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一種具有納米異質復合結構的紫外光探測器及其制備方法
本發明公開了一種基于 TiO2/ZnO 納米異質復合結構的紫外光探 測器結構，其最底層為基底材料，其上為叉指電極，并覆蓋一層 ZnO 薄膜，薄膜之上為 ZnO 納米棒，納米棒表面為 TiO2 納米結構。本發 明還公開了所述紫外光探測器的制備方法：（1）在基底薄片上鍍上金 屬電極形成叉指電極；（2）鍍上 ZnO 薄膜；（3）合成 ZnO 納米棒陣 列；（5）在 ZnO 納米棒表面形成 TiO2 納米結構。本發明的紫外光探 測器在保持 ZnO 紫外探測器超高光電流增益的同時引入 TiO2 納米結 構，形
華中科技大學
2021-01-12
一種具有納米異質復合結構的紫外光探測器及其制備方法
本發明公開了一種基于 TiO<sub>2</sub>/ZnO 納米異質復合結構的紫外光探測器結構，其最底層為基底材料，其上為叉指電極，并覆蓋一層 ZnO 薄膜，薄膜之上為 ZnO 納米棒，納米棒表面為TiO<sub>2</sub>納米結構。本發明還公開了所述紫外光探測器的制備方法：（1）在基底薄片上鍍上金屬電極形成叉指電極；（2）鍍上 ZnO薄膜；（3）合成 ZnO 納米棒陣列；（5）在 ZnO 納米棒表面形成TiO<sub>
華中科技大學
2021-04-14
一種氧化鋅納米線陣列紫外光電探測器的制備方法
本發明公開了一種基于氧化鋅納米線陣列的紫外光電探測器，屬于光電子器件領域。本發明利用化學氣相沉積技術，通過調節雙溫區管式爐裝中真空壓力等實驗參數，在氮化鎵襯底上實現氧化鋅納米線陣列的均勻可控生長，然后利用透明導電玻璃直接貼壓法，得到對365nm 紫外光具有毫秒量級的快速響應和恢復時間的紫外光電探測器。本方法工藝簡單，材料成本低廉，在快速紫外光電傳感器和短長光電器件領域有廣泛的運用前景。
華中科技大學
2021-04-14
量子糾纏光源
提出一種如下圖所示能克服光子側向和背向泄露且能極大提高光子前向出射的新型微納“射燈”結構，其單光子理論收集效率在較大的帶寬中超過90%、最高可達95%。? 該“射燈”結構量子光源的實驗制備難度極大，因為它要求三大核心微納制備技術：厚度160nm左右且內有量子點的薄膜轉移技術；定位精度小于10nm的量子點光學精確定位技術；環形槽寬度制備精度小于5nm的高質量牛眼微納結構制備技術。為實驗制備出這一性能優越的量子光源，王雪華教授團隊自2013年開始，從零起步，堅持不懈，不斷探索，先后發展和掌握了上述三大核心微納制備技術，在國際上率先制備出綜合性能俱佳的“三高”量子糾纏光子對源
中山大學
2021-04-13
一種高靈敏的ZnO/AlN核鞘納米棒陣列紫外光探測器的制備方法
本發明公開了一種高靈敏的ZnO/AlN核鞘納米棒陣列紫外光探測器的制備方法，包括如下步驟：在藍寶石襯底上生長ZnO納米棒陣列；采用磁控濺射法在ZnO納米棒上濺射不同厚度的AlN鞘層薄膜；采用濺射法或者電子束蒸鍍分別在ZnO/AlN核鞘納米棒陣列兩端制備具有歐姆接觸的金屬電極，構成完整的器件。本發明通過簡單的磁控濺射方法，控制濺射時間，在ZnO納米棒上生長不同厚度、表面光滑均一的AlN鞘層薄膜，制備的ZnO/AlN核鞘光探測器件不僅具有更好的紫外光響應，在360nm紫外光照射下，電壓為5V時，明暗電流比為5.5×103，提高了一個數量級，同時具有更快速的響應和恢復時間，分別是0.883和0.956s。
東南大學
2021-04-11
紫外?LED
可以量產/n突破了紫外LED的專用襯底、外延材料、芯片器件及專用設備的全套核心制備 技術，掌握了250-400nm波段的紫外LED制備技術，尤其在波長300nm以下的深紫外 LED方面掌握獨特的國際先進技術，率先研制出國內首支毫瓦級深紫外LED器件，目 前深紫外LED單管芯輸出功率可達到超過4 mW，達到了可實用化水平。相關核心技 術在照明中心的產業化設備平臺上進行了充分驗證，具備了產業化轉移的能力和條 件。 深紫外LED在殺菌消毒、醫療衛生、生物探測、安全通訊、白光照明等諸多領 域有著廣闊的市場前
中國科學院大學
2021-01-12
簡易頻閃光源
產品詳細介紹
天津市耀華電子儀器廠
2021-08-23
簡易激光平行光源
產品詳細介紹
浙江余姚東南科教儀器設備有限公司
2021-08-23
簡易頻閃光源
產品詳細介紹
偃師市山化電訊儀器廠
2021-08-23
12008頻閃光源
寧波華茂文教股份有限公司
2021-08-23