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一種平底螺旋立銑刀正交車銑軸類零件的切削力建模方法
本發明公開了一種平底螺旋立銑刀正交車銑軸類工件的切削力 建模方法，包括步驟：分別建立螺旋立銑刀坐標系和軸類零件坐標系， 確定兩個坐標系間的坐標變換；在建立的坐標系中，明確正交車銑切 削運動軌跡，確定軸向進給、徑向進給和總進給；根據計算得到的正 交車銑運動軌跡和確定的進給，確定正交車銑切屑幾何；對每個離散 層建立微元正交車銑切削力計算公式，根據確定的正交車銑切屑厚度、 切削深度和正交車銑切入切出角，判斷各離散層是否參與切削，確定 微元切削力的積分限，積分參與切削的微元切削力，獲得當前切削狀 態總切削力
華中科技大學
2021-04-14
低 C/N 比城市污水連續流脫氮除磷工藝與過程控制技術
針對國內外低 C/N 城市污水處理中氮磷難以達標及能耗高的技術難題，本成果經過 10 余年的潛心研究與工程實踐，提出了 1 個原創理論與方法，突破了 3 項新技術應用的瓶頸，開發并集成了 4 個低 C/N 比城市污水脫氮除磷改良工藝及過程控制技術，共獲得 28 項授權的發明專利，發表論文 100 余篇 (SCI50 余篇 )，出版 2 本專著，獲 2 次全國優秀博士學位論文提名獎，2 項國家級火炬計劃項目。本成果為低 C/N 比城市污水連續流脫氮除磷提供了多角度、全方位的綜合性解決方案，填補了我國在此項技術研究領域的空白，形成了具有我國自主知識產權的污水脫氮除磷技術。
北京工業大學
2021-04-13
超晶格結構的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法
簡介：本發明提供一種超晶格結構的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法,屬于材料表面技術領域。本發明該超硬膜是由電弧離子鍍的納米晶體相Cr2N和磁控濺射鍍的非晶體相WC層交替沉積而成,并且,超晶格的調制周期為10～20nm,Cr2N單層和WC單層的厚度分別為8～14nm和2～6nm。本發明的優點在于:Cr2N層與WC層交替分布實現了Cr-N基膜成分多元化和結構多層化,解決了抗氧化性較強的Cr-N基膜獲得超高硬度的難題,同時非晶WC層進一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蝕性能,滿足不能熱處理的
安徽工業大學
2021-04-14
低C/N比城市污水連續流脫氮除磷工藝與過程控制技術
北京工業大學
2021-04-14
TiO2/g-C3N4納米復合物用于可見光產氫
課題組依據共價鍵、靜電吸引力、范德華力三種不同作用力類型，構筑了三類TiO 2
南方科技大學
2021-04-14
一種分辨 N2 分子振轉 Raman 譜的雙光柵光譜儀系統
本發明公開了一種測量大氣水 Raman 譜和氣溶膠熒光譜的激光雷達系統。該系統由發射單本發明 公開一種分辨 N2 分子振轉 Raman 譜的雙光柵光譜儀系統。包括信號饋入單元、光學色散單元和信號檢 測單元。信號饋入單元采用集束光纖將傳導的信號光饋入光學色散單元;光學色散單元包含兩組級聯的 準 Littrow 結構布局的單光柵色散系統;信號檢測單元分辨與記錄色散后的通帶范圍內譜信號。在波長 354.8nm 紫外激光輻射下，由 N2 分子產生的 Stokes 振轉 Raman 譜中心波長為 386.8nm，對稱分布在兩 側的 O 支與 S 支譜各譜線在頻譜上等間距;本發明能提取 N2 分子振轉 Raman 譜 O 支及 S 支各分立譜 線信號，實現對 N2 分子振轉 Raman 譜的分辨與檢測，同時能對 354.8nm 附近光信號產生大幅抑制。
武漢大學
2021-04-13
提升結晶小分子半導體在n型有機薄膜晶體管柔性方面的研究
該研究提出了聚合物粘合劑的新型策略，通過合成一個柔性的共軛n型聚合物，使其能夠作為一種粘合劑粘合小分半導體的晶界，提升其機械性能，實現了柔性有機晶體管器件。這種聚合物能有效地抑制小分子和聚合物之間的相分離，進一步實現了晶粒間的粘合作用。
南方科技大學
2021-04-14
一種用于激光解吸離子化質譜的螺旋二十四面體結構基底
本發明公開了一種用于激光解吸離子化質譜的螺旋二十四面體結構基底，該基底為三維網絡狀結構，表面覆蓋一層貴金屬，能與激光發生耦合，吸收并轉移激光能量到待測分析物分子，使之脫附并裂解成帶電荷的分子碎片。所述的螺旋二十四面體結構(Gyroid結構)服從以下關系：其中L為螺旋二十四面體結構的周期，t調節螺旋二十四面體結構的形貌。
東南大學
2021-04-14
一種Si3N4/SiCw復相結合SiC耐火材料及其制備方法
小試階段/n本發明涉及一種Si3N4/SiCW復相結合SiC耐火材料及其制備方法。其技術方案是：以50~75wt%的碳化硅、18~36wt%的單質硅和2~15wt%的碳為原料，外加所述原料3~7wt%的改性結合劑，攪拌均勻，機壓成型，成型后的坯體在220℃條件下干燥8~48小時；干燥后的坯體在氮氣氣氛中燒成，隨爐自然冷卻至室溫，即得Si3N4/SiCW復相結合SiC耐火材料。所述燒成的溫度制度是：先升溫至890~920℃，保溫1~3小時；再升溫至1180~1350℃，保溫4~10小時；然后升溫至在1
武漢科技大學
2021-01-12
利用亞甲基自轉移反應制備 N-甲基化烏洛托品鹽的方法
本發明提供一種制備 N-甲基烏洛托品鹽的方法，將烏洛托品和質子酸生成的質子化烏洛托品鹽在適 宜條件下直接轉化成 N-甲基烏洛托品鹽。其原理為:烏洛托品質子化后生成含 N-H 鍵的叔胺陽離子; 陽離子的生成使與質子化氮原子相連的烏洛托品骨架上的亞甲基活化，繼之在適宜條件下發生斷鏈、轉 移和插入 N+-H 鍵的反應，最終生成 N-甲基烏洛托品陽離子，在這種亞甲基轉移反應中，陰離子一般不 參與反應。該制備方法不用其它甲基化試劑，涉及化學
武漢大學
2021-04-14