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千萬噸級大采高綜放工作面設備配套選型及標準制定基礎的研究
在調研國內千萬噸級綜放工作面生產地質條件的基礎上，分析實現千萬噸級目標綜放面所需的基本條件。測試工作面煤巖力學參數，掌握了工作面煤巖力學特性，為理論分析提供理論基礎。從地質因素、設備配套因素、開采技術因素以及管理因素等方面分析各因素對千萬噸級大采高綜放工作面設備配套的影響，分析千萬噸級大采高綜放工作面目標實現的地質條件適應性、頂煤的冒放性和實現安全高效開采的主要途徑。采用相似模擬試驗，獲得采場圍巖運移及應力分布規律，建立煤壁穩定性分析的力學模型，分析煤壁的穩定性，獲得工作面支架支護強度的基本要求。優化研究工作面參數及開采工藝，探索各參數對工作面生產能力的影響并提出在不同開采條件下工作面參數的確定方法和基本要求，探索生產系統中各工序參數對工作面生產能力的影響規律，分析生產系統技術改造對工作面生產能力的影響，找出生產工藝系統中的薄弱工序和最優放煤工藝，提出在不同條件下的工作面生產工藝參數優化配置，為大采高綜放面設備選型提供依據。研究 “三機”配套的總體原則，單機配套時的選型原則和工作面設備的基本要求，為試驗面設備的配套、選型提供依據。(1)提出了年產千萬噸級綜放面開采地質條件的基本要求，分析了千萬噸級大采高綜放面安全高效開采的影響因素。(2)在系統研究大采高綜放采場圍巖運移及應力分布規律、煤壁片幫機理、工作面參數、回采工藝的基礎上，深入研究了工作面“三機”配套選型，提出了相應的配套原則和配套參數。(3)研制了 ZF15000-23/43 正四連桿大采高綜放低位放頂煤液壓支架、整體自移式ZTZ20000/25/50 型端頭自移支架、ZTC30000/25/50 型超前支護支架以及 KSW-1500EU 型電牽引采煤機，并進行了現場工業試驗，保障了千萬噸級大采高綜放工作面平均日產達 3 萬t。(4)制定了“千萬噸級大采高綜放工作面設備配套選型技術要求”技術標準。
安徽理工大學
2021-04-13
一種帶有平行翅片迂回流道的雙效太陽能平板集熱裝置
本實用新型公開了一種帶有平行翅片迂回流道的雙效太陽能平板集熱裝置，包括有外殼、玻璃蓋板和位于外殼內的集熱板，集熱板上分布有集熱水管，集熱水管上連接進水口、出水口，外殼的兩端設有空氣進口、空氣出口，空氣出口通過管道與風機相連接，集熱板上位于集熱水管的縫隙處焊接有多個平行翅片，各平行翅片的上沿與玻璃蓋板接觸。本實用新型可以實現太陽能集熱器同時給水和空氣進行加熱，具有綜合集熱效率高、運行穩定、節省空間，成本低等優點。
安徽建筑大學
2021-01-12
一種基于 FPGA 以電阻應變片為稱重傳感器的簡易電子秤
本實用新型涉及電子技術，具體涉及一種基于 FPGA 以電阻應變片為稱重傳感器的簡易電子秤，包 括機械結構和電路部分；電路部分包括線性電源和基準電壓模塊；機械結構包括支架、懸臂梁和秤盤， 懸臂梁一端固定在支架上，秤盤懸掛于懸臂梁另一端；電路部分還包括電阻應變傳感器、信號放大模塊、 低通濾波器、A/D 轉換器、FPGA 及鍵盤控制模塊和 LCD 顯示模塊；電阻應變傳感器與信號放大模塊、 低通濾波器、A/D 轉換器、FPGA 依次相連，鍵盤控制模塊、
武漢大學
2021-04-14
采用離子輻照增強PtPb/Pt二維納米片電化學催化活性的實驗成果
采用核技術方法，利用高能離子束輻照，對PtPb/Pt二維納米片進行了原子尺度結構調控和修飾，極大地提高了納米片的催化活性。在線輻照和原位透射電子顯微鏡（TEM）結果表明：通過入射高能離子與納米片中靶原子相互作用，精確地控制納米片微觀結構的變化，利用鍵長變化和電子軌道雜化等機制來修飾表面原子的電子結構，從而增加催化反應活性位點，增強催化性能。同時，通過調節入射離子的劑量大小，可以有效地控制缺陷產生的數量及演化，得到具有不同催化活性的PtPb/Pt二維納米片材料。
北京大學
2021-04-11
一種基于多肽模板合成二氧化錳納米片的方法及其應用
本發明涉及納米材料、催化及分析化學領域，具體包括一種基于多肽作生物模板合成二氧化錳納米片的制備方法及其在催化及分析化學方面的應用。該方法利用多肽的納米結構特征及其官能團的性質，將多肽與二價錳離子混合，加入氫氧化鈉后常溫反應以使二氧化錳納米片在多肽的穩定下生成。該材料具有仿酶催化特性，使其在分析化學、環境工程和催化領域有著廣闊的應用前景。該方法以生物材料為模板，制備工藝簡單，反應條件溫和環保，納米結構易控。
青島農業大學
2021-04-13
一種五軸加工軌跡中刀具圓環體向三角片的邊投影的算法
本發明屬于銑削加工相關技術領域，其公開了一種五軸加工軌 跡中刀具圓環體向三角片的邊投影的算法，其包括以下步驟:(1)判斷 刀具圓環體向三角片的邊投影的特殊情況，若存在特殊情況，則轉至 步驟(5)，否則轉至步驟(2);(2)根據第一幾何約束條件來確定初始迭代 角度;(3)基于第二幾何約束條件及第三幾何約束條件來計算及離散初 始迭代角度區域，以確定較優初始迭代角度;(4)基于第二幾何約束條 件及第三幾何約束條件，采用割線法搜索最優角度，若成功則轉至步 驟(5)，否則結束;(5)依據搜索到的所述最優角度計
華中科技大學
2021-04-14
DT640硅二極管溫度傳感器低溫溫度測量裸片溫度計
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應用中都不需要單獨的標定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應時間有特殊要求的應用中具有獨特的優勢。
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特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應；
※ 符合標準曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標準溫度響應曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標準曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-01-21
DT640-BC型裸片溫度計硅二極管低溫溫度傳感器錦正茂科技
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應用中都不需要單獨的標定。
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特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應；
※ 符合標準曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標準溫度響應曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標準曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-11-17
科技部部長陰和俊：加快建立健全新型舉國體制 科技部重點推進三方面工作
3月5日，十四屆全國人大二次會議首場“部長通道”開啟，科技部部長陰和俊圍繞科技如何支撐高質量發展，怎樣支持青年人才挑大梁等話題答疑解惑。
科技日報
2024-03-05
錦正茂 硅二極管DT640-BC型裸片溫度計小型溫度傳感器1.4K-500K
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應用中都不需要單獨的標定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應時間有特殊要求的應用中具有獨特的優勢。
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※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應；
※ 符合標準曲線，具有良好的互換性；
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※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標準溫度響應曲線；
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參數：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標準曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-08-05