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本實(shí)用新型公開了一種高速銑削電主軸切削顫振的主動抑制裝置，包括磁懸浮軸承銑削電主軸、變頻器、磁懸浮軸承控制器和信號輔助處理部件；磁懸浮軸承銑削電主軸安置于銑床上，用以加工工件及抑制顫振；變頻器與所述磁懸浮軸承銑削電主軸的電機(jī)相連，用于驅(qū)動所述電機(jī)旋轉(zhuǎn)及控制其啟停；所述磁懸浮軸承控制器通過控制主軸內(nèi)部的徑向磁懸浮軸承以產(chǎn)生抑制主軸振動的磁場力；信號輔助處理部件用以對上述各器件在銑削加工過程中所傳遞的信號進(jìn)行調(diào)理。本實(shí)用新型可以大幅提高主軸-刀具系統(tǒng)的動態(tài)剛度和阻尼，從而抑制了顫振的發(fā)生，提高了切削加工

本實(shí)用新型公開了一種高速銑削電主軸切削顫振的激勵模擬裝置，包括：徑向位移傳感器、徑向磁懸浮軸承、濾波器、第一功率放大器、第二功率放大器、驅(qū)控板、支架和刀具；驅(qū)控板的第一輸入端用于接收外部施加的顫振激勵信號，第二功率放大器的輸入端連接至驅(qū)控板的第一輸出端，第二功率放大器的輸出端與徑向磁懸浮軸承連接；濾波器的輸入端連接至徑向位移傳感器，第一功率放大器的輸入端連接至濾波器的輸出端，驅(qū)控板的第二輸入端連接至第一功率放大器的輸出端，驅(qū)控板的第二輸出端用于輸出顯示所述刀具的振動位移。本實(shí)用新型在主軸刀具末端安裝

發(fā)明專利1通過采用加厚的摩擦片和摩擦圈作為主要的摩擦阻尼元件，使得隔振器具有較強(qiáng)的耐磨損和耐腐蝕等優(yōu)點(diǎn)，解決了現(xiàn)有船用橡膠隔振器易老化、金屬隔振器易磨損等問題。具有較強(qiáng)的空間三向隔振緩沖和抗沖擊性能，以及三向摩擦阻尼力便于調(diào)節(jié)等優(yōu)點(diǎn)。 發(fā)明3通過采用具有滾動摩擦鎖死機(jī)構(gòu)的隔振器結(jié)構(gòu)提高了隔振器高頻隔振能力及抗磨損能力，解決了目前現(xiàn)有無諧振峰隔振器零部件易磨損和高頻段隔振效果不理想的問題。具有三向摩擦力大小調(diào)節(jié)簡單等特點(diǎn)。 發(fā)明3要解決的技術(shù)問題是提供一種三向摩擦可

技術(shù)原理： 將 5 噸電液錘 127 噸重的砧座，通過挑梁、拉桿和橫梁懸 吊在 54 組 972 片迭板彈簧之上， 鍛打后砧座隨板簧伸縮產(chǎn)生 8～10mm 的 運(yùn)動，而通過板簧作用于基礎(chǔ)的動載荷下降至不隔時(shí)的 3％，既有效地保 護(hù)了環(huán)境，又確保了錘身上電氣液壓元件的安全，這項(xiàng)技術(shù)不僅從原理上 把積極隔振與消極隔振融為一體， 而且因取消慣性塊使工程造價(jià)比國際著 名的德國 Gerb 公司報(bào)價(jià)低

本發(fā)明公開了一種采用正負(fù)剛度并聯(lián)的主被動復(fù)合隔振器，其 包括:基礎(chǔ)平臺(10)和負(fù)載平臺(30);被動隔振單元，沿其第一方向設(shè) 有正剛度的空氣彈簧(20)和負(fù)剛度可調(diào)的磁負(fù)剛度機(jī)構(gòu)(28)，從而降低第一方向的固有頻率，第二方向設(shè)有剛度可調(diào)的正剛度片彈簧和負(fù)剛 度的倒立擺，從而降低第二方向的固有頻率;以及主動隔振單元，其 布置在所述被動隔振單元的外側(cè)，上端與所述負(fù)載平臺(30)鏈接，下端 與所述基礎(chǔ)平臺(10)鏈接，所述主動隔振單元包括位移傳感器、速度傳 感器、比例壓力閥和音圈電機(jī)，所述音圈電機(jī)用于對

本發(fā)明公開了一種 N2 分子振轉(zhuǎn) Raman 譜的測量系統(tǒng)。該系統(tǒng)由發(fā)射單元和光學(xué)接收與信號檢測單 元組成。發(fā)射單元采用種子注入的固體激光器輸出極窄線寬的 354.8 nm 紫外激光照射大氣分子；光學(xué)接 收與信號檢測單元收集由 N2 分子產(chǎn)生的振轉(zhuǎn) Raman 譜信號，采用雙光柵色散系統(tǒng)將 384.9-388.6 nm 范 圍光以 8.3 mm nm-1 的線色散率在空間上色散開來，采用 32 通道的線陣探測器分辨并記錄 N2 分子振轉(zhuǎn) Ram

此成果可廣泛應(yīng)用于城市新涌現(xiàn)的軌道交通上蓋建筑，以提高建筑居住或辦公環(huán)境舒適度，減輕地鐵振動帶來的潛在健康問題，亦可應(yīng)用于精密設(shè)備，解決三向震振雙控技術(shù)難題，推動土木建筑等相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，帶來顯著的社會效益。 該成果投產(chǎn)使用后，可實(shí)現(xiàn)隔震設(shè)計(jì)階段上部結(jié)構(gòu)的降度設(shè)計(jì)，減小結(jié)構(gòu)構(gòu)件截面，增加商業(yè)使用面積或居住面積，顯著降低結(jié)構(gòu)工程造價(jià)。此外，所需核心元件皆為工藝成熟的工業(yè)產(chǎn)品，裝置性價(jià)比高，相比傳統(tǒng)軌道隔振方案，震振雙控成本大幅降低，取得巨大經(jīng)濟(jì)效益。 當(dāng)前，在我國推進(jìn)軌道交通建設(shè)的背景下，該成果具有極強(qiáng)市場競爭力，目前已得到多家業(yè)主單位與設(shè)計(jì)單位的密切關(guān)注，以及數(shù)家震振雙控裝置廠商的緊密跟蹤，具備成果轉(zhuǎn)化的堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)條件，具有廣闊的應(yīng)用前景。

本發(fā)明提供了一種豎向協(xié)同隔減振/震裝置及其使用方法，包括水平設(shè)置的上支架和下鋼板、豎向夾置在上支架和下鋼板之間的螺旋彈簧、同軸置于螺旋彈簧內(nèi)的組合式粘彈性圓筒阻尼器，上支架包括環(huán)向的側(cè)翼板及分別固定在側(cè)翼板上端面和下端面的支架頂板和支架底板，組合式粘彈性圓筒阻尼器包括同軸套裝的內(nèi)套筒、外套筒和高溫硫化于內(nèi)、外套筒之間的粘彈性阻尼層，組合式粘彈性圓筒阻尼器通過內(nèi)套筒頂部的螺栓穿過并固定于支架底板上，外套筒的底部固定在下鋼板上。 本發(fā)明在彈簧隔振系統(tǒng)的基礎(chǔ)上，采用大阻尼比、性能穩(wěn)定、密封性好、適于工程應(yīng)用的粘彈性阻尼材料提升裝置系統(tǒng)耗能能力，并設(shè)計(jì)了適于豎向承重結(jié)構(gòu)承受豎向激勵的完整彈簧阻尼協(xié)同工作系統(tǒng)，發(fā)揮優(yōu)異的隔振、減振作用。

華中科技大學(xué)智能超靈敏活細(xì)胞超分辨顯微鏡采購項(xiàng)目招標(biāo)項(xiàng)目的潛在投標(biāo)人應(yīng)在線上方式獲取，無須現(xiàn)場領(lǐng)購獲取招標(biāo)文件，并于2022年07月11日14點(diǎn)30分（北京時(shí)間）前遞交投標(biāo)文件。

由東南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院尤肖虎教授、趙滌燹教授牽頭，聯(lián)合成都天銳星通科技有限公司、網(wǎng)絡(luò)通信與安全紫金山實(shí)驗(yàn)室等單位完成的“Ka頻段CMOS相控陣芯片與大規(guī)模集成陣列天線技術(shù)”項(xiàng)目成果通過了中國電子學(xué)會組織的現(xiàn)場鑒定。 由中國工程院鄔賀銓院士、陳左寧院士、李國杰院士、呂躍廣院士、丁文華院士以及來自中國移動、信通院、華為、中興、大唐電信和國內(nèi)5所高校的共15位專家組成的鑒定委員會對該項(xiàng)成果進(jìn)行了現(xiàn)場鑒定并給予了高度評價(jià)，一致認(rèn)為：該項(xiàng)目解決了硅基CMOS毫米波Ka頻段相控陣芯片和天線走向大規(guī)模推廣應(yīng)用的核心技術(shù)瓶頸問題，成功研制了Ka頻段CMOS相控陣芯片，并探索出了一套有效的毫米波大規(guī)模集成陣列天線低成本解決方案，多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)屬首創(chuàng)；在硅基CMOS毫米波技術(shù)路線取得重大突破，在大規(guī)模相控陣天線集成度方面國際領(lǐng)先；成果在5G/6G毫米波和寬帶衛(wèi)星通信等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，在該領(lǐng)域“卡脖子”技術(shù)上取得關(guān)鍵突破，已在相關(guān)應(yīng)用部門得以成功推廣應(yīng)用。 目前，用于射頻芯片的40nm和28nm CMOS工藝特征頻率已經(jīng)超過250GHz，在理論上完全可以滿足毫米波應(yīng)用需求。毫米波硅基CMOS集成電路技術(shù)的突破，將帶來無線通信行業(yè)的一次變革，解決相控陣系統(tǒng)“不是不想用，只是用不起”的問題，把毫米波芯片及大規(guī)模相控陣變成來一種極低成本的易耗品。相比鍺硅工藝和化合物半導(dǎo)體工藝，CMOS工藝在成本、集成度和成品率上具有巨大優(yōu)勢，但其輸出功率相對較低，器件本身寄生效應(yīng)較大。項(xiàng)目組經(jīng)過長達(dá)6年的技術(shù)探索與創(chuàng)新，克服了毫米波CMOS芯片技術(shù)的固有瓶頸問題，所研制的芯片噪聲系數(shù)為3dB，發(fā)射通道效率達(dá)到15%，無需校準(zhǔn)便可實(shí)現(xiàn)精確幅相調(diào)控；基于大規(guī)模相控陣的波束成形能力，克服了毫米波CMOS芯片輸出功率受限的問題。