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人工智能技術飛速發(fā)展,我國大體上能夠與世界先進國家發(fā)展同步。我國擁有自主知識產(chǎn)權的文字識別、語音識別、中文信息處理、智能監(jiān)控、生物特征識別、工業(yè)機器人、服務機器人、無人駕駛汽車等很多智能科技成果已進入市場,但是9%以上是軟件、算法產(chǎn)品，在人工智能神經(jīng)網(wǎng)絡芯片研發(fā)方向上,我國又是落后于美國5-10年左右，可以預見的是,將來我國的人工智能神經(jīng)網(wǎng)絡硬件又將進口大量的IBM、Google、NVIDA、Braodcom等公司的產(chǎn)品,遵循的標準又將按美國的標準,在市場上處于弱勢地位。

近年來,半導體光源正以新型固體光源的角色逐步進入照明領域。由于半導體照明具有高效、節(jié)能、環(huán)保、使用壽命長、響應速度快、耐振動、易維護等顯著優(yōu)點,所以在國際上被公認為最有可能進入通用照明領域的新型固態(tài)冷光源。隨著其價格的不斷降低,發(fā)光亮度的不斷提高,半導體光源在照明領域中展現(xiàn)了廣泛的應用前景。業(yè)界普遍認為,半導體燈取代傳統(tǒng)的白熾燈和熒光燈,是大勢所趨。而半導體發(fā)光二極管（Light Emitting Diode , 簡稱LED）被認為是最有可能進入普通照明領域的一種綠色照明光源，按固體發(fā)光物理學原理,LED發(fā)光效率能近似100 % ,并具有工作電壓低、耗電量小、發(fā)光效率高、響應時間極短、光色純、抗沖擊、性能穩(wěn)定可靠及成本低等優(yōu)點,因此被譽為21 世紀新光源,有望成為繼白熾燈、熒光燈、高強度氣體放電燈之后的第四代光源。雖然LED具有以上的很多優(yōu)點，但是發(fā)光效率和使用壽命仍是制約其普及應用的主要因素。 目前國內大多致力于LED外部封裝結構的研究，而公司里多采用進口芯片，如cree芯片，再在現(xiàn)有基礎上進行外部封裝結構和設計。而即便是散熱好，壽命長，取光效率比較好的封裝結構，國內所能達到的水平也就是剛剛超出100lm/w。主要原因在于其封裝材料的選擇和封裝結構的不合理性，浪費了芯片的出射光，從而降低了取光效率。而國外LED不僅在外部封裝結構，而且在芯片方向都明顯優(yōu)于國內水平，所以基本壟斷國內LED的市場，尤其對于功率型白光LED的壟斷相當嚴重。而這些高亮度半導體LED芯片生產(chǎn)技術掌握在以美國Cree和Lumileds、日本的Nichia和Toyoda Gosei，以及歐洲的Osram等為首的少數(shù)大公司手中。 現(xiàn)在功率型白光LED 的光效已提高到80～100lmPW,而真正能夠取代白熾燈和熒光燈進入通用照明市場,其光效需要達到150lm/ W。這一方面要求在芯片的制作上不斷提高LED 的量子效率,同時還要求在LED 的封裝及燈具的設計制作過程中盡可能提高出光效率。現(xiàn)有的LED出光效率低的原因之一是，LED芯片的折射率較高，LED發(fā)出的光在出射芯片的時候，有相當一部分光被芯片與外界（環(huán)氧樹脂）的界面反射。本產(chǎn)品是通過特殊鍍膜方法，使LED芯片出光效率提高了10%。可以有效的增加LED的使用壽命，達到2萬小時以上，而且可以使發(fā)光效率達到120lm/w到160lm/w。擁有這樣長壽命和高出光效率的白光LED，必將引領整個照明市場，必將產(chǎn)生豐厚的利潤，具有非常好的發(fā)展前景。

南開大學在天津市科技發(fā)展計劃科技攻關項目《建立和應用腫瘤 轉移相關基因生物芯片篩選抗腫瘤轉移藥物的研究》的資助下，進行 了腫瘤轉移相關基因生物芯片的研究，在設計探針后，完成制備了含 有 213 個腫瘤轉移相關基因的基因芯片。 應用上述基因芯片所進行的大量的研究工作，表明該基因芯片有很好的應用前景。由于該基因芯片的成本低于全基因組芯片，有利于 大量推廣使用。與科研機構、醫(yī)院和藥廠等相關企業(yè)合作，大量制備 該基因芯片，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，投放市場使用，可實現(xiàn)良好的社會和經(jīng)濟 效益。 應用價值： 基礎研究：可應用該基因芯片進行腫瘤轉移分子機制的基礎研究， 篩選與腫瘤轉移相關的信號傳導途徑。 應用研究：可應用該基因芯片篩選抗腫瘤轉移的藥物；在臨床上 對切除的腫瘤組織進行檢測，進行原代細胞培養(yǎng)的基礎上檢測對不同 化療藥物的敏感性，為臨床治療方案提供依據(jù)

本項目中的視頻模擬前端（AFE）芯片是一個完整的200MSPS、10位單片模擬視頻接口芯片，用于將YPbPr或RGB計算機視頻等格式的模擬視頻信號轉換為數(shù)字視頻信號。芯片可支持高達1080p的HDTV電視，以及高達1600X1200的UXGA計算機視頻。 芯

現(xiàn)階段牛津納米孔公司所開發(fā)的MinIon測序儀尚存在若干內在缺陷，如單次使用成本極高，單次檢測正確率低，檢測通量小，檢測速度慢等天然缺陷。在這個意義上，我國科研工作者尚存實現(xiàn)自主知識產(chǎn)權并超越國外同行的機會

南開大學在天津市科技發(fā)展計劃科技攻關項目《建立和應用腫瘤轉移相關基因生物芯片篩選抗腫瘤轉移藥物的研究》的資助下，進行了腫瘤轉移相關基因生物芯片的研究，在設計探針后，完成制備了含有213個腫瘤轉移相關基因的基因芯片。申請國家發(fā)明專利：乳腺癌轉移相關基因基因芯片的建立及其建立方法，專利（申請）號：20061013107.3（已公示）。 應用上述基因芯片所進行的大量的研究工作，表明該基因芯片有很好的應用前景。由于該基因芯片的成本低于全基因組芯片，有利于大量推廣使用。與科研機構、醫(yī)院和藥廠等

超薄石墨片作襯底的碲化鎘太陽電池，屬于新能源材料與器件領域。本發(fā)明 采用柔性超薄石墨片作為襯底材料，在石墨片上濺射一層銅，進行熱處理。銅 擴散進入石墨形成摻銅石墨片。在摻銅石墨片上沉積一層碲，再沉積碲化鎘并 進行退火處理。在碲化鎘的沉積及退火處理過程中，在石墨片和碲化鎘之間形 成重摻雜的CuxTe層而實現(xiàn)柔性石墨襯底與碲化鎘之間的歐姆接觸。然后依次 沉積硫化鎘、透明導電薄膜和柵狀鋁電極獲得柔性碲化鎘薄膜太陽電池。本發(fā) 明解決了制備高效柔性碲化鎘電池所需的較高工藝溫度與常規(guī)柔性襯底耐受溫 度低的矛盾。

小試階段/n本成果涉及一種微量碲改性的硅鋼超薄帶及其制備方法，具有工藝簡單和成本低的特點。用該成果制備的微量碲改性的硅鋼超薄帶厚度薄、鐵損低和磁感高。。主要技術指標：厚度0.02~0.08mm，P1.0/400= 5.13~7.43W/kg，B50=1.65 ~1.75T。。目前處于實驗室研究階段，可廣泛應用于電機、變壓器等電器設備的貼心材料，市場前景廣闊，預期年產(chǎn)值可達1000萬。

已有樣品/n該項目所開發(fā)的儀器設備可以實現(xiàn)對FNRBCs 準確、高效、快速、低廉的分離與富集，并進行基因組層面的全面分析，為無創(chuàng)性產(chǎn)前診斷技術的發(fā)展及相關科學研究的深入提供有力的推動和支撐平臺。項目團隊在該研究領域進行了長期的研究工作，積累了大量經(jīng)驗，并取得了一定成績。該成果，方法獨特，效果明顯并成功用于三體綜合癥檢測。

射頻識別（Radio Frequency Identification-RFID）技術被公認是21世紀最有發(fā)展前途的信息技術之一，已廣泛應用于生產(chǎn)、零售、物流、交通、醫(yī)療、消費、旅游、國防等各個領域。超高頻（UHF）RFID技術憑借其無源遠距離多標簽快速識別的優(yōu)勢，能廣泛應用于智能物流、智能交通、 物品質量追溯、公共安全管理、智慧城市等物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)，顯著提高各行各業(yè)的管理效率，降低成本，具有最為廣闊的市場規(guī)模和發(fā)展?jié)摿Γ殉蔀镽FID及物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)下一個爆發(fā)式增長點。 本團隊在2008年度廣東省重大科技專項的支持下，研究突破了低功耗低壓射頻/模擬/數(shù)字電路及SOC架構、高效率整流電路、多標簽防碰撞、高穩(wěn)定時鐘電路等共性關鍵技術，掌握了基于CMOS工藝的高識別靈敏度的超高頻RFID標簽芯片設計、測試與驗證、質量可靠性保障等核心技術，已獲得授權發(fā)明專利7項、公開的發(fā)明專利申請8項，發(fā)表論文30多篇。自主設計開發(fā)出符合ISO18000-6B、ISO18000-6C標準的四款超高頻RFID標簽芯片，通過了賽寶實驗室（工信部五所）的測試認證，超高頻RFID標簽芯片測試性能達到Impinj等國際主流公司同期同類產(chǎn)品技術指標。在此基礎上，自主設計開發(fā)出具有溫度感知功能的超高頻RFID標簽芯片、具有開關狀態(tài)數(shù)監(jiān)測的超高頻RFID標簽芯片、具有多傳感器接口的超高頻物聯(lián)網(wǎng)標簽芯片等樣品。 超高頻RFID標簽芯片主要技術指標： ？ 技術標準：ISO18000-6B/6C ？ 工作頻率：840-960MHz ？ 識別（讀取）靈敏度：-15dBm ？ 讀寫距離：讀8 米/寫5 米(與天線形式及當?shù)責o線電頻率規(guī)范相關) ？ 識別速率：>100次/秒 ？ 存儲容量：256、512、1000bits ？ 前向鏈路速率：10-40kbps（6B）/40-160kbps(6C) ？ 反向鏈路速率：40-80kbps（6B）/160-640kbps(6C) ？ 工作溫度：-40 —850C ？ 數(shù)據(jù)保存時間：10年 ？ 寫入次數(shù)：100000