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無位置傳感器的無刷雙饋發電機輸出頻率控制方法
本發明公開了一種無位置傳感器的無刷雙饋發電機輸出頻率控 制方法。該方法不依賴于位置傳感器，也無需知道無刷雙饋發電機的 各種參數，利用采集到的無刷雙饋發電機的功率繞組的電壓實現對轉 速的辨識，避免了位置傳感器帶來的一系列問題，能對無刷雙饋發電 機的輸出頻率進行有效控制；在需要無刷雙饋發電機和外電網并網使 用時，也能在無位置傳感器的情況下順利完成并車過程；由于無刷雙 饋發電系統本身就需要采集無刷雙饋發電機的功率繞組的電壓構成電 壓閉環以實現對無刷雙饋發電機輸出電壓幅值的有效控制，本發明不僅能有效削減位置
華中科技大學
2021-04-14
一種連續導電模式單電感雙輸出開關變換器變頻控制裝置
本實用新型公開了一種連續導電模式單電感雙輸出開關變換器變頻控制裝置，通過限定電感電流峰值和谷值的大小，完成對變換器中主開關管和支路開關管的控制，實現各個輸出支路的獨立調節。與工作在連續導電模式的傳統單電感雙輸出開關變換器相比，本實用新型具有穩定性好，可靠性高，抗干擾能力強，輸入、負載瞬態響應速度快，輸出支路間的交叉影響小等優點，可用于控制單電感雙輸出拓撲結構的多種變換器，諸如：Buck變換器、Boost變換器、Buck-boost變換器、Bipolar變換器等。
西南交通大學
2016-10-24
一種加熱爐空氣預熱器熱管煙泥灰垢刮除裝置
本發明公開了一種加熱爐空氣預熱器熱管煙泥灰垢刮除裝置，包括支撐座，所述支撐座上安裝有液壓缸，所述液壓缸的活塞桿上安裝有支架，所述支架上安裝有能沿熱管的縱向滑動時刮除熱管的煙氣段外表面的煙泥灰垢的刮灰環，所述刮灰環包括經模壓成型的環體，所述環體上設置有與熱管的煙氣段的橫截面形狀相應的內腔，環體的內壁上固設有用于刮除煙泥灰垢的刷毛。本發明的刮灰環會包覆在熱管的煙氣段上，液壓缸的活塞桿帶動支架和刮灰環上下移動，刮灰環
華中科技大學
2021-04-14
一種 H 橋三電平有源電力濾波器的控制方法及系統
本發明公開了一種 H 橋三電平有源電力濾波器的控制方法及系 統。在進行直流母線電壓相間平衡控制時，通過檢測各相直線母線電 壓與直流母線平均電壓之間的偏差，確定基波負序電流的給定量，是 一種雙閉環結構，因此系統的魯棒性更高。與傳統的基于負序電壓注 入的方法相比，不會影響電流環的性能；與傳統的基于零序電壓注入 的方法相比，其相間平衡控制的能力更強。在進行負載電流諧波檢測 時，在雙 dq 軸坐標系下分別檢測基波正序分量和基波負序分量，因此 諧波檢測的精度更高。由于在負序 dq 軸坐標系下檢測了基波負序電
華中科技大學
2021-04-14
基于柔性鐵電薄膜的流體驅動式壓電傳感器及其制備方法
本發明公開了一種基于柔性鐵電薄膜的流體驅動式壓電傳感器及其制備方法，包括玻璃基片和微流 控芯片基片；玻璃基片上集成有兩相平行的 P(VDF-TrFE)電紡絲薄膜條；微流控芯片基片制作有微溝道 和分布于微溝道兩側的電極凹槽；微流控芯片基片還設有進樣口、出樣口和銀漿注入口，進樣口、出樣 口與微溝道兩端連通，銀漿注入口與電極凹槽連通；玻璃基片和微流控芯片基片鍵合，?P(VDF-TrFE) 電紡絲薄膜條位于微溝道和電極凹槽底部。本發明制作簡單，成本低廉
武漢大學
2021-04-14
開關變換器雙緣脈沖頻率調制V2型控制方法及其裝置
本成果來自國家科技計劃項目，現已結題，并獲國家發明專利授權（ZL201320031915.X），知識產權屬于西南交通大學。該成果公開了一種開關變換器雙緣脈沖頻率調制V2型控制方法及其裝置，根據基準電壓Vref和輸出電壓Vos經過誤差補償器后生成的控制電壓Vc與輸出電壓Vos的關系，結合預設的恒定導通時間或恒定關斷時間，產生三段時間t1、t2和t3，每個周期依次采用t1、t2、t3組成的控制時序，控制開關變換器開關管的導通與關斷。本成果可用于控制Buck變換器、Buck2變換器、Cuk變換器、Zeta變換器等開關變換器，其優點是：負載瞬態響應速度快，穩壓精度高，穩定性好。
西南交通大學
2016-06-27
一種動平臺對空目標雙色紅外異構并行自動目標識別器
本發明公開了一種動平臺對空目標雙色紅外異構并行自動目標識別器，所述目標識別器包括：交換式網絡與至少一個處理部件，所述處理部件與所述交換式網絡之間通過輸入 FIFO 接口、同步存儲器輸出接口以及控制線連接，所述交換式網絡用于動態鏈接不同的所述輸入 FIFO 接口和所述同步存儲器輸出接口，所述處理部件用于完成自動目標識別過程中所需的各種算法功能，所述輸入 FIFO 用于緩存輸入的待處理圖像數據，所述同步存儲器輸出接口用于
華中科技大學
2021-04-14
一種基于憶阻器的可編程模擬電路及其操作方法
本發明公開了一種基于憶阻器的可編程模擬電路及其操作方法， 可編程模擬電路包括：阻變元件、第一電阻、第二電阻、N 型 MOS 管 和 P 型 MOS 管；第一電阻的一端作為可編程模擬電路的第一端口，阻 變元件的一端與第一電阻的另一端連接，阻變元件的另一端作為可編 程模擬電路的第二端口；N 型 MOS 管的漏極和 P 型 MOS 管的漏極均 連接至阻變元件的另一端，N 型 MOS 管的源極和 P 型 MOS 管的源極 均
華中科技大學
2021-04-14
一種光纖 EFPI 次聲波傳感器及次聲信號探測系統
本發明公開了一種光纖 EFPI 次聲波傳感器及次聲信號探測系 統。本發明與同類型的其他聲學探測方法相比，在換能器中采用聚合 物薄膜，并對聚合物薄膜的厚度和直徑進行了優化設計，使得傳感器 能探測 1～20Hz 的次聲波，且靈敏度高達 121mV/Pa。在換能器的聚合 物薄膜內側中心粘貼鋁質薄膜，并對鋁質薄膜的厚度和直徑進行了優 化設計，不僅大幅提高了換能器的光學反射率，而且使聚合物薄膜的 中心振動保持平穩。本發明與傳統
華中科技大學
2021-04-14
氨式法HCN固定床反應器計算機優化控制技術
? 氨式法HCN固定床反應器是當前應用較多的由天然氣生成HCN的生成裝置，利用金屬鉑作催化劑，在1600℃高溫下反應合成HCN。該反應器對反應溫度、氣體純度、氣體配比和流速等都有很高的要求。國際上先進的氨式法反應器的收率一般都在78~82％，而國內該種反應器在2000年之前的收率基本都只有45％左右，操作穩定性差，存在一定的安全隱患。低收率造成該種反應器在當時使用普及度不高，也同時使HCN產品鏈主要依靠石化副產物的HCN，從而對產能有很大的約束。氨式法HCN固定床反應器計算機優化控制技術通
北京理工大學
2021-04-14