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本發(fā)明公開了一種強磁場下電子槍式電子束注入約束的裝置和 方法；裝置包括分段的負(fù)極板、正極板和電子槍；負(fù)極板與正極板相 對并與磁場方向平行放置；電子槍位于極板邊緣且平行于極板。本發(fā) 明采用電子槍，能發(fā)射出大量高速運動的電子束；電場由通電極板產(chǎn) 生，電場方向與磁場方向垂直；電子槍位于極板邊緣且與極板平行， 電子槍能發(fā)射出大量高速運動的電子束。這些電子束經(jīng)過分段的電場 區(qū)域時產(chǎn)生電漂移運動。在極板出口收集電子束，根據(jù)收集電子束大 小，反饋調(diào)整電子槍發(fā)射面角度與發(fā)射功率。本發(fā)明通過分段的電場， 克服單一極板

本發(fā)明公開了一種可測量金屬化膜電容器元件在實際運行工況 下產(chǎn)氣體積的方法和裝置。該方法可模擬電容器短路擊穿故障時的產(chǎn) 氣情況，同時可將電容器運行過程中產(chǎn)生的氣體全部收集到量筒內(nèi)， 通過量筒上的刻度對產(chǎn)氣量進(jìn)行測量。通過該方法，可實現(xiàn)金屬化膜 電容器元件擊穿短路故障過程中的產(chǎn)氣體積測量，同時還能用于氣體 收集進(jìn)行產(chǎn)氣成分分析。本發(fā)明還提供實現(xiàn)上述方法的裝置和材料， 主要包括絕緣容器、橡膠軟管、玻璃量筒、絕緣油。本發(fā)明使用的材 料和器件均具有良好的絕緣性能，可保證實驗過程中的安全。 

本發(fā)明公開了一種旋轉(zhuǎn)補償器型橢偏儀系統(tǒng)誤差評估及消除方法該方法，包括首先建立待優(yōu)化橢偏儀的系統(tǒng)模型，并求的待測樣品穆勒矩陣解析表達(dá)式；然后通過對泰勒展開，獲得 n 階旋轉(zhuǎn)補償器型橢偏儀橢儀系統(tǒng)誤差與元件誤差之間的關(guān)系。最后改變旋轉(zhuǎn)補償器型橢偏儀起檢器與檢偏器方位角，經(jīng)過四次測量，并求得四次測量結(jié)果的均值，這個均值就是已消除了橢偏儀系統(tǒng)誤差的待測樣品的穆勒矩陣。本發(fā)明方法可以獲得旋轉(zhuǎn)補償器型橢偏儀由元件誤差導(dǎo)致的系統(tǒng)誤差的解析表達(dá)式，計算過程明確，系統(tǒng)誤差的消除方法操作簡單可行，可以適用于現(xiàn)有不同結(jié)構(gòu)

本發(fā)明公開了一種金屬化膜電容器保護(hù)裝置和方法，干式金屬 化膜電容器內(nèi)部不灌封或采用灌封的干式結(jié)構(gòu)，電容器頂部存在一定 高度的空隙。熱傳導(dǎo)型氫氣傳感器及其檢測電路構(gòu)成的氣敏保護(hù)裝置 安裝于電容器頂部。當(dāng)電容器內(nèi)部元件出現(xiàn)擊穿故障時，元件內(nèi)部會 產(chǎn)生大量氣體并逸出，該氣體會最終匯聚到電容器頂部的空隙中。元 件產(chǎn)氣中，經(jīng)檢測氫氣體積約占 85％，因此，該產(chǎn)氣會導(dǎo)致電容器頂 部空隙中氫氣濃度的變化，從而導(dǎo)致檢測電路輸出信號的變化，實現(xiàn) 金屬化膜電容器內(nèi)部故障的檢測。檢測到故障信號后，可從外部切斷 電容器電源

該動物模型穩(wěn)定可重復(fù)，可作為體內(nèi)活性氧水平失調(diào)動物模型用 于體內(nèi)活性氧水平失調(diào)發(fā)病機制研究和開發(fā)相關(guān)疾病的藥物。本發(fā)明 采用 RNAi 的方法建立了秀麗隱桿線蟲體內(nèi)活性氧水平失調(diào)動物模 型，通過秀麗隱桿線蟲體內(nèi)產(chǎn)生 isp-1 基因的干擾效應(yīng)，可使秀麗隱 桿線蟲體內(nèi)總活性氧含量降低，可以降低動物模型體內(nèi)總活性氧含 量，可用于模擬動物體內(nèi)總活性氧含量降低的狀態(tài)，可用于研究體內(nèi) 活性氧水平失調(diào)對機體各種生理生化代謝過程的影響。

雄激素受體(androgen receptor，AR)被認(rèn)為在前列腺癌的發(fā)生、發(fā)展和轉(zhuǎn)移中起到關(guān)鍵作用。因此，雄激素撤除療法(androgendeprivation therapy)成為治療晚期前列腺癌的最常用和有效的方法。但是在治療的兩到三年內(nèi)，大部分晚期前列腺癌就會發(fā)展成去勢抵抗性前列腺癌(CRPC)。對于 CRPC 目前缺乏有效治療手段，成為前列腺癌治療中最為棘手的問題。在雄激素撤除環(huán)境下，AR 的再激活存在多種途徑，主要包括病灶部位雄激素的合成、AR 的基因突變、倍增和可變剪切以及 AR 共

一種局部自適應(yīng)可控浸潤性耦合微結(jié)構(gòu)強化沸騰換熱方法具體為：在換熱基底微結(jié)構(gòu)頂部設(shè)置電極膜，電極膜與金屬電極連接至電源形成電場，換熱工質(zhì)中帶電金屬納米顆粒在電場作用下間歇吸附于換熱表面，實現(xiàn)換熱表面浸潤性的可控轉(zhuǎn)換；所述金屬電極固定在換熱基底外部；金屬電極優(yōu)選為銅電極、鋁電極，形狀優(yōu)選為板狀、網(wǎng)狀或棒狀。 所述換熱基底材料為金屬如紫銅或單晶硅、藍(lán)寶石、石墨烯等非金屬，可以理解的是，換熱領(lǐng)域常用的換熱材料均適用于本發(fā)明，優(yōu)選導(dǎo)熱性良好的基底材料。換熱基底形狀為平板、圓管或異形，其中異形為換熱領(lǐng)域常見換熱器形狀。所述換熱基底微結(jié)構(gòu)為尺寸為納米級或微米級的微柱、微坑或微槽道；可以理解的是，現(xiàn)有技術(shù)中，所有用于提高換熱效率的微結(jié)構(gòu)均適用于本發(fā)明，優(yōu)選為納米級或微米級的方形微柱、矩形微柱、半球形微坑或圓柱形微坑。所述換熱基底微結(jié)構(gòu)的排列方式為規(guī)則排列如陣列式、交錯式排列，或為不規(guī)則排列。所述電極膜通過電極引線引出，以將電極膜連通并連接至電源；換熱基底、電極膜、電極引線的表面均絕緣。所述表面絕緣可以通過在表面設(shè)置絕緣層實現(xiàn)，所述絕緣層厚度為百納米級。其中，換熱基底材料為單晶硅等非導(dǎo)電材料時，則無需設(shè)置絕緣層。所述絕緣層材料為惰性金屬、金屬氧化物、陶瓷或硅膠；優(yōu)選導(dǎo)熱性優(yōu)良的絕緣材料，可以通過摻雜導(dǎo)熱性優(yōu)良材料的方式來提高絕緣材料導(dǎo)熱性。所述電極膜、電極引線材料為導(dǎo)電材料；優(yōu)選為金屬，進(jìn)一步優(yōu)選為金、銀、銅或鋁。 所述電極膜厚度為百納米級。所述帶電金屬納米顆粒具有均勻親水性表面、均勻疏水性表面或雙親浸潤性表面；親水、疏水或雙親浸潤性表面通過改性獲得；帶電金屬納米顆粒尺度為納米級、微米級，形狀規(guī)則或不規(guī)則，優(yōu)選為球形或柱形。所述帶電金屬納米顆粒浸潤性與換熱基底的浸潤性不同，用于改變換熱表面浸潤性。如換熱基底表面為親水（或疏水），帶電金屬納米顆粒表面為疏水（或親水），也可以具有雙親浸潤性。所述電源為直流電源或交流電源；其中直流電源通過通、斷電實現(xiàn)電場可控；交流電源通過控制交流頻率實現(xiàn)電場可控，交流頻率根據(jù)沸騰氣泡動力學(xué)周期調(diào)節(jié)。

目前在中壓直流配電網(wǎng)領(lǐng)域研究的大容量直流開斷設(shè)備，需考慮體積、成本等問題。該成果適用于中壓直流配電網(wǎng)領(lǐng)域，特別是涉及一種適用于中壓直流斷路器的電流轉(zhuǎn)移電路及方法，基于混合式直流斷路器，提供一種適用于中壓場合的電流轉(zhuǎn)移電路及方法，通過配置輔助換流單元，對儲能電容器預(yù)先充以適量電壓，實現(xiàn)對故障電流的轉(zhuǎn)移，滿足中壓直流配電網(wǎng)對故障快速切除需求。 該成果提出一種中壓混合式直流斷路器電流轉(zhuǎn)移電路及方法，使故障電流轉(zhuǎn)移與關(guān)斷功能集成化，又能兼顧中壓直流配網(wǎng)對斷路器設(shè)備的體積、成本以及工作可靠性等要求，對擴大直流斷路器的應(yīng)用范圍具有重要工程意義。

本發(fā)明公開一種低合金高強鋼制品的節(jié)約型免回火強韌化工藝方法，包含鋼材冶煉及成型、高溫加熱和保溫和冷卻及等溫處理工藝三個步驟，本工藝方法適用于C-Mn系低合金高強鋼。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供了一種工藝簡單、適宜大規(guī)模生產(chǎn)且具有良好強韌性配合的低合金高強鋼制品的制備工藝，其特點在于從高溫下的控制冷卻和中斷冷卻并在冷卻終止溫度下進(jìn)行保溫的強韌化制造工藝。相對于傳統(tǒng)的淬火回火工藝，該工藝簡化了淬火獲得馬氏體和馬氏體+貝氏體復(fù)相組織，然后再進(jìn)行回火處理的工藝，相對Q-P-T工藝而言，本工藝具有更適宜于規(guī)模化生產(chǎn)的可操作性，簡化了由P工藝立即升溫到T工藝的過程，使生產(chǎn)更容易操作。

一種高速鐵路CRTS-II型板式無砟軌道橋臺水平位移測試方法，其步驟為：a)測試端刺水平位移，b)測試摩擦板水平變形，c)測試相對于摩擦板的橋臺水平位移，d)測試溫度校正值，e)計算橋臺水平位移。溫度校正位移傳感器測試值實現(xiàn)了端刺與摩擦板上基準(zhǔn)桿端部連接的位移傳感器測試值的校正，該測量方法原理清晰、測量誤差小、精度高，滿足高速鐵路CRTS-II型板式無砟軌道橋臺水平位移的測試。