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?碳納米管芯片技術
芯片是信息科技的基礎與推動力。然而，現有的硅基芯片制造技術即將觸碰其極限，碳納米管技術被認為是后摩爾技術的重要選項。相對于傳統的硅基CMOS晶體管，碳納米管晶體管具有明顯的速度和功耗綜合優勢。IBM的理論計算表明，若完全按照現有二維平面框架設計，碳納米管技術相較硅基技術具有15代、至少30年以上的優勢。此外，Stanford大學的系統層面的模擬表明，碳納米管技術還有望將常規的二維硅基芯片技術發展成為三維芯片技術，將目前的芯片綜合性能提升1000倍以上，從而將物聯網、大數據、人工智能等未來技術提升到一個全新高度。
北京大學
2021-02-01
功率MOS器件設計和制備技術
功率DMOS是一類重要的新型功率器件，具控制電路簡單、開關頻率高、可靠性好等優點，因此廣泛應用于開關電源、汽車電子、DC/DC轉換等領域，市場需求巨大，目前在功率分立器件領域占據了最大的市場份額。本團隊在功率DMOS器件的研究方面有豐富的技術積累，開展了大量前沿性研究和產業化研究，目前本團隊在功率DMOS領域累計授權發明專利超過50項，能夠量產的產品型號近百種。
電子科技大學
2021-04-10
毫米波新基片結構器件
2016國家自然科學獎二等獎，基片集成類導波結構是近十幾年來微波毫米波學界發展起來的一種新型高性能平面導波結構。基片集成類導波結構具有極低的電磁泄露和互擾，其品質因素和功率容量遠高于傳統平面傳輸線。國內外數百所大學和研究機構都對其開展了大量研究，它也成為微波毫米波領域最受關注的研究分支之一。 項目組作為國際上該領域的主要貢獻者之一，以基片集成類導波結構的工作機理與創新應用為主線，對這類結構及器件的傳輸特性、損耗機理等基礎科學問題進行了深入研究，提出了半模基片集成波導等多種新型平面導波結構，發展了相應的設計方法，并發明了一系列新型高性能微波毫米波器件，部分器件已得到實際應用。
東南大學
2021-04-11
全固態太赫茲前端關鍵器件
針對太赫茲高分辨雷達和通信系統應用需求，研究了常溫固態太赫茲連續波發射和接收的總體方案和實現技術，研究了太赫茲平面肖特基勢壘二極管非線性模型的精確模型，提出了太赫茲高效倍頻電路和低損耗分諧波接收電路的拓撲結構，掌握了太赫茲倍頻器和分諧波混頻器的優化方法，解決了固態太赫茲關鍵技術的工藝難題，突破太赫茲連續波發射和接收的關鍵技術，打破國外技術封鎖，提高自主創新能力，形成自主知識產權，相關技術水平達到國際先進，為我國太赫茲技術的發展和太赫茲系統的應用奠定技術基礎，提供技術支撐。
電子科技大學
2021-04-10
微電子器件高效冷卻技術
小試階段/n通過發展被動式和主動式冷卻技術能實現典型移動裝備和電子器件的空間冷卻需求，具體包括熱壓/風壓自然換熱冷卻、相變熱管換熱冷卻等被動式技術，半導體熱電制冷冷卻、噴射冷卻和合成射流冷卻等主動式冷卻技術,獲省自然科學一等獎。成果市場前景：有散熱需求，就有應用前景。
武漢大學
2021-01-12
電子器件的高效散熱技術
隨著微電子技術的發展，電子器件的熱流密度越來越高，散熱已成為其技術發展的主要障礙之一。本項目采用直接液體浸沒的沸騰換熱方式，開發了高效沸騰換熱微結構面，可極大幅度提高散熱性能，在電子器件溫度低于其正常操作上限溫度85oC的條件下，散熱熱流密度可達150W/cm2以上。沸騰強化換熱技術往往在微重力條件下由于氣泡難以脫離導致性能惡化而無法應用。近期在微重力條件的實驗表明該技術即使在微重力條件下，依然能充分利用熱毛細現象進行強化換熱，顯著提高換熱性能。因此，該技術可應用于地面和空間的電子器件高效散熱。
西安交通大學
2021-04-11
節水灌溉器件的快速開發技術
滴灌是節水效率最高并能實現水肥自動灌溉的精準農業灌溉技術，在蔬菜、花卉、棉花、果樹等種植中廣泛應用。滴灌系統的灌水器在使用時容易發生堵塞一直是國際上的難題。本技術針對這一難題，提出了灌水器基于迷宮流道流動特性的抗堵設計和一體化開發方法，開發了具有自主版權的專用設計軟件。應用該軟件與快速成形技術開發出系列化的新型灌水器，使開發周期顯著縮短，單循環開發時間由原來的3～5個月縮短到3～5天，而開發成本由5萬元左右降低到2千元以下。相關研究成果獲得國家技術發明二等獎。
西安交通大學
2021-04-11
新型存儲器件及集成研究
已有樣品/n面向存儲器領域國際發展前沿和國家重大需求，長期緊密合作，系統深入研究了新型存儲器機理、器件材料與結構體系、性能調控規律、可靠性表征和集成技術。取得了局域氧化還原主導的阻變模型、阻變存儲器三維集成、電荷俘獲存儲器材料和結構體系優化及可靠性表征等系列原創性科技成果，獲得了國內外同行的廣泛引用和高度評價。獲得了具有自主產權的新型存儲器件及集成解決方案，主要發明專利和技術研究成果轉移到國內知名集成電路制造企業。
中國科學院大學
2021-01-12
高遷移率溝道MOS?器件
已有樣品/nCMOS 研究團隊創新性地在high-k/InGaAs 界面插入極薄外延InP 層， 將high-k/InGaAs 的界面缺陷有效推移至high-k/InP 之間。通過采用多硫化氨[(NH4)2Sx]對InP 進行表面鈍化處理并結合低溫原子層高k 介質沉積技術，有效抑制了在介質沉積以及金屬化后退火過程中的表面氧化和磷原子脫附效應，成功將high-k/InP 界面的最低缺陷密度降低至2 × 1011 cm-2eV-1 ， 有效克服了
中國科學院大學
2021-01-12
高速光收發器件與模塊
可以量產/n該項目帶寬寬，可以覆蓋Ku以下所有頻段，并向Ka頻段發展；線性度高，模擬通信不失真；動態范圍大，激光輸出功率高，相對強度噪聲低。可靠性高，全金屬化耦合焊接，提高了可靠性和壽命。市場預期：該項目產品主要應用領域是通信，目前國內市場需求大于300億人民幣。隨著國家寬帶戰略的實施和物聯網的發展，未來5-10年將以大于30%/年的速度遞增。到2020年將大于1000億元人民幣。
中國科學院大學
2021-01-12