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通過(guò)簡(jiǎn)單封裝和熱退火，制備出穩(wěn)定富含氫的IGZO 晶體管，其晶體管電學(xué)性能、穩(wěn)定性都獲得大大提高。制備方法較簡(jiǎn)單且重復(fù)性高，即用氮化硅薄膜封裝，再通過(guò)熱擴(kuò)散將氮化硅內(nèi)氫元素?cái)U(kuò)散至InGaZnO薄膜內(nèi)。摻氫后的晶體管，其開(kāi)態(tài)電流和開(kāi)關(guān)比都獲得了數(shù)量級(jí)的提升（約40倍），而且閾值電壓沒(méi)有太大變化。而對(duì)應(yīng)提取出的場(chǎng)效應(yīng)遷移率則出現(xiàn)異常，大于300 cm2/(V·s)，遠(yuǎn)高于未經(jīng)處理的對(duì)照樣品。然后結(jié)合二次離子質(zhì)譜儀（SIMS）和X射線光電子能譜分析（XPS）表征，發(fā)現(xiàn)薄膜內(nèi)不但氫濃度提升了約一個(gè)數(shù)量級(jí)，而且氧空位缺陷態(tài)也大大減少了，而自由電子濃度則相應(yīng)顯著增加。?研究還指出，該工作模式在長(zhǎng)溝道晶體管中效果尤為顯著，而在短溝道器件中則受到明顯局限。該工作揭示了氫在氧化物半導(dǎo)體中的穩(wěn)定存在方式和對(duì)導(dǎo)電性能的關(guān)鍵作用，為提升長(zhǎng)溝道晶體管的電流驅(qū)動(dòng)能力提供了一種新的器件工作模式，并對(duì)高遷移率薄膜晶體管的驗(yàn)證和分析提供了普適性的理論依據(jù)和實(shí)驗(yàn)方法。

設(shè)計(jì)并成功合成了兩種新型噻唑酰亞胺缺電子受體單元,并在其基礎(chǔ)上得到全受體類型均聚物PDTzTI（圖1a）。單晶XRD分析表明，DTzTI單體中存在S…N非共價(jià)鍵相互作用因而平面性較好，單體間的π堆積也非常緊密，非常適合構(gòu)建全受體聚合物。噻唑酰亞胺的強(qiáng)拉電子能力也使得聚合物的前沿軌道能級(jí)較低，有利于晶體管中電子注入并提升器件穩(wěn)定性，同時(shí)抑制空穴注入和降低器件關(guān)電流。基于PDTzTI的有機(jī)薄膜晶體管器件表現(xiàn)出優(yōu)異的單極性n-型輸運(yùn)性能（圖1b）。晶體管電子遷移率達(dá)到1.6 cm 2  V -1  s -1 ，關(guān)電流僅為10 ?10 -10 ?11 A，因而電流開(kāi)關(guān)比高達(dá)10 7 -10 8 。該遷移率是全受體均聚物材料中的最高紀(jì)錄，同時(shí)在晶體管關(guān)電流和開(kāi)關(guān)比性能上顯著優(yōu)于常見(jiàn)給體-受體共聚物材料，表明全受體結(jié)構(gòu)是實(shí)現(xiàn)單極性n-型聚合物材料的有效途徑,為新型受體單元和單極性n-型材料的設(shè)計(jì)提供重要參考依據(jù)。

目前在工業(yè)上廣泛采用的CVD技術(shù)制備硅膜，工藝和設(shè)備復(fù)雜，成本高，且在安全和環(huán)保環(huán)節(jié)上投入巨大。我們?cè)趪?guó)內(nèi)首創(chuàng)出了微晶硅薄膜的PVD法沉積工藝，在溫度低于300度的條件下，在單晶硅片和普通玻璃片上制備出不同結(jié)晶度的微晶硅薄膜和納米結(jié)構(gòu)硅薄膜，可以得到具有高度<111>方向取向生長(zhǎng)的微晶硅薄膜，并實(shí)現(xiàn)了控制工藝的穩(wěn)定性和可重復(fù)性。利用磁控濺射技術(shù)成功實(shí)現(xiàn)微晶硅薄膜的制備是一項(xiàng)重大突破，從根本上克服了現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，具有綠色、高效、簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。目前需要合作伙伴，把該實(shí)驗(yàn)室技術(shù)放大到工業(yè)規(guī)模。

“一種化學(xué)浴沉積擇優(yōu)取向生長(zhǎng)的納米晶Cu2O薄膜的制備方法”屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域。現(xiàn)有方法一般對(duì)設(shè)備要求較高，需要比較復(fù)雜的程序，而最終難以控制成本，這會(huì)嚴(yán)重影響Cu2O薄膜的應(yīng)用范圍。本發(fā)明提供的納米晶Cu2O薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：分別按照硫酸銅與檸檬酸三鈉的摩爾濃度比范圍為12∶8～12∶36，硫酸銅與抗壞血酸鈉的摩爾范圍為1∶3～5∶6，將抗壞血酸鈉、檸檬酸三鈉溶液依次加入硫酸銅溶液中，使充分絡(luò)合；調(diào)節(jié)溶液pH值至7.0～10.0；置于50°C～95°C水浴溫度中反應(yīng)1.0h～3.

本發(fā)明公開(kāi)了一種防腐耐磨鐵基非晶薄膜及其制備方法，其包 括的成分及該成分的原子百分比含量分別為：14.0～22.0at.％Cr，6.0～ 16.0at.％Mo，4.0～7.0at.％B，4.0～20.0at.％C，0.0～3.0at.％W 以及余 量的 Fe。其制備方法包含 S1 制備單一合金靶材；S2 選擇襯底材料， 將襯底表面進(jìn)行平整化，然后清洗并吹干待用；S3 進(jìn)行磁控濺射，其 中，背景真空度值不高于 5x10<sup

主流硅基芯片CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）技術(shù)正面臨短溝道效應(yīng)等物理規(guī)律和制造成本的限制，需要開(kāi)發(fā)基于新材料和新原理的晶體管技術(shù)來(lái)延續(xù)摩爾定律。高遷移率二維半導(dǎo)體因其超薄的平面結(jié)構(gòu)和獨(dú)特的電子學(xué)性質(zhì)，有望成為“后摩爾時(shí)代”高性能電子器件和數(shù)字集成電路的理想溝道材料，進(jìn)一步縮小晶體管的尺寸和提高其性能。為滿足集成電路加工工藝和器件成品率對(duì)溝道材料的苛刻要求，二維半導(dǎo)體單晶薄膜的大面積制備尤為關(guān)鍵與重要。然而，現(xiàn)有二維半導(dǎo)體材料體系（過(guò)渡金屬硫族化合物、黑磷等）薄膜制備仍未滿足現(xiàn)實(shí)要求，因此亟需實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)二維半導(dǎo)體單晶薄膜制備技術(shù)的突破。 該研究瞄準(zhǔn)二維半導(dǎo)體材料的晶圓級(jí)單晶制備，率先實(shí)現(xiàn)了同時(shí)具有高電子遷移率、合適帶隙、環(huán)境穩(wěn)定的二維半導(dǎo)體（硒氧化鉍，Bi2O2Se)單晶晶圓的外延生長(zhǎng)。他們基于自主設(shè)計(jì)搭建的雙溫區(qū)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，在商用的鈣鈦礦單晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se與鈣鈦礦完美的晶格匹配性及較強(qiáng)的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圓級(jí)單晶薄膜。Bi2O2Se單晶薄膜在晶圓尺寸上表現(xiàn)出優(yōu)異的材料和電學(xué)均勻性，可被用于批量構(gòu)筑高性能場(chǎng)效應(yīng)晶體管。基于晶圓級(jí)二維Bi2O2Se單晶薄膜的標(biāo)準(zhǔn)頂柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管展現(xiàn)了高的室溫表觀遷移率（>150 cm2/V s）、大的電流開(kāi)關(guān)比（>105）和較高的開(kāi)態(tài)電流（45μA/μm）。相關(guān)成果發(fā)表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。

項(xiàng)目為一種超硬的非晶四面體碳（ta-c）薄膜的制備裝置和工藝，該薄膜具有極好的物理化學(xué)特性，在碳基薄膜中，是目前國(guó)際上公認(rèn)的SP3鍵含量最高，超過(guò)85%，特性最接近天然金剛石的薄膜，硬度達(dá)到HV≥85Gpa，可見(jiàn)光和紅外光透明，透光率達(dá)97%，吸收紫外光，達(dá)98%，薄膜均勻性好，薄膜平整度達(dá)0.2nm，摩擦系數(shù)≤0.08，電阻率達(dá)（1012Ω·cm），擊穿電壓3.5×106，（），熱導(dǎo)率18（）,密度3.5（g/cm3），薄膜致密耐腐蝕作用極好。 該項(xiàng)目可用于高精度專有刀具、模具和摩擦滑動(dòng)部件，提高使用壽命，減小摩擦，如手術(shù)和美容刀具、絲錐、PCB鉆、拉絲模、沖壓模具、壓縮機(jī)滑塊，滑動(dòng)環(huán)等；用于視窗、鏡片和傳感器表面，可防止劃傷，增強(qiáng)散熱，利于紅外光傳遞，等；用于激光透鏡，可提高損傷閾值；用于射線輻射測(cè)量傳感器，可抗射線輻射損傷，提高測(cè)量的靈敏度。

 高性價(jià)比太陽(yáng)光伏電池技術(shù)，及其低成本規(guī)模化開(kāi)發(fā)應(yīng)用，是我國(guó)中長(zhǎng)期科技發(fā)展規(guī)劃中所框定的重點(diǎn)“能源領(lǐng)域”技術(shù)突破方向之一。新一代高性能柔性薄膜太陽(yáng)能電池為豐富光伏器件應(yīng)用和推廣太陽(yáng)能建筑一體化提供關(guān)鍵基礎(chǔ)，而其實(shí)現(xiàn)的核心技術(shù)在于制備高品質(zhì)、穩(wěn)定且低成本的柔性薄膜材料。本項(xiàng)目在可規(guī)模化應(yīng)用的柔性薄膜襯底上實(shí)現(xiàn)低溫晶硅薄膜外延生長(zhǎng)、分離轉(zhuǎn)移、器件優(yōu)化和先進(jìn)納米構(gòu)建框架等一系列核心技術(shù)。同時(shí)，通過(guò)融合和集成先進(jìn)納米構(gòu)建體系和材料性能調(diào)控，探索新一代高性價(jià)比薄膜光伏電池。

晶硅太陽(yáng)電池生產(chǎn)仿真實(shí)訓(xùn)讓學(xué)員以車間技術(shù)人員的身份參與整條晶硅太陽(yáng)電池產(chǎn)線的生產(chǎn)工作。學(xué)員可以按標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)流程操作車間生產(chǎn)設(shè)備、檢測(cè)生產(chǎn)樣品以及對(duì)電池生產(chǎn)進(jìn)行工藝仿真，從而深刻了解整個(gè)太陽(yáng)電池生產(chǎn)流程以及關(guān)鍵工藝參數(shù)。 一.1.1. 場(chǎng)景設(shè)計(jì) 場(chǎng)景由制絨車間、擴(kuò)散車間、后清洗車間、PECVD鍍膜車間、絲網(wǎng)印刷車間和分選包裝車間六大場(chǎng)景組成。場(chǎng)景素材從多個(gè)真實(shí)工廠采集而來(lái)，高保真還原車間設(shè)備與生產(chǎn)流程 場(chǎng)景模型主要包括：潔凈車間、制絨機(jī)、自動(dòng)上下料機(jī)、硅片、電子天平、分光光度計(jì)、電源柜、水冷機(jī)、空壓機(jī)、化學(xué)液柜、電腦，鍵盤、鼠標(biāo)、擴(kuò)散爐、石英舟、插片房、傳遞窗、純水箱、石英舟清洗槽、防毒面具、試驗(yàn)臺(tái)、緩沖墊、防化服、源瓶、氣柜、硅槳、方阻測(cè)試儀，萬(wàn)用表，石墨舟、PECVD鍍膜機(jī)、舟車、烘箱、全自動(dòng)絲網(wǎng)印刷機(jī)、網(wǎng)版、刮刀、攪拌機(jī)、槳料、夾具、接觸電阻測(cè)試儀、燒結(jié)爐、IV分選儀、硅片盒、五格花藍(lán)等... 一.1.2. 互動(dòng)設(shè)計(jì) 第一人稱視角控制主角場(chǎng)景漫游，學(xué)員可以在三維空間中自由活動(dòng)和觀察場(chǎng)景中的物體。 拾取物體操作采用3D空間實(shí)際抓取的方式，沒(méi)有采用一般游戲中的背包欄方式，而當(dāng)需要同時(shí)拾取多個(gè)物體時(shí)則提供3維工具用于裝放，采取這種方式會(huì)更加接近現(xiàn)實(shí)，使學(xué)員更真實(shí)的體驗(yàn)實(shí)際工具的存放及使用的技巧。 各生產(chǎn)車間按照真實(shí)生產(chǎn)流程設(shè)計(jì)實(shí)訓(xùn)生產(chǎn)任務(wù)，完成當(dāng)前任務(wù)后才能進(jìn)入下一個(gè)任務(wù)，每個(gè)任務(wù)記錄完成時(shí)間以及工藝仿真結(jié)果 縮略地圖實(shí)時(shí)顯示角色位置與任務(wù)點(diǎn)位置 第一人稱視角與特寫觀察視角無(wú)縫平滑撤換 機(jī)器與設(shè)置仿真控制，通過(guò)機(jī)器控制面板設(shè)置工藝參數(shù)，控制啟動(dòng)生產(chǎn)，檢測(cè)生產(chǎn)結(jié)果 表單填寫與作業(yè)報(bào)告生成 使用儀器與設(shè)備檢測(cè)生產(chǎn)樣品 操作規(guī)程與關(guān)鍵知識(shí)點(diǎn)主動(dòng)提示學(xué)習(xí) 原理動(dòng)畫演示