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本項目研究了超材料的電磁特性、基于超材料的反向切倫科夫輻射、基于納米材料冷陰極的場發(fā)射特性以及它們在高效率、高功率和高頻率的真空電子器件中的應(yīng)用。相關(guān)SCI論文共計153篇，SCIE數(shù)據(jù)庫中的他引次數(shù)為1058次，代表性論文被《自然-納米技術(shù)》、《物理評論快報》、《先進材料》等國際頂級期刊上發(fā)表的SCI論文他引157次。這些學(xué)術(shù)成果解決了真空電子器件所面臨的核心科學(xué)問題，在國際真空電子學(xué)領(lǐng)域產(chǎn)生了重大的影響。

本發(fā)明涉及光伏并網(wǎng)逆變器技術(shù)領(lǐng)域。包括由功率電路組成的功率逆變單元和逆變控制單元兩部分，功率逆變單元主要包括輸入EMI 濾波電路、交錯并聯(lián) Boost 升壓電路、采用混合器件的全橋逆變電路、輸出并網(wǎng)濾波電路，逆變控制單元主要包括電網(wǎng)相位檢測電路、采樣電路、及控制器。本發(fā)明采用雙級結(jié)構(gòu)，前級采用交錯并聯(lián) Boost升壓，減小了電流的波動，降低了輸出電壓紋波；后級逆變單元采用混合功率器件，有效減小了逆變損耗，提高系統(tǒng)效率

本發(fā)明公開了一種可重復(fù)利用柔性有機電致發(fā)光器件，從下至上依次包括印有圖文信息的塑料薄膜 層、不干膠層、陽極層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極層；所述的不干膠層通過滾涂方式粘 附在陽極層上；所述陽極層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極層通過真空蒸鍍方式緊密貼合在 一起，所述的塑料薄膜層與不干膠層可反復(fù)剝離與粘結(jié)地貼合在一起。本發(fā)明所制得的柔性有機電致發(fā) 光器件作為薄型燈箱的光源，可以通過塑料薄膜層的反復(fù)剝離與粘結(jié)達到重復(fù)使用的目的，使圖

本成果以原有的直寫型3D打印技術(shù)為基礎(chǔ)，通過對于現(xiàn)有3D打印技術(shù)的進一步開發(fā)，實現(xiàn)簡便，高效的微結(jié)構(gòu)構(gòu)筑技術(shù)。實現(xiàn)微結(jié)構(gòu)納米晶器件的高效構(gòu)筑，進一步提升器件的光溢出效率。 一、項目分類 關(guān)鍵核心技術(shù)突破 二、技術(shù)分析 成果源于國家自然科學(xué)基金“異價摻雜量子點的合成、聚合物基復(fù)合塊體3D打印制造與性能研究”，項目編號51872030。本成果以原有的直寫型3D打印技術(shù)為基礎(chǔ)，通過對于現(xiàn)有3D打印技術(shù)的進一步開發(fā)，實現(xiàn)簡便，高效的微結(jié)構(gòu)構(gòu)筑技術(shù)。實現(xiàn)微結(jié)構(gòu)納米晶器件的高效構(gòu)筑，進一步提升器件的光溢出效率。傳統(tǒng)發(fā)光器件由于器件材料的折射率高于空氣，光從器件內(nèi)部向空氣傳播時，部分光會在器件的內(nèi)表面發(fā)生全反射，從而無法實現(xiàn)高效的光溢出效果。2017年，Nature Photonics上報道的塊體熒光器件內(nèi)部發(fā)出的光大量的在器件邊緣聚集（75%），正面與背面光溢出量的總和僅僅為25%(Nature Photonics, 2017,11,177-185.)。本成果以器件內(nèi)部微結(jié)構(gòu)構(gòu)筑為基礎(chǔ)，通過微結(jié)構(gòu)在器件內(nèi)部的全反射界面構(gòu)筑，改變光在材料內(nèi)部的傳輸路徑，實現(xiàn)器件正面的光溢出效果增強。 本專利的高光溢出效果可以廣泛的應(yīng)用于激光器、LED照明領(lǐng)域，提升能源利用效率。目前本專利可以將塊體材料單側(cè)約為~25%的溢出效率提升至~80%，約為3.2倍的提升。保守估計將此技術(shù)用于實際器件中，可以實現(xiàn)2倍以上的提升，這就意味著對于能源的消耗可以降低至原有的50%。照明約占全球能源消耗的15%-19%，全球溫室氣體排放的5%-6%。據(jù)統(tǒng)計2021年，全球照明市場總市值達到8089億元。照明技術(shù)是任何一個國家與地區(qū)都不可或缺的，高效的照明技術(shù)不僅可以為解決全球的能源危機提供有效解決途徑，同時為減少碳排放作出巨大貢獻，產(chǎn)生巨大的經(jīng)濟效益。

課題組基于NiO生長工藝和異質(zhì)PN的前期研究基礎(chǔ)（Weibing Hao, et.al., Applied Physics Letters, 118, 043501, 2021），設(shè)計了結(jié)終端擴展結(jié)構(gòu)（Junction Termination Extension, JTE），并優(yōu)化退火工藝，成功制備出耐高壓且耐高溫的氧化鎵異質(zhì)結(jié)二極管。

傳統(tǒng)PZT壓電陶瓷應(yīng)用廣泛，但在居里溫度較低，環(huán)境溫度較高時，PZT陶瓷樣品極易退極化。隨著壓電材料的應(yīng)用范圍的進一步拓展，一些極端條件對壓電陶瓷的應(yīng)用提出了新的挑戰(zhàn)。北京大學(xué)工學(xué)院實驗室利用高居里點的鈧酸鉍 - 鈦酸鉛壓電陶瓷制備了基于 d31模式和d33模式的應(yīng)用于高溫環(huán)境中的壓電振動能量回收器，器件可以穩(wěn)定地工作在 150℃以上的高溫環(huán)境中。高溫下由于電疇被活化，器件的壓電系數(shù)和相應(yīng)的輸出功率比室溫時提高一倍以上。 與壓電能量回收器不同的是，壓電驅(qū)動器是一種利用壓電效應(yīng)，將電能轉(zhuǎn)化為機械能實現(xiàn)納米級驅(qū)動的器件，壓電驅(qū)動器利用壓電材料的準靜態(tài)逆壓電效應(yīng)實現(xiàn)10微米至100微米的微小位移；同時，還可以利用壓電陶瓷的高溫諧振動效應(yīng)制備高溫壓電馬達。

本申請涉及一種實現(xiàn)微型LED顯示器件封裝制作方法，通過設(shè)計新型的微型LED陣列顯示器件結(jié)構(gòu)，結(jié)合電極外引光刻工藝與貼片封裝工藝，以進行微型LED陣列顯示器件與驅(qū)動電路板的封裝集成。一方面通過制備電極外引結(jié)構(gòu)，可以增大像素的電極面積，使得貼片鍵合過程更容易操作且精確度更高，有效簡化鍵合的步驟；另一方面結(jié)合漏印錫膏技術(shù)，將芯片與基板鍵合，減少金線或者合金等物料的使用，并且通過采用芯片高像素密度陣列式制作，提升生產(chǎn)效率，并降低生產(chǎn)成本。

本發(fā)明涉及一種具有存儲功能的晶體管器件的應(yīng)用，屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。針對現(xiàn)有二維電荷陷阱存儲器中因缺乏合適電荷陷阱介質(zhì)導(dǎo)致的可靠性差及集成度低等問題，本發(fā)明提出采用二維碘化鉛（PbI<subgt;2</subgt;）作為電荷陷阱層，利用其天然存在的碘空位缺陷實現(xiàn)高效電荷捕獲。所述器件由二維半導(dǎo)體材料（如WSe<subgt;2</subgt;）與PbI<subgt;2</subgt;通過范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)集成，形成柵控存儲單元。該器件具有大存儲窗口、高開關(guān)比、快速寫入速度、多級存儲能力、高久性及長數(shù)據(jù)保持時間。本發(fā)明為高集成度、低功耗非易失性存儲器提供了創(chuàng)新解決方案。

本發(fā)明公開了一種微型皮拉尼計的制備方法及其與體硅器件集成加工的方法。集成加工的方法包括：在硅基片正面制備體硅器件所需的絕緣層及電路引線；在硅基片的背面或正面沉積一層絕緣隔熱材料，刻蝕去除其四周部分得到絕緣隔熱層；在絕緣隔熱層上制備加熱體和電極；在沒有加熱體的一面制備圖形化的光刻膠掩膜；在有加熱體的一面沉積金屬膜；將金屬膜粘貼在表面有氧化層的硅托片上；對有光刻膠掩膜的一面進行感應(yīng)耦合等離子體干法刻蝕，刻穿硅基片；去除光刻膠掩膜和金屬膜，得到集成結(jié)構(gòu)。本發(fā)明能有效提高皮拉尼計的制備與其它工藝的兼容性，解決皮拉尼計與體硅器件集成封裝工藝難度大，風(fēng)險高，成本高且產(chǎn)量低的技術(shù)問題。

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