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高集成度光通信芯片
哈爾濱工業大學（深圳）電子與信息工程學院的徐科副教授、姚勇教授與其合作者，針對光通信芯片集成度受限的問題，通過光波導模場的精細調控，在實現多模波導低損耗和低串擾的同時，將關鍵器件的尺寸縮小了1-2個數量級。芯片支持3×112 Gbit/s高速模分復用信號的任意緊湊布線，使多模光學系統的大規模片上集成成為可能。該成果將進一步助力集成光子芯片在光通信、人工智能、高性能計算、量子信息等眾多高新領域中加速發展和應用。
哈爾濱工業大學
2021-04-14
光電探測量子芯片產業化
用于量子保密通信、近紅外探測成像、高速量子光通信、激光雷達探測。 針對單光子探測需求，提取關鍵技術參數，通過多次半導體器件仿真優化，最終得到外延結構設計。結合 13 所 自主外延生長技術與精準的鋅擴散方案，最終實現較為成功的 GM-APD 芯片。該芯片已經成功達到量子保密通信中單光子探測需求，并在安徽問天量子技術有限公司的產品中得到應用。
中國科學技術大學
2021-04-14
一種廣譜成像探測芯片
本發明公開了一種廣譜成像探測芯片。包括熱輻射結構和光敏陣列。廣譜入射光波進入熱輻射結構后，在納尖表面激勵產生等離激元，驅動圖形化金屬膜中的自由電子向納尖產生振蕩性集聚，納尖收集的自由電子與等離激元驅控下涌入的自由電子相疊合，產生壓縮性脈動，使電子急劇升溫并向周圍空域發射主要成分為可見光的熱電磁輻射，光敏陣列將熱電磁輻射轉換為電信號，經預處理后得到電子圖像數據并輸出。本發明能將廣譜入射光波基于壓縮在納空間中的高溫
華中科技大學
2021-04-14
一種多頂針芯片剝離裝置
本發明公開了一種多頂針芯片剝離裝置，包括多頂針主體機構， 安裝于 Z 向升降機構上并連接旋轉驅動機構，其包括中心頂針和外圈 頂針，外圈頂針先接觸藍膜上芯片的外緣實現預頂松，然后中心頂針 上升至外圈頂針等高并協作頂起芯片，完成芯片剝離；旋轉驅動機構， 連接多頂針主體機構，用于先后驅動外圈頂針和中心頂針上升以完成 芯片頂起動作；Z 向升降機構，安裝于三自由度微調對準機構上，停 機狀態時其處于下降位置，工作狀態其處于抬升位置，為頂起芯片做 好準備；三自由度微調對準機構，用于對多頂針主體機構進行 X、Y 和 Z 向的微調。本發明可實現頂針的快捷更換以及各頂針高度的方便 調節，芯片受力均勻，有效減少剝離過程中的芯片失效。
華中科技大學
2021-04-11
一種超薄芯片的制備方法
本發明公開了一種超薄芯片的制備方法，具體為：首先在硅晶圓表面光刻形成掩膜以暴露出需要減薄的區域，再采用刻蝕工藝對硅晶圓進行局部減薄，對減薄后的區域進行芯片后續工藝處理得到芯片，最后將芯片與硅晶圓分離。本發明只是部分減薄了硅片，所以硅晶圓的機械強度仍然可以支持硅片進行后續的加工工藝，相對于傳統的利用支撐基底來減薄芯片的方法，簡化了工藝流程，降低了工藝成本。另外由于不需要用機械研磨工藝來進行減薄，所以不會因為機械研磨對硅晶圓造成的輕微震動而使厚度不能減得過小，通過本發明可以使芯片減薄到比機械研磨方法更薄的程度。
華中科技大學
2021-04-11
鐵磁性非晶合金功能材料制備及應用
研制出了多個具有自主知識產權的鐵磁性非晶、納米晶軟磁合金材料，具有優異的力學性能、軟磁性能、耐蝕性能及對染料廢水高效降解性能，具體研究成果包括：（1）高飽和磁感低損耗納米晶軟磁合金：研制了FeSiBPCu系列納米晶軟磁合金，飽和磁感應強度達1.8T以上，1.5T/50Hz條件下的鐵損僅為0.29W/kg，是高級取向硅鋼鐵損的1/2，技術性能遠優于日本主要生產和大力推廣的FINEMET納米晶合金系列產品，在高效節能電機、無線充電系統、新能源汽車等技術領域具有廣闊市場前景；（2）鐵磁性非晶合金構件涂層：制備了厚度達9mm的非晶合金構件涂層，非晶度90[[%]]以上，孔隙率低于1[[%]]，平均硬度達976HV，內聚強度為237MPa；利用激光熔覆技術進一步改善其力學性能，斷裂強度達1800Mpa，具有優異的耐蝕性能和耐摩擦磨損性能，適用于各種功能構件的在線修復；（3）鐵基非晶合金化學性能研究：研究了FePC(Cu)、FeSiBPCu、FeBC、FeCrNbYB等非晶/納米晶合金在對染料廢水的高效降解，發現合金表面的“自更新”行為可有效提高合金的重復利用性，同時良好的熱磁調諧性使合金便于降解后的自動回收，對于實現高效、低成本處理印染廢水，解決水污染問題具有重要的應用價值。
東南大學
2021-04-11
鐵磁性非晶合金功能材料制備及應用
研制出了多個具有自主知識產權的鐵磁性非晶、納米晶軟磁合金材料，具有優異的力學性能、軟磁性能、耐蝕性能及對染料廢水高效降解性能，具體研究成果包括：（1）高飽和磁感低損耗納米晶軟磁合金：研制了FeSiBPCu系列納米晶軟磁合金，飽和磁感應強度達1.8T以上，1.5T/50Hz條件下的鐵損僅為0.29W/kg，是高級取向硅鋼鐵損的1/2，技術性能遠優于日本主要生產和大力推廣的FINEMET納米晶合金系列產品，在高效節能電機、無線充電系統、新能源汽車等技術領域具有廣闊市場前景；（2）鐵磁性非晶合金構件涂層：制備了厚度達9mm的非晶合金構件涂層，非晶度90%以上，孔隙率低于1%，平均硬度達976HV，內聚強度為237MPa；利用激光熔覆技術進一步改善其力學性能，斷裂強度達1800Mpa，具有優異的耐蝕性能和耐摩擦磨損性能，適用于各種功能構件的在線修復；（3）鐵基非晶合金化學性能研究：研究了FePC(Cu)、FeSiBPCu、FeBC、FeCrNbYB等非晶/納米晶合金在對染料廢水的高效降解，發現合金表面的“自更新”行為可有效提高合金的重復利用性，同時良好的熱磁調諧性使合金便于降解后的自動回收，對于實現高效、低成本處理印染廢水，解決水污染問題具有重要的應用價值。
東南大學
2021-04-11
化工副產物制備硫酸鈣晶須
1 成果簡介硫酸鈣晶須具有機械強度大、熱穩定性好、價格低廉等特點，是塑料、橡膠、陶瓷、水泥等材料的理想增強材料。 目前我國化工、冶金、電力等國民經濟支撐行業在生產過程中均副產大量含鈣副產物（如脫硫石膏、磷石膏、電石渣、石灰石、氯化鈣等），年產量高達數億噸。受技術經濟條件限制，這些含鈣副產物大多處于露天堆放和閑置狀態，既浪費資源、污染環境又占用大量土地。 如何實現資源的高度綜合利用，變廢為寶，將其轉化為國民經濟發展急需的量大面廣、附加值高的硫酸鈣晶須產品是一項十分有意義的工作。2 應用說明清華大學與國內相關院校合作，經過 5 年的潛心攻關，已于近期成功開發出水熱合成硫酸鈣晶須的技術。該技術的主要原料為化工副產物（如脫硫石膏、磷石膏、電石渣、石灰石、氯化鈣等），制備的硫酸鈣晶須形貌規則、結晶良好、長徑比大（長度 200~2000mm，直徑1~20mm，長徑比 50~200）、純度高（硫酸鈣晶須主含量>90~95%，與原料相關）。該技術工藝簡單，成本低廉（約 2000~4000 元/噸），所需設備大多為常規設備，具有較強的經濟和社會效益。歡迎有關單位前來洽談。目前國內類似產品售價為 2 萬元/噸。 圖1 硫酸鈣晶須形貌3 效益分析成本： <4000 元/噸， 保守售價： 10000 元/噸， 年創產值（萬元）： 10000′3000?10000=3000，年創利稅（萬元）： 3000′(10000-4000)?10000=1800。4 合作方式技術轉讓或合作開發，按年產 3 千噸中試規模計，技術開發費： 400 萬元，常溫反應及配套設備： 300 萬元，水熱反應及配套設備： 800 萬元，焙燒及配套設備： 500 萬元， 其它常規設備費（過濾、干燥、粉碎、包裝）： 300 萬元，基建： 300 萬元， 其他(管、泵、閥、控制儀表等)： 300 萬元，土地（ 30 畝）：約 500 萬元，不可預見： 200 萬元， 總投資： 3600萬元。
清華大學
2021-04-13
一種鋁基非晶甩帶裝置
本實用新型一種鋁基非晶甩帶裝置，包括箱體，所述第一電機輸出端通過輸出軸轉動連接有主動帶輪，所述箱體內腔底部位于隔離板遠離固定臺的一側固定連接有清理裝置，所述箱體內腔正面和背面中間位置轉動連接有甩帶輪，所述從動帶輪外表面通過皮帶與主動帶輪滑動連接，所述箱體內腔正面和背面位于高頻加熱器遠離橫板的一側轉動連接有調節輪，所述箱體內腔頂部固定連接有進氣口，所述箱體內腔遠離第二電機的一側內壁頂部固定連接有進氣泵，所述箱體頂部位于進料口兩側均固定連接有導料裝置，本實用新型涉及鋁基非晶加工技術領域。該裝置可及時清理
安徽建筑大學
2021-01-12
64Mb?阻變存儲器晶圓
已有樣品/n64Mb ReRAM 芯片和內嵌ReRAM IP 的SOC 由紫光國芯等單位共同設計，在實現基于ReRAM 存儲機理和單元特性的讀寫電路、芯片構架、可測試性設計、冗余設計、糾錯設計和系統訪問管理等關鍵技術方面實現了突破和創新。兩款芯片均已經在相關驗證系統完成了應用演示等相關測試，其中64Mb ReRAM 芯片可成功實現數據文件、圖形文件及多媒體文件的讀寫編輯及實時播放操作，在功耗、速度和壽命等方面取得了令人滿意的效果。
中國科學院大學
2021-01-12