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一種摻雜鋅和鈷的氫氧化鎳/碳納米復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用
一種摻雜鋅和鈷的氫氧化鎳/碳納米復(fù)合材料，包括碳材料粉末基底和負(fù)載在碳材料粉末基底上的摻 雜鋅和鈷的氫氧化鎳，所述碳材料粉末的質(zhì)量百分比為 1wt.％～99wt.％，所述鎳、鋅和鈷的摩爾比為 80-98：1-10：1-10。其制法為：將碳材料粉末與溶劑加入到反應(yīng)器中，超聲波振動處理，得到充分潤濕 的碳材料；將鎳鹽、鈷鹽及鋅鹽加入到超純水中，配制成混合反應(yīng)溶液；將混合反應(yīng)溶液加入到充分潤 濕的碳材料中，以噴霧的方式加入強堿水溶液，過濾，洗滌、干燥
武漢大學(xué)
2021-04-14
一種基于石墨烯/介孔碳納米復(fù)合材料的 高效生物傳感器及其制備方法
本發(fā)明提供一種基于石墨烯/介孔碳納米復(fù)合材料生物傳感器及其制備方法。本發(fā)明包括采用水熱合 成法制備石墨烯/介孔碳納米復(fù)合材料，將其作為吸附酶固載材料；采用生物傳感及電化學(xué)原理，通過將 絲網(wǎng)和噴墨印刷相結(jié)合的方法制作檢測試紙，絲網(wǎng)印刷用于印制導(dǎo)電線路，采用非接觸的噴涂方式將敏 感生物元件噴印到電極支持物上，其中噴涂材料的噴涂量和噴涂面積可以控制。納米復(fù)合載體材料是在 石墨烯片層的兩面生長介孔碳，制成石墨烯/介孔碳復(fù)合材料，將其作為載體固載酶，與生
武漢大學(xué)
2021-04-14
喜迎二十大 | 管培俊：高質(zhì)量的高等教育是億萬人民的期待
我們熱切地期望二十大之后，我國高等教育的發(fā)展實現(xiàn)新的歷史性跨越。
人民政協(xié)報
2022-10-12
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可實現(xiàn)純紫外發(fā)光的ＺｎＯ基異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的制備方法
本發(fā)明公開了一種可實現(xiàn)純紫外發(fā)光的ＺｎＯ基異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的制備方法，包括如下步驟：在藍寶石襯底上生長ｎ?ＺｎＯ納米線；采用磁控濺射法在ｐ?ＧａＮ上濺射一層ＡｌＮ薄膜；采用濺射法或者電子束蒸鍍分別在ｎ?ＺｎＯ和ｐ型ＧａＮ一端制備具有歐姆接觸的金屬電極；將ＡｌＮ薄膜／ｐ?ＧａＮ緊扣在ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列上面形成異質(zhì)結(jié)，構(gòu)成完整的器件。本發(fā)明在藍寶石上直接生長ＺｎＯ納米棒陣列，提高ＺｎＯ結(jié)晶度，提高電學(xué)性能，有效消除晶體質(zhì)量差的問題；引入ＡｌＮ隔離層，有效較少了結(jié)區(qū)的剩余電子，增加ＺｎＯ區(qū)載流子復(fù)合效率，實現(xiàn)純ＺｎＯ紫外發(fā)光；ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列／ＡｌＮ／ｐ?ＧａＮ異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管，發(fā)光位置在３８５ｎｍ左右，半峰寬為１４．５ｎｍ。
東南大學(xué)
2021-04-11
一種閾值電壓可調(diào)的薄膜晶體管作為非易失性存儲器的用途
本發(fā)明公開了一種閾值電壓可調(diào)的薄膜晶體管作為非易失性存儲器的用途，薄膜晶體管的頂柵、阻擋層、存儲層、隧穿層及溝道層構(gòu)成了頂柵型存儲器；薄膜晶體管的溝道層、底柵氧化層及底柵構(gòu)成了底柵型TFT。通過對頂柵型存儲器進行操作實現(xiàn)非易失性存儲器的“編程/擦除”操作，通過對底柵型TFT進行操作實現(xiàn)非易失性存儲器的“讀”操作。“編程/擦除(Program/Erase,P/E)”和“讀”操作的分離，提升了存儲器的存儲窗口、可靠性以及工作速度等的性能。
東南大學(xué)
2021-04-11
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一種去除甲醛用天然沸石負(fù)載CuO納米管復(fù)合材料的制備方法
本發(fā)明屬于材料制備領(lǐng)域，具體為一種去除甲醛用天然沸石負(fù)載CuO納米管復(fù)合材料的制備方法。首先，用鹽酸對天然沸石進行處理，并水浴加熱，攪拌、過濾、洗滌、干燥，熱處理后制備出性能穩(wěn)定的天然沸石，然后，結(jié)合浸漬工藝將天然沸石浸漬在氯化銅溶液中，以四甲基乙二胺為絡(luò)合劑，CTAB為軟模板，葡萄糖為還原劑，采用水熱法制備天然沸石負(fù)載Cu納米線，最后，采用熱處理法制備天然沸石負(fù)載CuO納米管復(fù)合光催化材料。該工藝過程簡單，成本低，便于實現(xiàn)，制備的天然沸石負(fù)載CuO納米管復(fù)合材料比表面積大，易于回收，吸附降解性能好。
天津城建大學(xué)
2021-04-11
一種具有共振隧穿結(jié)構(gòu)電子阻擋層的發(fā)光二極管
本發(fā)明公開了一種具有共振隧穿結(jié)構(gòu)電子阻擋層的發(fā)光二極管，包括：由下而上依次設(shè)置的襯底、ｎ型氮化物層、多量子阱層、電子阻擋層、ｐ型氮化物層、ｐ型氮化物歐姆接觸層，所述ｎ型氮化物層上設(shè)置的ｎ型電極和所述ｐ型氮化物層上設(shè)置的ｐ型電極；其中電子阻擋層由由下而上依次設(shè)置的ｐ型摻雜氮化物勢壘層，非摻雜氮化物勢阱層、利用共振隧穿效應(yīng)增大空穴透過率的非摻雜勢壘層聯(lián)合
東南大學(xué)
2021-04-14
一種具有雙摻雜多量子阱結(jié)構(gòu)的紫外發(fā)光二極管
本發(fā)明公開了一種具有雙摻雜多量子阱結(jié)構(gòu)的紫外發(fā)光二極管，包括：由下至上依次設(shè)置的襯底，AlN中間層、非摻雜AlGaN緩沖層、n型AlGaN層、雙摻雜的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源區(qū)、AlzGa1?zN電子阻擋層，其中z>y>x，p型AlGaN層和透明導(dǎo)電層，在n型AlGaN層和透明導(dǎo)電層上分別設(shè)置的n型歐姆電極和p型
東南大學(xué)
2021-04-14
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一種基于分形維數(shù)的碳納米管分散狀態(tài)的數(shù)值化表征方法
本發(fā)明屬于納米復(fù)合材料制備及應(yīng)用領(lǐng)域，具體公開了一種基 于分形維數(shù)的碳納米管分散狀態(tài)的數(shù)值化表征方法。該方法首先通過 獲取分散體系中碳納米管分散狀態(tài)的掃描電鏡圖片，然后采用圖像處 理軟件(ImageJ)將所得掃描電鏡圖片進行二值化處理，再提取出圖片中 單根碳納米管或者碳納米管團聚體的邊界輪廓，最后利用盒子算法計 算處理后圖片的分形維數(shù)，所得的分形維數(shù)值即是對碳納米管分散狀 態(tài)中豐富信息的定量化描述，從而實現(xiàn)分散體系中
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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喹噁啉類三種獸藥的食品安全性評價與風(fēng)險管控技術(shù)
中試階段/n該項目2016年獲得湖北省科技進步一等獎。由于乙酰甲喹和喹烯酮尚未確定每日允許攝入量(ADI)、殘留標(biāo)識物(MR)和靶組織(TT)，未能制訂最高殘留限量(MRLs)和休藥期(WP)，喹乙醇僅有豬肌肉暫定MR及MRL，這三種藥物一直沒有科學(xué)的食品安全標(biāo)準(zhǔn)和風(fēng)險管控技術(shù)，消費者健康受到威脅。
華中農(nóng)業(yè)大學(xué)
2021-01-12