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本發明涉及一種數字航空攝影系統,包括一帶有可控快門的大口徑光學鏡頭和一內視場拼接數字成像后背內視場拼接數字成像后背包括單面散射光學器件、光電轉換模塊、多路數據存儲模塊和總控模塊單面散射光學器件置于大口徑光學鏡頭成像面處光電轉換模塊置于單面散射光學器件之后,包括CCD 成像傳感器陣列、脈沖發生器、驅動器和A/D 轉換器成像傳感器陣列還包括一個獨立的高速視頻圖像采集裝置總控模塊包括一核心控制器、多個成像控制器、人機界面設備、視頻切換單元、大口徑鏡頭快門觸發單元成像傳感器陣列的光電轉換與快門觸發單元聯動控制。 本發明成像光路示意圖

高吸水性樹脂是一類具有高吸水保水性能的高分子材料，已在醫用衛生、農林園藝等眾多領域扮演重要角色。理想的高吸水性樹脂應具備高吸水能力、高吸水速率、良好的機械強度；本項目開發的多孔性高吸水性樹脂在吸水能力和吸水速率上具有很大優勢。項目內容主要包括基于聚丙烯酸（鈉）-丙烯酰胺高吸水性樹脂的生產技術，可獲得同時具有高吸水/鹽水倍率和速率的簇狀多孔高吸水性微球樹脂。

甘薯新品種渝紫香10號系2016年重慶市品種審定委員會鑒定紫薯品   種，具有產量高、大薯率較高、花色苜含量高、適口性好、抗病性好等特點,是鮮食、花色昔加工專用品種。具體指標如下: 1. 生長勢及植株形態：紫薯型品系，萌芽性優，中長蔓，最長蔓長257.3cm ,莖粗0.51cm ,莖端茸毛中，平均分枝數5.4個,葉片心形帶齒,頂葉和成年葉^色、葉脈綠色,莖色綠色。 2. 塊根形態:結薯性較好，結薯集中；單株結薯數3.5個;薯形中膨   紡形，深紅皮紫肉，薯干紫色。上薯率79.88%，大薯率較高。 3. 品質：該品系薯塊烘干率27.71%、淀粉含量17.75%.薯塊花色昔含量26.85mg/100g鮮薯,適合作鮮食、花色苜加工專用品種。 4. 產量:TS畝產1400-2200kg ,高產可達2500kg。 5. 抗病性與貯藏性:抗黑斑病,藥劑浸種后宜貯藏。 6. 生育期:全生育期150天左右。 7. 種植區域:重慶市甘薯主產區。

研發階段/n用波利馬細胞質雄性不育系"2063A"與恢復系"05-P71-2"配組育成的三系雜交油菜品種。屬半冬性甘藍型油菜。株型緊湊，株高中等，生長勢強，抗倒性較強，分枝性中等。苗期生長較慢，半直立，葉片缺刻較深，葉色濃綠；薹期生長勢較強。莖綠色，花黃色，花瓣相互重疊。結莢性較好，籽粒中等大小。區域試驗中株高176.4厘米，單株有效角果數323.3個，每角粒數20.3粒，千粒重3.63克。菌核病發病率12.91%，病指8.06；病毒病發病率0.75%，病指0.53。出苗至成熟216.7天，與中油雜

研發階段/n培兩優1108是一個優質、抗白葉枯病、抗倒伏的兩系雜交稻組合，2007年通過湖北省審定。母本是培矮64S、父本是通過分子標記輔助選擇育種技術轉入IRBB21的Xa21基因的華1108。區域試驗產量8.23噸/公頃，與三系對照組合相當。糙米率80.2％，精米率70.1%，整精米率57.0%，堊白率18%，直鏈淀粉含量21.4%，膠稠度60mm，長寬比3.0。株高110cm，抗倒性強、適合機械收割。全生育期平均142天，在湖北主要作中稻種植。

XM-D018心臟傳導系電動模型 ? XM-D018心臟傳導系電動模型展示傳導系與心電圖，是按成人心臟放大，主要示心臟的外形與其連接的大血管，左、右心房，左、右心室中的結構，心臟的血管，心臟傳導系是在此基礎上顯示出來的，傳導系統包括竇房結、 結間束、房室結、房室束，左、右束支和浦肯野纖維等。 ? 一、顯示內容： ■ 燈光顯示心臟傳系各組成部分的位置分布（竇房結、結間束、房室結、房室束、右束支以及變異的副傳導束等）。 ■ 二十種心律的心電圖，并與相應的心臟傳導系統同時顯示，以表示二者之間的關系。 ? 二、技術參數： ■ 尺寸：按1:2放大，40×40×9cm ■ 材質：PVC材料+木框 ? 三、標準配置： ■ XM-D018心臟傳導系電動模型：1臺 ■ 電源線：1根 ■ 說明書：1冊 ■ 保修卡合格證：1張

        研發團隊針對高性能、抗靜電熱控涂層材料開展自主科研攻關，研發出具有自主知識產權的白色氧化鋅導電粉體，與相關企業合作建立了100Kg級導電粉體中試生產線，完成了粉體批次穩定性驗證，突破了批量制備導電粉體穩定性差的瓶頸，形成了一套高性能白色氧化物導電粉體的標準生產工藝。產品技術指標經權威檢測機構檢驗達到或超過進口產品水平，并已通過國家航天領域應用驗證。同時，產品原料及生產成本遠低于進口產品，有望在我國民用市場普及。產品可應用于汽車、電子、紡織、橡膠和化工等領域的防靜電、節能、電磁屏蔽等，如輪胎橡膠添加劑、紅外反射涂層、防靜電涂層等，市場前景廣闊。         意向開展成果轉化的前提條件：中試放大及產業化工藝開發資金支持

本團隊基于電磁冶金領域二十余年的積累，掌握了銅合金領域最具挑戰性的銅鉻鋯合金的非真空熔煉-長尺寸大卷重電磁連鑄技術，開發出易偏析銅合金合金超細化與均質化連鑄技術、高性能銅合金多模式定制磁場凈化技術等一系列具有自主知識產權的核心技術。 一、項目分類 關鍵核心技術突破、顯著效益成果轉化 二、成果簡介 本團隊基于電磁冶金領域二十余年的積累，掌握了銅合金領域最具挑戰性的銅鉻鋯合金的非真空熔煉-長尺寸大卷重電磁連鑄技術，開發出易偏析銅合金合金超細化與均質化連鑄技術、高性能銅合金多模式定制磁場凈化技術等一系列具有自主知識產權的核心技術。相關技術應用于高強高導高彈銅合金領域如銅鉻鋯合金、銅鎳錫合金、銅鈦合金、銅碲合金及超高純無氧銅的規模化制備等都取得較好的效果。 1）銅鉻鋯非真空熔煉-電磁連鑄技術 由于鉻、鋯元素和氧的親和力較大，所以合金元素的燒損是銅鉻鋯合金的熔煉必須解決的問題。本項目團隊在銅合金熔煉，特別是銅鉻鋯合金的非真空熔煉方面，開展了近20年的研究，開發了一系列具有自主知識產權的非真空熔煉連鑄技術、成分穩定控制技術、合金熔體潔凈化技術等，獲授權發明專利和實用新型專利近20項。本團隊已在完成中試級表面光滑、內部致密無裂紋、成分均勻的全等軸晶銅鉻鋯棒線材，鑄態宏觀晶粒度經上海材料研究所測定為M-9.0級。此外，本團隊從前期研究中，從塑形變形工藝和熱處理工藝角度，提出采用多道次連續擠壓及熱處理工藝優化銅鉻鋯合金想性能的方法，并成功將銅鉻鋯棒材性能的抗拉強度提高到654MPa，斷后延伸率為13.5%，且電導率還能保持在79.3%IACS；這遠遠高于2017年電車線用銅鉻鋯合金線材國家標準的性能要求：抗拉強度＞570MPa，塑性＞3%，電導率＞75%IACS。相關技術已與世界五百強新興際華集團下屬新興發展集團有限公司達成1800萬元專利轉讓。 2）高均質超細晶電磁連鑄技術 傳統連鑄制備過程中多元銅合金如銅鉻鋯合金等常存在組織粗大、成分偏析等問題，這將會嚴重影響后續的材料加工過程，導致在后續的軋制，擠壓等工藝過程中很容易產生軋制裂紋等缺陷。本團隊開發的電磁場連鑄過程易偏析合金超細化與均質化調控技術，能在連鑄過程中，充分攪拌熔體，均勻化凝固前沿溫度，實現易偏析合金的超細化與均質化。該技術已被應用于銅鎳錫合金的連鑄中，實現了該合金連鑄制備的超細化和均質化，所制備全等軸晶銅鎳錫合金鑄態組織宏觀晶粒度達到M-10.0級。目前該技術已實現中試級百米長度的連續電磁鑄造，且已與寧波博威、上海中船重工711研究所、銅陵金威、溫州元鼎等開展合作。進一步將該技術推廣于銅碲、銅鐵、銅鈦的連鑄，均取得了極為優異的細晶、表面光潔、成分均勻的連鑄效果。 3）超高純無氧銅電磁連鑄技術 金屬材料純凈度是提高其力學和電學等綜合性能的關鍵因素，是制備高品質金屬材料的關鍵環節。高端金屬材料中夾雜物和氣泡對材料性能影響巨大，許多高端金屬材料的開發都取決于這類缺陷的控制水平。本團隊參與開發的金屬連鑄多模式定制磁場凈化技術，已成功應用于高純高導無氧銅材料的制備，可將銅中氧含量中降低3ppm以下，達到目前世界無氧銅的最高標準——美國ASTM≤3ppm。與此同時，該高純無氧銅的電導率高達100.1%IACS，目前已全面取代進口并用于我國蘭州重離子加速器、散裂中子源大科學裝置、美國Michigan大學FRIB裝置等重大科學裝置建設。該項技術已獲得2015年度上海市技術發明一等獎，2015年度教育部自然科學二等獎，2015年度教育部技術進步二等獎等獎項。目前該技術已與福建紫金銅業、上海上大眾鑫科技發展有限公司、寧波興業、寧波金田等開展深入合作。

集成電路是微電子技術的核心，與國防和國民經濟現代化, 乃至人們的文化生活都息息相關。集成電路由芯片和框架經封裝而成, 其中框架既是骨架又是半導體芯片與外界的聯接電路, 是芯片的散熱通道, 又是連結電路板的橋梁, 因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度, 高集成化方向發展, 芯片的散熱問題已成為突出矛盾。集成電路大規模和超大規模的迅速推進，對集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料, 利用銅合金優良的傳熱性能, 加入少量強化元素, 通過固溶強化和彌散強化提高其強度, 同時僅稍微損失導熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強中導、高強中導、高強高導合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關鍵技術與國外先進水平有較大差距，我國所使用的大規模集成電路引線框架材料長期以來都是依靠進口。目前，本課題組通過一系列研究，開發了具有自主知識產權的Cu-Ni-Si系合金，并實現了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國產化大規模生產。 一、Cu-Ni-Si系銅合金主要性能指標 1.抗拉強度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.導電率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系銅合金主要性能指標 1.抗拉強度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.導電率：60～80%IACS。

集成電路是微電子技術的核心，與國防和國民經濟現代化，乃至人們的文化生活都息息相關。集成電路由芯片和框架經封裝而成，其中框架既是骨架又是半導體芯片與外界的聯接電路，是芯片的散熱通道，又是連結電路板的橋梁，因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度，高集成化方向發展，芯片的散熱問題已成為突出矛盾。集成電路大規模和超大規模的迅速推進，對集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料，利用銅合金優良的傳熱性能，加入少量強化元素，通過固溶強化和彌散強化提高其強度，同時僅稍微損失導熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強中導、高強中導、高強高導合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關鍵技術與國外先進水平有較大差距，我國所使用的大規模集成電路引線框架材料長期以來都是依靠進口。目前，本課題組通過一系列研究，開發了具有自主知識產權的Cu-Ni-Si系合金，并實現了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國產化大規模生產。