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產品詳細介紹 　　概述： 　　1.0625Gbps至4.25Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅動器高速光收發芯片(EP110) 　　EP110為高度集成的限幅放大器和VCSEL驅動器，設計用于數據傳輸速率高達8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纖通道傳輸系統以及10.3125Gbps數據傳輸速率的10GBASE-SR傳輸系統。器件采用+3.3V單電源供電，這款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅動器和微控制器三合一的高集成單芯片。平均光功率由平均功率控制環路(APC)控制，該控制環路通過連接至VCSEL驅動器的3線數字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設計提供最佳的背板短接。EP110集成一個微處理器，可以實現SFF8472協議的數字監控接口要求，可通過固件實現高級Rx設置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性)和Tx設置(調制電流、偏置電流、極性、眼圖交叉點調制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP110采用無鉛、5mm*5mm、40引腳QFN封裝。 　　1.0625Gbps至10.32Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅動器高速光收發芯片(EP112) 　　EP112為高度集成的限幅放大器和VCSEL驅動器，設計用于數據傳輸速率高達8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纖通道傳輸系統以及10.3125Gbps數據傳輸速率的10GBASE-SR傳輸系統。器件采用+3.3V單電源供電，這款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅動器和微控制器三合一的高集成單芯片。平均光功率由平均功率控制環路(APC)控制，該控制環路通過連接至VCSEL驅動器的3線數字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設計提供最佳的背板短接。EP112集成一個微處理器，可以實現SFF8472協議的數字監控接口要求，可通過固件實現高級Rx設置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性)和Tx設置(調制電流、偏置電流、極性、眼圖交叉點調制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP112采用無鉛、5mm*5mm、40引腳QFN封裝。 　　1.0625Gbps至14Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅動器高速光收發芯片(EP116) 　　EP116是一款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅動器和微控制器三合一的16G SFP+高集成高速光收發芯片,工作在高達14Gbps的數據速率、非常適合以太網和光纖通道應用。在EP116的發射和接收路徑上集成了CDR功能，解決了大多數高速系統存在的信號失真問題。平均光功率由平均功率控制環路(APC)控制，該控制環路通過連接至VCSEL驅動器的3線數字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設計提供最佳的背板短接。EP116集成一個微處理器，可以實現SFF8472協議的數字監控接口要求，可通過固件實現高級Rx設置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性、去加重)和Tx設置(調制電流、偏置電流、極性、可編程去加重、眼圖交叉點調制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP116采用無鉛、6mm*6mm、48引腳QFN封裝。 　　特點： 　　3.3供電時，功耗僅為500mW 　　工作速率高達10.32Gbps 　　10.32Gbps下，具有5mVp-p接收靈敏度 　　Rx和Tx極性選擇 　　可調節觸發LOS報警電平 　　LOS極性選擇 　　能夠向100歐姆差分負載提供高達12mA的調制電流 　　偏置電流高達19mA 　　Rx輸出可選擇去加重 　　支持SPI EEPROM和IIC EEPROM 　　可調節調制輸出的眼圖交叉點 　　工作溫度: -40度 到 90度

本項目重點研究面向物聯網極低功耗微控制器關鍵技術，包括寬電壓標準單元和片上存儲器設計技術、工藝-電壓-溫度（PVT）偏差檢測技術與自適應動態電壓和頻率調節技術、快速響應的寬負載高效率電源轉換技術、低功耗高精度模數轉換電路設計技術、極低功耗快速啟動晶體振蕩器技術；面向工業控制微控制器關鍵技術，包括高可靠處理器架構、低延時訪問存儲策略、納秒級中斷響應處理技術、容錯型自糾錯SRAM 設計技術、高精度時鐘基準電路設計技術。

本技術成果涉及集成電路測試技術領 域，公開了一種RFID讀寫器芯片中測系 統及方法

本項目是用 28 納米 FPGA 器件實現了一枚《萬兆網絡多核處理器》SOC 芯 片。該芯片目標客戶是路由器、交換機、防火墻網絡設備整機廠商和網絡技術 科研、監管機構。該芯片用于拓展網絡帶寬到 10Gbps，支持 Open Flow 協議， 兼容 IPV4/IPV6 協議，是 SDN 控制器的基礎載體，NFV 的運行平臺。該芯片是 互聯網產業的核心器件、重要的戰略物資，國內空白，國家急需。該項目的產 業化包含 SOC 芯片推廣，FPGA→ASIC 轉化、網絡設備整機生產 3 部分。適合 創辦的企業為 Fabless 模式集成電路芯片設計為主和網絡裝備整機生產為輔的電 43 子信息類股份制高科技企業。

已有樣品/n針對各種生物醫用儀器對心電、腦電、肌電、神經電等電生理信號采集與分析的需求，研制出了一系列專用集成電路芯片。其中包括：1、一款適合大多數生理信號的通用前端集成電路，完成從電生理傳感器輸出市場預期：市場需求量：芯片300萬顆/年，傳感器3000萬-5000萬顆/年；可應用系統：小型化便攜式電生理檢測設備、移動健康產品、穿戴式健康產品。的原始信號到CMOS或TTL等標準數字電平信號之間的轉換，這款前端電路的功能包括跟隨、前放、A/D、濾波等基本功能。2、多款專用的信號處理后端集

成果簡介本項目在國家973計劃、863計劃等研究成果基礎上，跟蹤國際趨勢，形成9**nm 大功率單發光條半導體激光器，輸出功率大于12W，壽命1萬小時。主要優勢：（1 ）填補國內空白。（2 ）易于光纖耦合。（3 ）多種波長可選。應用簡介所處研發階段：中試階段適合應用領域：直接光加工、

本實用新型公開了一種雙層卷制滴灌管。雙層卷制滴灌管包括抗老化帶層和彈性帶層，抗老化帶層的內表面上設置有消能凹槽，抗老化帶層的內表面的一邊緣設置有多條出水凹槽，出水凹槽與消能凹槽連通，消能凹槽整體呈蛇形結構；彈性帶層貼在抗老化帶層的內表面上形成管帶，消能凹槽與彈性帶層之間形成消能流道，出水凹槽與彈性帶層之間形成出水流道，出水流道在管帶的對應側邊形成出水口，彈性帶層上開設有多個與消能流道連通的進水孔；其中，管帶上具有出水口的側部為第一連接部，管帶的另一側部為第二連接部，第一連接部搭接在第二連接部的外部。實現提高雙層卷制滴灌管的使用可靠性和使用壽命。

1.痛點問題 在“雙碳”背景下，我國氫氣需求量預期會持續增長。目前我國氫氣年產量約為3,300萬噸，預計2030年增至3,715萬噸，2060年增至約1.3億噸，產業鏈年產值約12萬億元。 然而，傳統制氫路線難以實現碳排放和經濟性的平衡。目前全球96%以上的氫氣來自于傳統化石燃料（“灰氫”），雖然成本較低，但碳排放量巨大；利用化石燃料制氫的同時進行CCUS可獲得“藍氫”，但受制于CCUS技術發展，總體成本較高；利用可再生能源制造的“綠氫”規避了碳排放問題，是氫能發展的最終歸宿，但目前在技術、模式、成本等方面都需要進一步探索和發展。 2.解決方案 化學鏈制氫是一種新興綠色制氫技術，以金屬基載氧體為中介，借助電子和氧的晶格內遷移，將燃料的氧化還原反應解構為還原、蒸汽氧化、空氣氧化三個階段，在不同階段分別產出純H2和CO2。 王偉教授團隊基于此構建了“生物質廢物制取負炭綠氫工藝”“可燃垃圾/工業固廢制取藍氫工藝”“鋼鐵灰渣高值資源利用耦合原位產氫氫冶煉工藝”等工藝系統，為市政和傳統工業行業提供經濟可行的“脫碳”路徑。 合作需求 1）產業引導基金支持 2）人才政策 3）中試場地和配套水電氣及燃氣支持 4）實驗室/研發中心建設資金支持 5）稅收減免優惠 6）廠房代建 7）九通一平以及相關管道線路等基礎設施建設 8）用電，氣，水保障以及電價，燃氣價等支持 9）企業早期發展以及申報高新企業等支持 10）能耗申請支持 11）環評等資質申請的支持 12）配資支持 13）當地其他同類企業相匹配的優惠政策

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