太阳城集团亚洲娱乐城-澳门太阳城集团娱乐城最新地址_百家乐电影网_全讯网xb112 (中国)·官方网站

本發(fā)明涉及一種數(shù)字航空攝影系統(tǒng),包括一帶有可控快門(mén)的大口徑光學(xué)鏡頭和一內(nèi)視場(chǎng)拼接數(shù)字成像后背內(nèi)視場(chǎng)拼接數(shù)字成像后背包括單面散射光學(xué)器件、光電轉(zhuǎn)換模塊、多路數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊和總控模塊單面散射光學(xué)器件置于大口徑光學(xué)鏡頭成像面處光電轉(zhuǎn)換模塊置于單面散射光學(xué)器件之后,包括CCD 成像傳感器陣列、脈沖發(fā)生器、驅(qū)動(dòng)器和A/D 轉(zhuǎn)換器成像傳感器陣列還包括一個(gè)獨(dú)立的高速視頻圖像采集裝置總控模塊包括一核心控制器、多個(gè)成像控制器、人機(jī)界面設(shè)備、視頻切換單元、大口徑鏡頭快門(mén)觸發(fā)單元成像傳感器陣列的光電轉(zhuǎn)換與快門(mén)觸發(fā)單元聯(lián)動(dòng)控制。 本發(fā)明成像光路示意圖

高吸水性樹(shù)脂是一類(lèi)具有高吸水保水性能的高分子材料，已在醫(yī)用衛(wèi)生、農(nóng)林園藝等眾多領(lǐng)域扮演重要角色。理想的高吸水性樹(shù)脂應(yīng)具備高吸水能力、高吸水速率、良好的機(jī)械強(qiáng)度；本項(xiàng)目開(kāi)發(fā)的多孔性高吸水性樹(shù)脂在吸水能力和吸水速率上具有很大優(yōu)勢(shì)。項(xiàng)目?jī)?nèi)容主要包括基于聚丙烯酸（鈉）-丙烯酰胺高吸水性樹(shù)脂的生產(chǎn)技術(shù)，可獲得同時(shí)具有高吸水/鹽水倍率和速率的簇狀多孔高吸水性微球樹(shù)脂。

甘薯新品種渝紫香10號(hào)系2016年重慶市品種審定委員會(huì)鑒定紫薯品   種，具有產(chǎn)量高、大薯率較高、花色苜含量高、適口性好、抗病性好等特點(diǎn),是鮮食、花色昔加工專(zhuān)用品種。具體指標(biāo)如下: 1. 生長(zhǎng)勢(shì)及植株形態(tài)：紫薯型品系，萌芽性?xún)?yōu)，中長(zhǎng)蔓，最長(zhǎng)蔓長(zhǎng)257.3cm ,莖粗0.51cm ,莖端茸毛中，平均分枝數(shù)5.4個(gè),葉片心形帶齒,頂葉和成年葉^色、葉脈綠色,莖色綠色。 2. 塊根形態(tài):結(jié)薯性較好，結(jié)薯集中；單株結(jié)薯數(shù)3.5個(gè);薯形中膨   紡形，深紅皮紫肉，薯干紫色。上薯率79.88%，大薯率較高。 3. 品質(zhì)：該品系薯塊烘干率27.71%、淀粉含量17.75%.薯塊花色昔含量26.85mg/100g鮮薯,適合作鮮食、花色苜加工專(zhuān)用品種。 4. 產(chǎn)量:TS畝產(chǎn)1400-2200kg ,高產(chǎn)可達(dá)2500kg。 5. 抗病性與貯藏性:抗黑斑病,藥劑浸種后宜貯藏。 6. 生育期:全生育期150天左右。 7. 種植區(qū)域:重慶市甘薯主產(chǎn)區(qū)。

研發(fā)階段/n用波利馬細(xì)胞質(zhì)雄性不育系"2063A"與恢復(fù)系"05-P71-2"配組育成的三系雜交油菜品種。屬半冬性甘藍(lán)型油菜。株型緊湊，株高中等，生長(zhǎng)勢(shì)強(qiáng)，抗倒性較強(qiáng)，分枝性中等。苗期生長(zhǎng)較慢，半直立，葉片缺刻較深，葉色濃綠；薹期生長(zhǎng)勢(shì)較強(qiáng)。莖綠色，花黃色，花瓣相互重疊。結(jié)莢性較好，籽粒中等大小。區(qū)域試驗(yàn)中株高176.4厘米，單株有效角果數(shù)323.3個(gè)，每角粒數(shù)20.3粒，千粒重3.63克。菌核病發(fā)病率12.91%，病指8.06；病毒病發(fā)病率0.75%，病指0.53。出苗至成熟216.7天，與中油雜

研發(fā)階段/n培兩優(yōu)1108是一個(gè)優(yōu)質(zhì)、抗白葉枯病、抗倒伏的兩系雜交稻組合，2007年通過(guò)湖北省審定。母本是培矮64S、父本是通過(guò)分子標(biāo)記輔助選擇育種技術(shù)轉(zhuǎn)入IRBB21的Xa21基因的華1108。區(qū)域試驗(yàn)產(chǎn)量8.23噸/公頃，與三系對(duì)照組合相當(dāng)。糙米率80.2％，精米率70.1%，整精米率57.0%，堊白率18%，直鏈淀粉含量21.4%，膠稠度60mm，長(zhǎng)寬比3.0。株高110cm，抗倒性強(qiáng)、適合機(jī)械收割。全生育期平均142天，在湖北主要作中稻種植。

XM-D018心臟傳導(dǎo)系電動(dòng)模型 ? XM-D018心臟傳導(dǎo)系電動(dòng)模型展示傳導(dǎo)系與心電圖，是按成人心臟放大，主要示心臟的外形與其連接的大血管，左、右心房，左、右心室中的結(jié)構(gòu)，心臟的血管，心臟傳導(dǎo)系是在此基礎(chǔ)上顯示出來(lái)的，傳導(dǎo)系統(tǒng)包括竇房結(jié)、 結(jié)間束、房室結(jié)、房室束，左、右束支和浦肯野纖維等。 ? 一、顯示內(nèi)容： ■ 燈光顯示心臟傳系各組成部分的位置分布（竇房結(jié)、結(jié)間束、房室結(jié)、房室束、右束支以及變異的副傳導(dǎo)束等）。 ■ 二十種心律的心電圖，并與相應(yīng)的心臟傳導(dǎo)系統(tǒng)同時(shí)顯示，以表示二者之間的關(guān)系。 ? 二、技術(shù)參數(shù)： ■ 尺寸：按1:2放大，40×40×9cm ■ 材質(zhì)：PVC材料+木框 ? 三、標(biāo)準(zhǔn)配置： ■ XM-D018心臟傳導(dǎo)系電動(dòng)模型：1臺(tái) ■ 電源線(xiàn)：1根 ■ 說(shuō)明書(shū)：1冊(cè) ■ 保修卡合格證：1張

        研發(fā)團(tuán)隊(duì)針對(duì)高性能、抗靜電熱控涂層材料開(kāi)展自主科研攻關(guān)，研發(fā)出具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的白色氧化鋅導(dǎo)電粉體，與相關(guān)企業(yè)合作建立了100Kg級(jí)導(dǎo)電粉體中試生產(chǎn)線(xiàn)，完成了粉體批次穩(wěn)定性驗(yàn)證，突破了批量制備導(dǎo)電粉體穩(wěn)定性差的瓶頸，形成了一套高性能白色氧化物導(dǎo)電粉體的標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)工藝。產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)經(jīng)權(quán)威檢測(cè)機(jī)構(gòu)檢驗(yàn)達(dá)到或超過(guò)進(jìn)口產(chǎn)品水平，并已通過(guò)國(guó)家航天領(lǐng)域應(yīng)用驗(yàn)證。同時(shí)，產(chǎn)品原料及生產(chǎn)成本遠(yuǎn)低于進(jìn)口產(chǎn)品，有望在我國(guó)民用市場(chǎng)普及。產(chǎn)品可應(yīng)用于汽車(chē)、電子、紡織、橡膠和化工等領(lǐng)域的防靜電、節(jié)能、電磁屏蔽等，如輪胎橡膠添加劑、紅外反射涂層、防靜電涂層等，市場(chǎng)前景廣闊。         意向開(kāi)展成果轉(zhuǎn)化的前提條件：中試放大及產(chǎn)業(yè)化工藝開(kāi)發(fā)資金支持

本團(tuán)隊(duì)基于電磁冶金領(lǐng)域二十余年的積累，掌握了銅合金領(lǐng)域最具挑戰(zhàn)性的銅鉻鋯合金的非真空熔煉-長(zhǎng)尺寸大卷重電磁連鑄技術(shù)，開(kāi)發(fā)出易偏析銅合金合金超細(xì)化與均質(zhì)化連鑄技術(shù)、高性能銅合金多模式定制磁場(chǎng)凈化技術(shù)等一系列具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)。 一、項(xiàng)目分類(lèi) 關(guān)鍵核心技術(shù)突破、顯著效益成果轉(zhuǎn)化 二、成果簡(jiǎn)介 本團(tuán)隊(duì)基于電磁冶金領(lǐng)域二十余年的積累，掌握了銅合金領(lǐng)域最具挑戰(zhàn)性的銅鉻鋯合金的非真空熔煉-長(zhǎng)尺寸大卷重電磁連鑄技術(shù)，開(kāi)發(fā)出易偏析銅合金合金超細(xì)化與均質(zhì)化連鑄技術(shù)、高性能銅合金多模式定制磁場(chǎng)凈化技術(shù)等一系列具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)。相關(guān)技術(shù)應(yīng)用于高強(qiáng)高導(dǎo)高彈銅合金領(lǐng)域如銅鉻鋯合金、銅鎳錫合金、銅鈦合金、銅碲合金及超高純無(wú)氧銅的規(guī)模化制備等都取得較好的效果。 1）銅鉻鋯非真空熔煉-電磁連鑄技術(shù) 由于鉻、鋯元素和氧的親和力較大，所以合金元素的燒損是銅鉻鋯合金的熔煉必須解決的問(wèn)題。本項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)在銅合金熔煉，特別是銅鉻鋯合金的非真空熔煉方面，開(kāi)展了近20年的研究，開(kāi)發(fā)了一系列具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的非真空熔煉連鑄技術(shù)、成分穩(wěn)定控制技術(shù)、合金熔體潔凈化技術(shù)等，獲授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利和實(shí)用新型專(zhuān)利近20項(xiàng)。本團(tuán)隊(duì)已在完成中試級(jí)表面光滑、內(nèi)部致密無(wú)裂紋、成分均勻的全等軸晶銅鉻鋯棒線(xiàn)材，鑄態(tài)宏觀晶粒度經(jīng)上海材料研究所測(cè)定為M-9.0級(jí)。此外，本團(tuán)隊(duì)從前期研究中，從塑形變形工藝和熱處理工藝角度，提出采用多道次連續(xù)擠壓及熱處理工藝優(yōu)化銅鉻鋯合金想性能的方法，并成功將銅鉻鋯棒材性能的抗拉強(qiáng)度提高到654MPa，斷后延伸率為13.5%，且電導(dǎo)率還能保持在79.3%IACS；這遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于2017年電車(chē)線(xiàn)用銅鉻鋯合金線(xiàn)材國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的性能要求：抗拉強(qiáng)度＞570MPa，塑性＞3%，電導(dǎo)率＞75%IACS。相關(guān)技術(shù)已與世界五百?gòu)?qiáng)新興際華集團(tuán)下屬新興發(fā)展集團(tuán)有限公司達(dá)成1800萬(wàn)元專(zhuān)利轉(zhuǎn)讓。 2）高均質(zhì)超細(xì)晶電磁連鑄技術(shù) 傳統(tǒng)連鑄制備過(guò)程中多元銅合金如銅鉻鋯合金等常存在組織粗大、成分偏析等問(wèn)題，這將會(huì)嚴(yán)重影響后續(xù)的材料加工過(guò)程，導(dǎo)致在后續(xù)的軋制，擠壓等工藝過(guò)程中很容易產(chǎn)生軋制裂紋等缺陷。本團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)的電磁場(chǎng)連鑄過(guò)程易偏析合金超細(xì)化與均質(zhì)化調(diào)控技術(shù)，能在連鑄過(guò)程中，充分?jǐn)嚢枞垠w，均勻化凝固前沿溫度，實(shí)現(xiàn)易偏析合金的超細(xì)化與均質(zhì)化。該技術(shù)已被應(yīng)用于銅鎳錫合金的連鑄中，實(shí)現(xiàn)了該合金連鑄制備的超細(xì)化和均質(zhì)化，所制備全等軸晶銅鎳錫合金鑄態(tài)組織宏觀晶粒度達(dá)到M-10.0級(jí)。目前該技術(shù)已實(shí)現(xiàn)中試級(jí)百米長(zhǎng)度的連續(xù)電磁鑄造，且已與寧波博威、上海中船重工711研究所、銅陵金威、溫州元鼎等開(kāi)展合作。進(jìn)一步將該技術(shù)推廣于銅碲、銅鐵、銅鈦的連鑄，均取得了極為優(yōu)異的細(xì)晶、表面光潔、成分均勻的連鑄效果。 3）超高純無(wú)氧銅電磁連鑄技術(shù) 金屬材料純凈度是提高其力學(xué)和電學(xué)等綜合性能的關(guān)鍵因素，是制備高品質(zhì)金屬材料的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。高端金屬材料中夾雜物和氣泡對(duì)材料性能影響巨大，許多高端金屬材料的開(kāi)發(fā)都取決于這類(lèi)缺陷的控制水平。本團(tuán)隊(duì)參與開(kāi)發(fā)的金屬連鑄多模式定制磁場(chǎng)凈化技術(shù)，已成功應(yīng)用于高純高導(dǎo)無(wú)氧銅材料的制備，可將銅中氧含量中降低3ppm以下，達(dá)到目前世界無(wú)氧銅的最高標(biāo)準(zhǔn)——美國(guó)ASTM≤3ppm。與此同時(shí)，該高純無(wú)氧銅的電導(dǎo)率高達(dá)100.1%IACS，目前已全面取代進(jìn)口并用于我國(guó)蘭州重離子加速器、散裂中子源大科學(xué)裝置、美國(guó)Michigan大學(xué)FRIB裝置等重大科學(xué)裝置建設(shè)。該項(xiàng)技術(shù)已獲得2015年度上海市技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)，2015年度教育部自然科學(xué)二等獎(jiǎng)，2015年度教育部技術(shù)進(jìn)步二等獎(jiǎng)等獎(jiǎng)項(xiàng)。目前該技術(shù)已與福建紫金銅業(yè)、上海上大眾鑫科技發(fā)展有限公司、寧波興業(yè)、寧波金田等開(kāi)展深入合作。

集成電路是微電子技術(shù)的核心，與國(guó)防和國(guó)民經(jīng)濟(jì)現(xiàn)代化, 乃至人們的文化生活都息息相關(guān)。集成電路由芯片和框架經(jīng)封裝而成, 其中框架既是骨架又是半導(dǎo)體芯片與外界的聯(lián)接電路, 是芯片的散熱通道, 又是連結(jié)電路板的橋梁, 因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度, 高集成化方向發(fā)展, 芯片的散熱問(wèn)題已成為突出矛盾。集成電路大規(guī)模和超大規(guī)模的迅速推進(jìn)，對(duì)集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過(guò)去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿(mǎn)足要求。而銅合金框架材料, 利用銅合金優(yōu)良的傳熱性能, 加入少量強(qiáng)化元素, 通過(guò)固溶強(qiáng)化和彌散強(qiáng)化提高其強(qiáng)度, 同時(shí)僅稍微損失導(dǎo)熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)高導(dǎo)合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關(guān)鍵技術(shù)與國(guó)外先進(jìn)水平有較大差距，我國(guó)所使用的大規(guī)模集成電路引線(xiàn)框架材料長(zhǎng)期以來(lái)都是依靠進(jìn)口。目前，本課題組通過(guò)一系列研究，開(kāi)發(fā)了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的Cu-Ni-Si系合金，并實(shí)現(xiàn)了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國(guó)產(chǎn)化大規(guī)模生產(chǎn)。 一、Cu-Ni-Si系銅合金主要性能指標(biāo) 1.抗拉強(qiáng)度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.導(dǎo)電率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系銅合金主要性能指標(biāo) 1.抗拉強(qiáng)度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.導(dǎo)電率：60～80%IACS。

集成電路是微電子技術(shù)的核心，與國(guó)防和國(guó)民經(jīng)濟(jì)現(xiàn)代化，乃至人們的文化生活都息息相關(guān)。集成電路由芯片和框架經(jīng)封裝而成，其中框架既是骨架又是半導(dǎo)體芯片與外界的聯(lián)接電路，是芯片的散熱通道，又是連結(jié)電路板的橋梁，因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度，高集成化方向發(fā)展，芯片的散熱問(wèn)題已成為突出矛盾。集成電路大規(guī)模和超大規(guī)模的迅速推進(jìn)，對(duì)集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過(guò)去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿(mǎn)足要求。而銅合金框架材料，利用銅合金優(yōu)良的傳熱性能，加入少量強(qiáng)化元素，通過(guò)固溶強(qiáng)化和彌散強(qiáng)化提高其強(qiáng)度，同時(shí)僅稍微損失導(dǎo)熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)高導(dǎo)合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關(guān)鍵技術(shù)與國(guó)外先進(jìn)水平有較大差距，我國(guó)所使用的大規(guī)模集成電路引線(xiàn)框架材料長(zhǎng)期以來(lái)都是依靠進(jìn)口。目前，本課題組通過(guò)一系列研究，開(kāi)發(fā)了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的Cu-Ni-Si系合金，并實(shí)現(xiàn)了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國(guó)產(chǎn)化大規(guī)模生產(chǎn)。