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成果簡介:大規模 GPS 信息定位接入與監控云系統包括:大規模傳感信息接入與控制系 統、大規模物聯信息存儲系統、大規模家聯信息處理與分析系統(GPU 集群)、負 載均衡系統、目錄服務系統、跨系統用戶融合系統等具有廣泛的物聯網應用支持 能力，該系統可以支持百萬級規模的 GPS 定位器的信息接入和監控。該系統具有如下優勢:1、利用普通的計算機集群和容錯機制，具有很高的性能價格比。452、具有大規模支持能力. 隨著物聯網技術的廣泛應用，

本發明公開了一種多導航系統互操作定位方法及系統，包括:(1)基于卡爾曼濾波的定位模型的構 建;(2)每次接收機定位結束時，存儲本次定位結束時估算的系統間鐘差偏差;(3)每次接收機定位時， 若本次定位與上次定位時間間隔小于預設間隔，引入上次定位結束時估算的各系統間鐘差偏差，采用定 位模型進行定位;(4)每次接收機定位時，若本次定位與上次定位時間間隔不小于預設間隔，采用定位 模型實時解算各歷元時刻下各系統間鐘差偏差的變化值，采用定位模型進行定位。本發明可用于多導航 系統組合定位，僅需估計一個接收機鐘差即可進行定位解算，從而可解決可視衛星數量較少情況下無法 定位的問題。

成果簡介：本項目包括容器類和管道類兩種測試對象的泄漏測試和泄漏點定 位技術。1） 本項目得到了北京市教委產學研教育基金、國家自然科學基金、 “211 工程”、“985 工程”等基金的資助；2） 研制了系列化的高精度氣密 性檢測儀；3） 研制了基于紅外圖像處理技術進行泄漏點檢測及定位的裝置；4）研制了多種主要針對汽車變速器/離合器殼體的高效率、高精度在線式自 動試漏機，滿足了當前實際生產需要，并取得了較大的經濟

本發明公開了一種基于模板匹配的芯片定位方法，具體包括以下步驟：步驟一，制作模板；步驟二，對待定位圖片進行預處理，增大背景與芯片基體的對比度；步驟三，對預處理后的圖片進行圖像分割，得到blob塊，利用blob塊的面積和blob塊對應的最小外接矩形的邊長信息排除存在連晶、缺損缺陷的芯片；獲取剩下的blob塊的最小外接矩形的中心位置坐標，以及短邊與水平方向的夾角；步驟四，根據步驟三得出的中心位置坐標和夾角，在待定位圖片上采用模板匹配芯片，定位出芯片的位置和角度。本方法主要適用于芯片制造過程中對芯片的定位，采用先篩選再匹配的方法能快速準確定位出合格芯片的位置，排除掉帶有連晶、缺損缺陷的芯片。

XM-616大腦皮質功能定位模型 ? XM-616大腦皮質功能定位模型可拆分為2部件，大腦作正中矢狀切面，左側大腦半球作水平切面，并剖開顳葉顯示間腦，小腦作矢狀剖面，按不同功能部位進行定位，并用顏色加以區別。 尺寸：自然大，21.5×17×14cm 材質：PVC材料

產品詳細介紹納米定位臺納米定位臺  電話：0451-86268790  芯明天科技——壓電納米定位行業領導者！產品定制服務我們更專業！每年參加展會：LASER World of PHOTONICS CHINA慕尼黑上海光博會、北京光電周ILOPE、深圳光博會CIOE。哈爾濱芯明天科技有限公司專業致力于壓電納米定位系統的研發生產與銷售。十余年的行業經驗、專業的研發團隊、雄厚的研發實力、完善的管理體系、可靠的品質保障為您提供最佳壓電納米定位技術解決方案！主營產品包括壓電陶瓷材料、壓電陶瓷片、疊堆壓電陶瓷、精密壓電促動器、壓電馬達、壓電直線電機、納米定位臺、壓電納米定位臺、微米納米定位臺、壓電平移臺、壓電運動臺、壓電位移臺、壓電平移臺、1-3維納米精度偏轉臺/旋轉臺、壓電偏轉鏡、壓電物鏡定位器、六自由度并聯機構、壓電陶瓷驅動電源、壓電陶瓷驅動器、壓電陶瓷驅動電源、電感/電容/激光測微儀等產品，同時提供壓電點膠閥維修服務等。納米定位臺是以壓電陶瓷作為驅動源，結合柔性鉸鏈機構實現X軸、Y軸、XY軸、XYZ軸精密運動的平臺，驅動形式包括壓電陶瓷直驅式與機構放大式兩種，運動范圍最大可達110μm, 具有體積小、無摩擦、響應速度快等特點，配置高精度傳感器，可以實現納米級分辨率、定位精度具有極高的可靠性，壓電平移臺在精密定位領域中發揮著至關重要的作用。P66.XYZ 壓電納米定位臺為壓電陶瓷直驅機構壓電平臺，采用柔性鉸鏈結構設計具有無摩擦、無反彈、響應速度快等特點，最大運動行程110μm，分辨率可達0.1nm，定位精度實現納米級，可通過自由組合成二維、三維壓電納米定位臺。特點：柔性鉸鏈結構設計，無摩擦無反彈最大行程110μm開環與閉環版本可選FEA有限元分析優化產品性能可組合成二維、三維納米定位臺應用：光纖拉伸/端面檢測/對接  硬盤測試  電化學加工 3D錫膏檢測  精密定位 顯微成像   哈爾濱芯明天科技有限公司致力于壓電納米定位產品的研發、生產與銷售，主要服務于制造高端精密設備的的客戶。自2004年起，經過十多年的快速發展，公司已獲得高新企業認定，獲得產品相關專利以及軟件著作權、全部產品擁有自主知識產權、公司產品已覆蓋全國各地知名高校、科研院所以及高端精密設備制造企業，并遠銷歐、美、日、韓等地。公司與中國高科技企業、國家重點實驗室建立了合作伙伴關系，已經成為中國最專業的精密定位產品生產商。 更多信息，請訪問芯明天官網  www.coremorrow.com 或撥打電話：0451-86268790/17051647888 哈爾濱芯明天科技有限公司產品已廣泛應用于半導體技術、光電子、通信與集成光學、光學儀器設備、醫療生物顯微設備、生命科學、精密加工設備、新藥設計與醫療技術、數據存儲技術、納米技術、納米制造與納米自動化、航空航天、圖像處理等領域。芯明天正在為中國的工業自動化、國防、航天事業的發展貢獻著自己的力量。

本發明提供一種用于鋼管生產線無損檢測過程中的缺陷位置標識裝置，包括運料輪，運料輪上等距開設有齒槽，涂料瓶通過履帶相連后搭放在運料輪齒槽內，驅動機構通過齒槽條連接動擠壓塊，齒槽條連接棘輪，棘輪與運料輪通過中心軸相接，靜擠壓塊與動擠壓塊位置相對應，驅動機構通過齒槽條帶動動擠壓塊前移，動擠壓塊與靜擠壓塊配合擠壓涂料瓶，涂料瓶的瓶蓋被壓出完成缺陷位置標識；驅動機構回位，齒槽條帶動棘輪轉動，棘輪又帶動送料輪轉動，涂料瓶從當前所在齒槽移動至下一個齒槽，最靠近動擠壓塊的涂料瓶落入動、靜擠壓塊之間以備用。本發明以將噴涂料預先分成等量單元為原理基礎，每次噴出等量的涂料至缺陷位置，提高了標識精度和生產效率。

近日，我室王強課題組與軍科院放射醫學研究所舒文杰合作在Nature Genetics雜志上發表了題為“Embryonic defects induced by maternal obesity in mice derive from Stella insufficiency in oocytes”的研究論文，發現了卵母細胞中Stella蛋白在介導母源肥胖對胚胎表型影響過程中的分子途徑。 肥胖是全球重要的健康問題。人群中女性肥胖與早期妊娠失敗以及出生缺陷等密切相關，但母親肥胖是如何影響胚胎發育和子代健康的分子機制尚缺乏足夠的認識。課題組首先利用高脂飼養（HFD）的雌性肥胖小鼠模型，證實母源肥胖導致了胚胎發育遲緩與阻滯；并通過組學比較分析了正常和肥胖小鼠卵母細胞中蛋白表達差異，發現HFD小鼠卵子中Stella蛋白含量顯著減少。在此基礎上，進一步揭示了HFD合子表觀不對稱性的建立出現了異常，表現為母源5mC水平下降及DNA損傷增加。在HFD小鼠卵母細胞中過表達Stella不僅能夠部分阻斷受精卵中的DNA甲基化異常，而且還改善了母源肥胖相關的胚胎發育缺陷。本研究對于揭示母源營養影響早期胚胎及后代發育的分子機制提供了新的基礎理論，具有重要的科學意義和潛在的應用價值。 南京醫科大學生殖醫學國家重點實驗室博士生韓龍森和李玲，以及軍科院博士生任超為共同第一作者。本研究工作得到了南京醫科大學沙家豪教授和郭雪江教授的大力支持。該課題得到了國家973計劃、國家重點研發項目以及國家自然科學基金項目的資助。

在二維鐵基高溫超導體中的一維原子缺陷鏈兩端發現馬約拉納零能模，為實現較高溫度下、無外加磁場的拓撲零能激發態提供了一種可行性平臺。王健研究組通過分子束外延（MBE）技術在鈦酸鍶襯底上成功制備出大尺度、高質量的單層FeTe0.5Se0.5高溫超導薄膜，其超導轉變溫度T_c≈62 K，遠高于塊材Fe(Te,Se) (T_c≈14.5 K)。利用原位低溫（4.2 K）掃描隧道顯微鏡（STM）和掃描隧道譜（STS）技術，研究組在薄膜表面發現了一種由最上層Te/Se原子缺失形成的一維原子鏈缺陷。在這種一維原子鏈缺陷兩端，同時觀測到了零能束縛態（圖1），而在一維原子鏈缺陷的非端點處，依然是超導帶隙的譜形。隨著溫度升高，零能束縛態的峰高逐漸降低，最終在遠低于T_c時消失（約20 K）。隨著針尖逐漸逼近薄膜表面，即隧穿勢壘電導變大，零能束縛態峰迅速升高且沒有發生劈裂，展現出良好的抗干擾性。此外，研究組發現在較短的一維原子鏈缺陷兩端的零能束縛態發生了一定程度的耦合（圖2），其峰高隨缺陷長度的依賴關系在統計中展現出正相關關系。這些零能束縛態的譜學特性，如峰值高度與半高寬隨溫度的演化，消失的溫度，針尖逼近隧穿譜與難劈裂的特性等，都與馬約拉納零能模的解釋相符合，可以基本上排除Kondo效應、雜質缺陷束縛態或有節點的高溫超導體中Andreev零能束縛態等其它可能性。波士頓學院的汪自強教授團隊基于肖克利缺陷態的能帶理論在超導體中的表現提出了可能的理論解釋。在強自旋軌道耦合作用下，單層FeTe0.5Se0.5薄膜表面的一維原子鏈缺陷可以是衍生一維拓撲超導體，其端點處會產生受時間反演對稱性保護的一對馬約拉納零能模。時間反演對稱性破缺下也可產生一維原子鏈缺陷拓撲超導體，其兩個端點各產生一個馬約拉納零能模。這一工作首次揭示了二維高溫超導體FeTe0.5Se0.5單層薄膜中的一類拓撲線缺陷端點處的零能激發，具備單一材料、較高工作溫度和零外加磁場等優勢，為進一步實現可應用的拓撲量子比特提供了一種可能的方案。