新興柔性光電子產業，解決陶瓷基透明電極面臨主要成分的資源短缺和固有的脆性等不利因素，在相關領域取代ITO薄膜及金屬網格。本項目開發從材料到薄膜加工工藝的全鏈條技術，開發一系列面向不同光電器件需求的產品。目前，團隊通過第三方機構認證的樣品透過率導電性耐彎折特性處于國際先進水平。目前，正在進行小試階段的研發工作，高純原料和部分裝備可國產化。

研究團隊在薄膜研究方面，前期工作主要集中在:1)高性能透明導電薄膜 研發。所制備的液晶光學窗口元件實現可見區平均透過率大于 90%，明視覺反射 率分別為:8 度 0.24%，15 度 0.21%，30 度 0.27%;方塊電阻低于 13 歐姆，理論 電磁屏蔽能力優于 24dB，經用戶確認，性能指標處于國內領先，達到國際先進 水平。填補了高性能透明導電薄膜研發的空白，打破了西方國家在該領域的技術 壟斷。該研究工作為透明導電薄膜關鍵元件在國防軍工產品的裝備應用提供理論 依據和技術支撐。2)1064 帶通

一種濕法刻蝕鎳酸鑭薄膜和鐵電薄膜/鎳酸鑭復合薄膜的腐蝕液，由雙氧水、硝酸、氫氟酸和純凈水配制而成，純凈水、雙氧水、硝酸、氫氟酸的體積比為：純凈水∶雙氧水∶硝酸∶氫氟酸＝1∶2～3∶0.5～1.0∶0.06～0.12。所述腐蝕液的制備方法，按上述配方在常溫、常壓下將計量好的純凈水與雙氧水混合均勻，然后加入計量好的硝酸并混合均勻，繼后加入計量好的氫氟酸并混合均勻。所述腐蝕液可干凈、徹底地一次性去除SiO2 和/或Pt表面的LNO薄膜或LNO復合薄膜，得到邊緣清晰、側蝕比小的刻蝕圖形。

本發明公開了一種導磁構件超強磁化漏磁檢測方法及裝置。該方法采用單一穿過式磁化線圈對導磁構件進行局部單一軸向超強磁化，激發出其上縱、橫向傷的泄漏磁場并利用磁敏元件陣列加以拾取，實現其上縱、橫向傷的全面檢出；再通過信號求和比較法進行縱、橫向傷檢出信號區分并對其進行信號幅值補償，實現同損傷當量的縱、橫向傷等信號幅值與靈敏度的統一判斷。裝置包括穿過式線圈、磁敏組件，信號識別補償組件和數據采集卡。本發明將傳統的檢測方法進行簡化與統一，降低成本；實現導磁構件與檢測單元之間簡單的直進式相對掃查運動，完成高速高效地