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一維原子鏈缺陷兩端零能束縛態的發現
在二維鐵基高溫超導體中的一維原子缺陷鏈兩端發現馬約拉納零能模，為實現較高溫度下、無外加磁場的拓撲零能激發態提供了一種可行性平臺。王健研究組通過分子束外延（MBE）技術在鈦酸鍶襯底上成功制備出大尺度、高質量的單層FeTe0.5Se0.5高溫超導薄膜，其超導轉變溫度T_c≈62 K，遠高于塊材Fe(Te,Se) (T_c≈14.5 K)。利用原位低溫（4.2 K）掃描隧道顯微鏡（STM）和掃描隧道譜（STS）技術，研究組在薄膜表面發現了一種由最上層Te/Se原子缺失形成的一維原子鏈缺陷。在這種一維原子鏈缺陷兩端，同時觀測到了零能束縛態（圖1），而在一維原子鏈缺陷的非端點處，依然是超導帶隙的譜形。隨著溫度升高，零能束縛態的峰高逐漸降低，最終在遠低于T_c時消失（約20 K）。隨著針尖逐漸逼近薄膜表面，即隧穿勢壘電導變大，零能束縛態峰迅速升高且沒有發生劈裂，展現出良好的抗干擾性。此外，研究組發現在較短的一維原子鏈缺陷兩端的零能束縛態發生了一定程度的耦合（圖2），其峰高隨缺陷長度的依賴關系在統計中展現出正相關關系。這些零能束縛態的譜學特性，如峰值高度與半高寬隨溫度的演化，消失的溫度，針尖逼近隧穿譜與難劈裂的特性等，都與馬約拉納零能模的解釋相符合，可以基本上排除Kondo效應、雜質缺陷束縛態或有節點的高溫超導體中Andreev零能束縛態等其它可能性。波士頓學院的汪自強教授團隊基于肖克利缺陷態的能帶理論在超導體中的表現提出了可能的理論解釋。在強自旋軌道耦合作用下，單層FeTe0.5Se0.5薄膜表面的一維原子鏈缺陷可以是衍生一維拓撲超導體，其端點處會產生受時間反演對稱性保護的一對馬約拉納零能模。時間反演對稱性破缺下也可產生一維原子鏈缺陷拓撲超導體，其兩個端點各產生一個馬約拉納零能模。這一工作首次揭示了二維高溫超導體FeTe0.5Se0.5單層薄膜中的一類拓撲線缺陷端點處的零能激發，具備單一材料、較高工作溫度和零外加磁場等優勢，為進一步實現可應用的拓撲量子比特提供了一種可能的方案。
北京大學
2021-04-11
一種刻蝕缺陷地結構的圓極化微帶天線陣
本發明涉及天線設計技術領域，公開了一種刻蝕缺陷地結構的圓極化微帶天線陣，它包括：天線貼片，介質基板、反射板、同軸饋線、天線饋線、緊固塑料螺釘、功分介質板和功分電路；反射板上刻蝕缺陷地結構單元，缺陷地結構單元為矩形細縫和在其外側的三個圓環；緊固塑料螺釘穿過介質基板，反射板和功分介質板上的非金屬化過孔將其緊固為一體，解決了陣元之間的互耦會嚴重影響圓極化天線的駐波特性與方向圖特性的技術問題。
東南大學
2021-04-13
一種裝配式剪力墻坐漿層缺陷檢測裝置
本實用新型公開了一種裝配式剪力墻坐漿層缺陷檢測裝置，包括計算機、小錘和下部結構，計算機的端口通過數據線固定連接有信號放大器，信號放大器的輸入端通過數據線固定連接有傳感器，下部結構的頂部固定連接有坐漿層，坐漿層的頂部固定連接有預留孔墻體，小錘、傳感器與坐漿層的距離為3cm，小錘與傳感器的距離為3cm-5cm，傳感器的一側與預留孔墻體的表面接觸，小錘與傳感器在同一水平面上，計算機讀取信號數據并進行波譜分析及比較，得出該坐漿層的密實程度，本實用新型涉及土木工程檢測領域。該種裝配式剪力墻坐漿層缺陷檢測裝置，
安徽建筑大學
2021-01-12
一種 RFID 天線毛刺和污點缺陷的視覺檢測系統及方法
本發明公開了一種用于對 RFID 天線毛刺和污點缺陷執行視覺檢測的方法，包括：對攝像裝置執行標定之后，通過其與條形或背光光源的配合，對待檢測的各個 RFID 天線拍攝圖像；采集所拍攝的天線圖像并將其與天線模板圖像相匹配以獲得預對齊信息；根據天線模板圖像上的 ROI 區域并結合預對齊信息，從天線圖像中扣取對應的毛刺和污點檢測區域；對所摳取檢測區域和 ROI 區域分別執行二值化處理，然后執行圖像相減處理；對相減處理后的殘余圖像執行 blob 分析，由此判定毛刺和污點缺陷結果。本發明還公開了相應的視覺檢測
華中科技大學
2021-04-14
一種基于多重漏磁檢測信號特征值的缺陷評價方法
本發明公開了一種基于多重漏磁檢測信號特征值的缺陷評價方 法，包括以下步驟:1)將樣件磁化，用探頭分別在樣件的盲孔和所有 矩形槽上方進行掃查，得到信號曲線計算獲得各個 MFL 信號特征值; 2)在數據處理裝置中得到 MFL 信號特征值分別與偏離值、提離值的線性方程;3)在數據處理裝置中得到 MFL 信號特征值與矩形槽上同一方 向尺寸的線性方程;4)用探頭對待測鐵磁件進行檢測，掃查得到 MFL漏磁信號特征值，根據步驟&nbs
華中科技大學
2021-04-14
一種表面氧缺陷多孔金屬氧化物材料及其制備和應用
本發明公開了一種表面氧缺陷多孔金屬氧化物材料及其制備和應用。所述表面氧缺陷多孔金屬氧化物材料的制備方法包括以下步驟：1)將金屬鹽溶解于有機溶劑中，形成透明溶液、2)將步驟1)中的透明溶液與軟膜板劑混合，得到二者充分均勻分散的分散液，充分混合形成金屬鹽凝膠、3)將步驟2)中得到的金屬鹽凝膠制備成干凝膠、4)將步驟3)中得到的干凝膠高溫煅燒，所得灰分即為表面氧缺陷多孔金屬氧化物、本方法能夠同步合成出表面氧缺陷多孔金屬氧化物材料。制備方法相對簡單，在形成多孔結構的同時增加了材料表面的氧空穴濃度，改變了材料的電子結構，可應用于吸附、光電催化及電池領域。
清華大學
2021-04-10
層狀二維材料的晶體和缺陷結構精準調控研究提供了新思路
通過溶劑熱方法，成功制備出一種層間距寬化并富有缺陷的1T-VS 2 納米片，展現出優異的電催化析氫性能。由于有機溶劑分子以及在反應過程中產生的銨離子等的插層作用，該溶劑熱法制備出的VS 2 納米片層間距寬化至1.0 nm，比塊體VS 2 材料的層間距（0.575 nm）增加了74%。層間距的寬化引起晶格的畸變而引入眾多的缺陷，豐富的缺陷賦予VS 2 納米片更多的活性位點，層間距的寬化還進一步改變了VS 2 材料的電子結構，從而使得該VS 2 納米片具有更加優化的氫吸附自由能（? G H ）。HER測試結果表明，該VS 2 納米片呈現出優異的電催化性能，具有較小的塔菲爾斜率（36 mV dec ?1 ）、具有較低的過電位（-43 mV@10 mA cm ?2 ）和良好的穩定性（60 h）。此外，通過第一性原理計算的結果表明，層間距寬化的VS 2 具有更優化的? G H （-0.044 eV），媲美貴金屬Pt(如圖3 ). 。并且，層間距的寬化可以降低缺陷形成能，使材料更易形成缺陷。這里，理論計算結果和實驗相一致，較好地證明了通過層間距和缺陷的精細調控，可以有效提升二維材料的電催化析氫反應活性, 揭示了層間距和缺陷結構調控對提升電催化析氫的基本原理。此項研究工作為層狀二維材料的晶體和缺陷結構精準調控研究提供了新思路，為開發高性能電催化析氫材料研究打開了一扇新窗戶。
南方科技大學
2021-04-13
一種基于稀疏的微小缺陷高頻超聲顯微成像超分辨的方法
本發明屬于稀疏超分辨檢測領域，并公開了一種基于稀疏的微 小缺陷高頻超聲顯微成像超分辨的方法。該方法包括如下步驟:執行 過采樣高頻超聲顯微 C-掃成像;根據過采樣時的采樣步長與超聲探頭 分辨率，計算出探頭點擴散函數 k;由點擴散函數根據進行稀疏超分 辨計算，獲得最終高分辨圖像。本發明方法實現了高頻顯微成像對現 微小缺陷進行超分辨顯微成像，增強圖像信噪比和分辨率，提高微小缺陷檢測的準確性，同時對于微觀缺陷的檢測有著重要的意義，有效 地推動微器件可靠性的發展。
華中科技大學
2021-04-14
一種適用于線型缺陷的磁軛式局部微磁化檢測裝置
本發明公開了一種適用于線型缺陷的磁軛式局部微磁化檢測裝 置，該裝置包括磁敏感元件部分，磁感應部分及磁軛式局部微磁化部 分，磁敏感元件部分包括磁敏感元件、引線端、磁引導芯和引導芯套 筒，磁引導芯由長短不一的長方體形引導芯構成；磁感應部分由繞制 在引導芯套筒外側的磁感應線圈和引線端組成；由引導芯套筒支撐固 定的磁軛式局部微磁化部分，包括方形導磁構件、磁軛式雙磁鐵以及 斜向雙導磁構件，該部分將磁場量導入待檢測金屬體內，達到局部微 磁化的效果，通過與磁引導芯連接的磁敏感元件和引導芯套筒外的磁 感應線圈，傳遞
華中科技大學
2021-04-14
一種基于缺陷磁泄漏域反向場的漏磁檢測方法與裝置
本發明公開了一種基于磁真空泄漏原理的漏磁檢測方法及其裝置。該方法為①將待檢測導磁構件磁化；②在上述被磁化的導磁構件外圍，剔除已有背景磁場，形成磁真空區域；③采用磁敏元件布置于磁真空區域，拾取無磁壓縮效應的缺陷漏磁場并轉化為電壓信號，如果電壓信號中存在突變，則說明待檢測導磁構件中存在缺陷，否則無缺陷。裝置采用穿過式線圈對被檢測導磁構件實施局部磁化，以便激發出該磁化區域內導磁構件上缺陷的漏磁場；在其內腔布置永磁體對，產生反向磁場與原背景磁場疊加抵消，形成磁真空區域以供缺陷的漏磁場泄漏擴散進來，同時消除由
華中科技大學
2021-04-14