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可變溫霍爾效應測試儀高低溫磁場型0.1GS分辨率
霍爾效應測試儀—高低溫磁場型本儀器系統由：電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源高精度電壓表、高斯計、霍爾效應樣品支架、標準樣品、高低溫杜瓦，控溫儀，系統軟件。為本儀器系統專門研制的JH10 效應儀將恒流源，六位半微伏表及霍爾測量復雜的切換繼電器——開關組裝成一體，大大減化了實驗的連線與操作。
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產品概述：
本儀器系統由：電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源高精度電壓表、高斯計、霍爾效應樣品支架、標準樣品、高低溫杜瓦，控溫儀，系統軟件。為本儀器系統專門研制的JH10 效應儀將恒流源，六位半微伏表及霍爾測量復雜的切換繼電器——開關組裝成一體，大大減化了實驗的連線與操作。JH10 可單獨做恒流源、微伏表使用。用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等重要參數，而這些參數是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此霍爾效應測試系統是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性必*的工具。 實驗結果由軟件自動計算得到，可同時得到體載流子濃度(Bulk Carrier oncentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(Hall Coefficient)、磁致電阻(Magnetoresistance)等。
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可測試材料: Ø
半導體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料等；
低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導體材料、TMR 材料等；
高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-05-10
造影劑r1 核磁共振造影劑馳豫率測試儀
產品詳細介紹產品簡介： PQ001核磁共振造影劑馳豫率測試儀是一款經典的小核磁，專為核磁共振造影劑研究應用設計開發而成，該設備配套有造影劑專用弛豫時間測試軟件，可以直接測試得到不同濃度造影劑樣品的T1、T2弛豫時間，R1、R2弛豫速率以及造影劑樣品的弛豫效率r。弛豫時間測試過程非常簡單，樣品無需特別配置，軟件實現中英文雙語選擇界面，操作簡便，易學易用。技術指標：1、磁體類型：永磁體；2、磁場強度：0.5±0.08T，儀器主頻率：21.3MHz；3、探頭線圈直徑：15mm；應用解決方案：1、Gd類，Fe類，Mn類等核磁共振造影劑T1、T2弛豫時間測試，弛豫效率r測試； 2、細胞液弛豫測試 .....應用案例一：T2弛豫時間測試應用案例二：T1 弛豫時間測試應用案例三：r2弛豫效率測試造影劑專用測試軟件注：儀器外觀如有變動，以產品技術資料為準。
上海紐邁電子科技有限公司
2021-08-23
表面等離激元共振法測液體折射率實驗儀 COC-SPR
實驗原理
1、在電磁場的作用下，材料中的自由電子會在金屬表面發生集體振蕩，產生表面等離激元（Surface Plasmon）；
2、共振狀態下電磁場的能量被有效轉換為金屬表面自由電子的集體振動能。
成都華芯眾合電子科技有限公司
2022-06-18
?錦正茂低溫控溫儀TESK301低溫溫度儀 0.01K分辨率
TESK301型低溫控溫儀的前面板有高亮黃色數碼管和紅色指示燈顯示，保*各個角度溫度示數清晰可見。按鍵位置設置規范，按鍵圖標清晰明了。同時TESK301具有三個輸出功率范圍，充分保*了各個控溫區間控溫的穩定性，減小溫度過沖。安裝有標準的RS232 接口，可以通過控制軟件利用上位機控制，用戶也可開發自己的應用軟件。
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低溫控溫儀TESK301低溫溫度儀 0.01K分辨率 TESK301內置了一個標準恒流電源向電阻溫度計供電,通過四線法測量溫度傳感器電壓信號，經16位A/D轉換，自校準，數字濾波，查分度表，修正計算后顯示實測溫度，經與設定溫度比較后，實時PID運算給出控制信號，通過機內固態繼電器周期控制加熱電壓來實現溫度的控制。
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低溫控溫儀TESK301低溫溫度儀 0.01K分辨率
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作為北京高科技企業，錦正茂科技以現代高科技產業和傳統產業為核心業務，對內承接科研生產任務，對外以商務平臺方式實現軍民兩用技術成果轉換，形成了科學管理的現代化經營模式，專門從事物理、化學和材料等領域的科學儀器研發、銷售各類型超低溫測試設備（液氮 液氦）制冷機系統集成 ，定制 ，高低溫真空磁場發生系統，Helmholtz線圈（全套解決方案），電磁鐵（全系列支持定制），螺線管，電子槍（高穩定性雙極性磁鐵恒流電源1ppm），高低溫磁場真空探針臺，霍爾測試系統，電輸運測量解決方案，磁光克爾效應測量系統等產品種類齊全，性能可靠，至今已有近10余年的歷史，是國內（較早）生產探針臺，電輸運，電磁鐵的廠家之一。
北京錦正茂科技有限公司
2022-08-26
在鈉金屬薄膜和等離激元光子器件研究方面上的重要突破
研究團隊發展了獨特的液態金屬旋涂工藝，制成了金屬鈉薄膜，首次揭示了金屬鈉膜的優異光波段等離激元特性。
北京大學
2021-04-11
一種超高速率充放電超級電容器薄膜電極的制備
高校科技成果盡在科轉云
電子科技大學
2021-04-10
高模量低收縮聚酰亞胺薄膜的產業化關鍵制備技術研究
本項目針對目前國內撓性印制線路板及材料在生產及應用中存在的問題，在研究團隊前期開發的高模 低縮聚酰亞胺薄膜配方體系的基礎上，從市場需求及產業化的角度，優選具有顯著分子間相互作用力的體 系，開展聚合物前驅體聚酰胺酸膠液的實驗室小試、中試及產業化規模制備、膠液流延和薄膜制備過程中 的關鍵技術研究，獲得一套穩定可靠的產業化工藝參數，制備具有自主知識產權的新型高模低縮聚酰亞胺 薄膜產品，打破該產品國外壟斷的局面。
中山大學
2021-04-10
一種二元前驅體合成伸展石墨烯復合薄膜的制備方法
本發明屬于半導體納米復合材料的制備技術領域，涉及一種利用二元前驅體合成石墨烯復合薄膜的制備方法。該發明采用簡單的兩步合成路線，通過在水熱法中合成兩元前驅體，然后經過高溫處理使四氧化三鐵納米顆粒均勻的分散在石墨烯納米薄膜的表面。相對于其他合成方法，此方法制備的石墨烯復合薄膜具有伸展更充分，Fe3O4納米粒子粒徑更均勻，分布范圍窄等優點。借助本發明提供的方法，制備出的石墨烯納米復合薄膜可作為鋰離子電池的負極材料，顯示了較高的電容量和循環穩定性。通過本發明提供的無機半導體和石墨烯復合納米材料制備方法，可制備多種不同種類的復合材料，制備出的復合材料在鋰離子電池，無機太陽能電池，藥物的靶向緩釋與治療等方向具有實際的應用前景。
青島大學
2021-04-13
一種硒化銻薄膜太陽能電池的背表面處理方法
本發明屬于薄膜太陽能電池制備領域，具體公開了一種硒化銻 薄膜太陽能電池的背表面處理方法，該方法是使用含有二硫化碳的液 體接觸處理硒化銻薄膜太陽能電池中硒化銻薄膜層的表面，并以經處 理后的硒化銻薄膜層的表面作為硒化銻薄膜太陽能電池的背表面。本 發明通過對硒化銻薄膜太陽能電池中硒化銻薄膜層的背表面進行處理 改進，有效降低了硒化銻薄膜太陽能電池的背接觸勢壘，達到了提高 器件的填充因子的效果，進而提高了硒化銻薄膜太陽能電池的
華中科技大學
2021-04-14
一種無空穴傳輸材料鈣鈦礦薄膜異質結電池的制備方法
本發明公開了一種無空穴傳輸材料鈣鈦礦薄膜異質結電池的制備方法。該方法在傳統的 PbI2 前驅體 溶液中加入少量 PbCl2，以提高 PbI2 在溶劑中的溶解性，以免在旋涂時形成不均勻的晶核，影響鈣鈦礦 生長的均勻性。在空氣中 100℃燒結 5 分鐘后，往鈣鈦礦層上刮涂上一種含有 CH3NH3I 的碳漿，在空氣 中 100℃烘干，再次刮涂上一層不含 CH3NH3I 的碳漿以降低器件電阻。最后 50mg/mL?PMMA 的甲苯溶 液均勻滴在碳電極上
武漢大學
2021-04-14