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懸空氮化物薄膜LED
南京郵電大學
2021-04-14
柔性薄膜超級電容器
隨著便攜式電子設備的快速發展，將微型電子設備運用到可穿戴設備或者作為生物植入物的可行性越來越大。用柔性電子器件來替代傳統的硬質電子器件的重要性也愈加凸顯，如何解決柔性電子設備的儲能問題，是實現這些可能性的重要因素之一。 本成果設計并制備了一種新型柔性微型超級電容器，其具有制備工藝簡單，成本較低，適用于各種粉末狀電極材料等特點。
電子科技大學
2015-12-24
鎢酸鋯薄膜的制備方法
鎢酸鋯薄膜的制備方法,它屬于薄膜制備領域.本發明解決了現有鎢酸鋯薄膜制備方法存在的操作復雜,成本高的問題.本發明的方法如下:一,硝酸氧鋯和溶劑混合得到A溶液;二,絡合劑,溶劑和偏鎢酸銨混合得到B溶液;三,將A和B混合,配制溶膠;四,通過旋涂制備濕膜,再將濕膜預燒;五,制備鎢酸鋯非晶薄膜;六,鎢酸鋯非晶薄膜晶化后即得鎢酸鋯薄膜.本發明的制備工藝簡單,成本低,制備得到的薄膜表面平整致密,厚度均勻,晶粒大小均勻.
哈爾濱師范大學
2021-05-04
制備結晶氮化碳薄膜的裝置
1.項目簡介：本設計了一種制備結晶氮化碳薄膜的裝置，設有脈沖電弧放電的機構及電路，該電路由高壓和電弧產生電路組成；該機構包括基板和與之相連的電加熱器，設有半密封箱體，基板、電加熱器和電極位于半密封箱體腔內，基板位于電極的下方或四周，設有2條帶有控制閥的管道，分別通氮氣和溶液，其下端深入半密封箱體腔內，通溶液的管道下端出口處于電極的上方。該裝置能高效率、高質量地制備出結晶氮化碳薄膜，能方便地將結晶氮化碳薄膜涂層制備到管徑較小的管道內壁，從而有利于結晶氮化碳薄膜的推廣應用。項目已獲實用國家新型專利權。2.技術特點：該發明解決了氮化碳薄膜低溫常壓沉積的困難，而且提供了能高效率、高質量地制備結晶氮化碳薄膜的方法及裝置。與其它方法相比，該發明的顯著特點是：在常壓下合成的產品主要為結晶氮化碳薄膜；沉積速率快，在大氣環境下產生稠密的含碳、氮等離子體，從而提高了生產效率，利于推廣結晶氮化碳薄膜的應用。
武漢工程大學
2021-04-11
鉬酸鹽功能薄膜及其制備方法
一種鉬酸鹽功能薄膜,以導電或不導電的、晶態或非晶態的材料為襯底,晶粒度范圍10～500NM,厚度100～3000NM。制備鉬酸鹽功能薄膜的工藝步驟為:(1)配制含MO離子絡合物的溶液,以鉬酸銨或/和鉬酸為溶質,以丙二醇或丙三醇或丙二醇、丙三醇與丙二醇甲醚、冰乙酸的混合液為溶劑;(2)配制含金屬離子絡合物的溶液,以堿金屬及堿土金屬的碳酸鹽或/和過渡金屬及稀有金屬的硝酸鹽為溶質,以丙二醇或丙三醇或丙二醇、丙三醇與丙二醇甲醚、冰乙酸的混合液為溶劑;(3)制備鉬酸鹽前驅物溶液,將上述含MO離子絡合物溶液和含金屬離子絡合物溶液充分攪拌混合,然后至少靜置40分鐘;(4)采用旋涂技術成膜和干燥。
四川大學
2021-04-11
長循環硅基復合薄膜負極
隨著微電子行業等微型化科技的快速發展，薄膜材料得到廣泛應用。薄膜電池作為微型電源器件具有廣闊發展空間。薄膜材料對于硅基負極而言，其短程儲鋰深度和單向膨脹的優勢能夠有效克服硅基材料的本征導電率低和體積膨脹大的問題。開發無需粘結劑的硅基負極薄膜材料對于薄膜負極發展意義深遠。項目通過物理沉積方法，實現電極結構設計與導電型材料復合，改善硅基材料低導電率問題，優化硅基材料體積膨脹緩沖空間，從而完成無粘結劑硅基材料制備和倍率、循環等性能的提高。
廈門大學
2021-01-12
少層石墨雙炔薄膜制備
以石墨烯為模板的少層石墨雙炔薄膜的液相范德華外延生長法。以原子級平整的二維石墨烯為基底，采用極低的單體濃度（0.04 mM），在室溫下進行偶聯反應，通過溶液相范德華外延的方法，成功制備得到了大面積均勻連續的高質量、少層石墨雙炔薄膜，高分辨透射電鏡和光譜表征證實了其高質量單晶結構。該石墨雙炔薄膜為ABC堆垛的三層結構，電子衍射顯示石墨雙炔/石墨烯薄膜具有兩套單晶衍射點，分別對應于石墨雙炔和石墨烯的單晶衍射圖案，結果表明生長在石墨烯上的石墨雙炔與下層石墨烯的晶格取向夾角為14°。
北京大學
2021-04-11
聚乳酸吹塑薄膜生產技術
聚乳酸（PLA ）也稱作聚丙交酯，是以玉米淀粉作為原料，用酶分解淀粉，得到葡萄糖，再由微生物發酵葡萄糖制得乳酸，從乳酸單體通過兩種不同的合成途徑：即乳酸直接縮聚反應（一步法）和通過丙交酯中間體開環聚合反應（二步法）獲得。目前，高分子量的PLA一般采用二步法。此方法是先由乳酸合成丙交酯，再由丙交酯在催化劑（cat）的作用下開環聚合制備PLA，反應式如圖1所示。因此，PLA是一種能夠被水解和被微生物分解的合成塑料。
四川大學
2021-04-14
太陽能薄膜電池一種關鍵技術：磁控濺射制備微晶硅薄膜
目前在工業上廣泛采用的CVD技術制備硅膜，工藝和設備復雜，成本高，且在安全和環保環節上投入巨大。我們在國內首創出了微晶硅薄膜的PVD法沉積工藝，在溫度低于300度的條件下，在單晶硅片和普通玻璃片上制備出不同結晶度的微晶硅薄膜和納米結構硅薄膜，可以得到具有高度<111>方向取向生長的微晶硅薄膜，并實現了控制工藝的穩定性和可重復性。利用磁控濺射技術成功實現微晶硅薄膜的制備是一項重大突破，從根本上克服了現有技術的缺點，具有綠色、高效、簡單等優點。目前需要合作伙伴，把該實驗室技術放大到工業規模。
大連理工大學
2021-04-14
銻化銦（InSb）薄膜型霍爾元件
項目簡介： 銻化銦薄膜型霍爾元件主要用于直流無刷電機，大量應用于電腦 的電源風扇，CPU 風扇，打印機，電動自行車等所用的微型直流無刷 馬達。具有靈敏度高，使用壽命長，可靠性高，體積小，重量輕，功 耗小，頻率高，耐震動，耐灰塵、油污、水汽和鹽霧等各種污染或腐 蝕的優點。 項目特色： 制備溫度低，能源消耗低，環境污染極小，易于大規模生產，制 造成本低，投資小的優點。
南開大學
2021-04-11