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非制冷薄膜型紅外焦平面陣列探測(cè)器結(jié)構(gòu)，包括含讀出電路的第一基片，含熱隔離微橋陣列和敏感元陣列的第二基片，所述第一基片與第二基片鍵合成一體，所述熱隔離微橋陣列中的各熱隔離微橋單元以刻蝕后的第二基片為橋墩，以與所述橋墩頂面緊密結(jié)合的支撐層為橋面；各熱隔離微橋單元的橋面上均設(shè)置有敏感元陣列，各敏感元陣列通過(guò)引線(xiàn)電極與第一基片上對(duì)應(yīng)的讀出電路實(shí)現(xiàn)電連接。制備方法：第一基片鍵合面圖形的制備；支撐層制備；敏感元陣列的制備；第二基片正面保護(hù)；熱隔離微橋陣列的制備；第一基片與第二基片的鍵合；除去第二基片的正面保護(hù)層；敏感元電極讀出電路電極的連接。

本發(fā)明提供一種近紅外反應(yīng)型雙光子熒光探針，該近紅外反應(yīng)型雙光子熒光探針為一種由1,3,3?三甲基?2?亞甲基吲哚啉?羅丹明酰肼與4?嗎啉基?1,8?萘酰亞胺?苯基異硫氰酸酯反應(yīng)制得的熒光分子。本發(fā)明還提供該近紅外反應(yīng)型雙光子熒光探針的制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明的近紅外反應(yīng)型雙光子熒光探針，發(fā)射近紅外波段紅色熒光，通過(guò)汞離子誘導(dǎo)的酰胺基硫脲脫硫?環(huán)化反應(yīng)及1,3,3?三甲基?2?亞甲基吲哚啉?羅丹明內(nèi)酰胺的開(kāi)環(huán)反應(yīng)等多步串聯(lián)反應(yīng)可靈敏調(diào)控其在近紅外波段的熒光性能，靈敏度高、選擇性強(qiáng)、生物相容性好，在近紅外雙光子熒光成像、雙光子熒光傳感器、生物熒光分析、熒光標(biāo)記、環(huán)境監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。

喹啉、異喹啉、二甲基喹啉是醫(yī)藥、農(nóng)藥等工業(yè)的重要原料，它100%的來(lái)源于煤焦油化 工。依據(jù)熔點(diǎn)差節(jié)能分離獲得高純度原料后，再研制喹啉酮、喹啉酸、以及喹啉肽等農(nóng)藥、醫(yī) 藥中間體，用途廣，附加值高。 本項(xiàng)目具有安全性高，產(chǎn)品質(zhì)量好，設(shè)備通用性強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)。擁有的中試設(shè)備可以進(jìn)行不同 原料組成的試驗(yàn)研究，為產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)提供依據(jù)。

本發(fā)明涉及重組野生型雞半胱氨酸蛋白酶抑制劑及其應(yīng)用。獲得重組野生型 cC 的方法是：利用 pGAPZ α A 載體構(gòu)建野生型 cC 的表達(dá)系統(tǒng)；重組野生型 cC 在畢赤酵母 X-33 中表達(dá)；重組野生型 cC 的分離純化。對(duì)重組野生型 cC 對(duì)鰱魚(yú)魚(yú)糜凝膠劣化抑制作用的檢測(cè)方法是：魚(yú)糜樣品的制作；對(duì)所取魚(yú)糜樣品進(jìn)行溫浴處理，加重組野生型 cC 和未加 cC 成為對(duì)照組；處理樣品進(jìn)行 SDS-PAGE ，觀察結(jié)果。本發(fā)明驗(yàn)證了重組野生型 cC 可以直接加入魚(yú)糜制品中，能明顯抑制魚(yú)糜制品的凝膠劣化，在加工過(guò)程中能較好的保持其彈性，且其安全、無(wú)毒，有著良好的應(yīng)用前景

本發(fā)明公開(kāi)了一種單邊帶通型多普勒濾波器復(fù)雜度降低的方法，首先對(duì)單邊帶通型多普勒譜進(jìn)行頻移，獲取頻率從零頻開(kāi)始的多普勒譜；接著對(duì)頻移后的多普勒譜方根采樣，得到多普勒濾波器的傳輸函數(shù)；最后根據(jù)多普勒濾波器的傳輸函數(shù)對(duì)輸入信號(hào)濾波后，對(duì)濾波器的輸出信號(hào)進(jìn)行時(shí)域頻移補(bǔ)償，抵消頻移影響。本發(fā)明通過(guò)對(duì)單邊帶通型多普勒譜進(jìn)行頻移，使得進(jìn)行多普勒譜方根采樣時(shí)的采樣區(qū)間減小，從而減小傳輸函數(shù)的階數(shù)，并通過(guò)對(duì)輸出信號(hào)進(jìn)行時(shí)域頻移補(bǔ)償，保證濾波器最終輸出為指定單邊帶通型多普勒濾波器輸出。

黃曉軍教授創(chuàng)建并完善的國(guó)際原創(chuàng)單倍型相合移植體系--"北京方案"，解決供者來(lái)源缺乏問(wèn)題，為"缺乏相合供者的可靠移植方案"，"實(shí)現(xiàn)人人都有造血干細(xì)胞移植供者"，"迎來(lái)造血干細(xì)胞移植快速發(fā)展的新時(shí)代"。

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測(cè)試系統(tǒng) 針對(duì)高壓IGBT器件內(nèi)部承受的正極性重復(fù)方波電壓以及高溫工況，研制了針對(duì)高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測(cè)試系統(tǒng)（如圖1所示），可實(shí)現(xiàn)電壓波形參數(shù)、溫度和氣壓的靈活調(diào)控，用于研究電壓類(lèi)型（交、直流、重復(fù)方波電壓）、波形參數(shù)、氣體種類(lèi)、氣體壓力等因素對(duì)絕緣特性，具備放電脈沖電流測(cè)量、局部放電測(cè)量、放電光信號(hào)測(cè)量、漏電流測(cè)量及紫外光子測(cè)量等功能（如圖2所示），平臺(tái)相關(guān)參數(shù)：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調(diào)，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個(gè)大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn)系統(tǒng) 針對(duì)高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部的芯片間電流均衡問(wèn)題，研制了針對(duì)壓接型IGBT器件的多芯片并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)（如圖3所示），平臺(tái)具有靈活調(diào)節(jié)IGBT芯片布局，柵極布線(xiàn)，溫度和壓力分布的能力，可開(kāi)展芯片參數(shù)、寄生參數(shù)以及壓力和溫度等多物理量對(duì)壓接型IGBT器件在開(kāi)通/關(guān)斷過(guò)程芯片-封裝支路瞬態(tài)電流分布影響規(guī)律的研究，以及瞬態(tài)電流不均衡調(diào)控方法的研究；平臺(tái)相關(guān)參數(shù)：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn) 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實(shí)驗(yàn)系統(tǒng) 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進(jìn)一步提升，對(duì)其可靠性考核裝備在測(cè)量精度、測(cè)試效率等方面提出了挑戰(zhàn)。針對(duì)柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測(cè)試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環(huán)測(cè)試裝備和100V/200°C高溫柵偏測(cè)試裝備（如圖4所示）。功率循環(huán)測(cè)試裝備可針對(duì)柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開(kāi)展功率循環(huán)測(cè)試，最多可實(shí)現(xiàn)12個(gè)IGBT器件的同時(shí)測(cè)試。電流等級(jí)、波形參數(shù)、壓力均獨(dú)立可調(diào)，功率循環(huán)周期為秒級(jí)，極限測(cè)試能力可達(dá) 300 ms，最高壓力達(dá)220 kN，虛擬結(jié)溫測(cè)量精度達(dá)±1°C，導(dǎo)通壓降測(cè)量精度達(dá)±2mV。高溫柵偏測(cè)試裝備可實(shí)現(xiàn)漏電流和閾值電壓的實(shí)時(shí)在線(xiàn)監(jiān)測(cè)，最多可實(shí)現(xiàn)32個(gè)IGBT器件的同時(shí)測(cè)試。 4. 壓接器件內(nèi)部并聯(lián)多芯片電流及結(jié)溫測(cè)量方法及實(shí)現(xiàn) 高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部芯片瞬態(tài)電流及結(jié)溫測(cè)量是器件多物理量均衡調(diào)控及狀態(tài)監(jiān)測(cè)的基本手段，針對(duì)器件內(nèi)部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問(wèn)題，提出了PCB羅氏線(xiàn)圈互電感的等效計(jì)算方法，實(shí)現(xiàn)了任意形狀PCB羅氏線(xiàn)圈繞線(xiàn)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)了針對(duì)器件電流測(cè)量的方形PCB羅氏線(xiàn)圈（如圖5所示），實(shí)現(xiàn)臨近芯片電流造成的測(cè)量誤差小于1%；針對(duì)器件內(nèi)部多芯片并聯(lián)芯片結(jié)溫測(cè)量，提出了壓接型IGBT器件結(jié)溫分布測(cè)量的時(shí)序溫敏電參數(shù)法，通過(guò)各芯片柵極的時(shí)序單獨(dú)控制（如圖6所示），在各周期分別進(jìn)行單顆IGBT芯片結(jié)溫的測(cè)量，進(jìn)而等效獲得一個(gè)周期內(nèi)各IGBT芯片的結(jié)溫分布。在此基礎(chǔ)上，完成了集成于高壓大功率器件內(nèi)部的多芯片并聯(lián)電流測(cè)試PCB羅氏線(xiàn)圈以及時(shí)序溫敏電參數(shù)測(cè)量驅(qū)動(dòng)板的設(shè)計(jì)（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統(tǒng)用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開(kāi)展了芯片建模與篩選、芯片并聯(lián)電流均衡調(diào)控、封裝絕緣特性及電場(chǎng)建模以及器件多物理場(chǎng)調(diào)控等方面工作，相關(guān)成果支撐了國(guó)家電網(wǎng)公司全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過(guò)柔直換流閥用器件的應(yīng)用驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)，同時(shí)也支撐了世界首個(gè)18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。

4LZZ-1.0 型全喂入小區(qū)谷物聯(lián)合收割機(jī)是青島農(nóng)業(yè)大學(xué)與江蘇 宇成動(dòng)力集團(tuán)有限公司共同研制開(kāi)發(fā)的一款專(zhuān)門(mén)用于小區(qū)谷物育種試驗(yàn)的聯(lián)合 收獲裝備。該機(jī)能夠完成小區(qū)田間試驗(yàn)谷物的收割、脫粒、清選、清種、輸送、 份量裝袋等功能，能夠有效降低收獲中谷物籽粒損失，避免籽粒在割臺(tái)、輸送 裝置中的種粒殘留，并能將小區(qū)收獲的種子按小區(qū)單位份量快速裝袋、換袋。 機(jī)器由靜液壓行走裝置、氣力輔助割臺(tái)裝置、脫粒與清選裝置、氣力輸送裝置、 份量裝袋裝置、液壓集成裝置、駕駛操縱裝置和發(fā)動(dòng)機(jī)裝置組成。 

4HBL-4 型自走式半喂入花生聯(lián)合收獲機(jī)由青島農(nóng)業(yè)大學(xué)與山東 五征集團(tuán)有限公司聯(lián)合研制成功。該機(jī)能夠一次性完成兩壟四行的挖掘、輸送、 去土、摘果、分離、清選及集果等作業(yè)，極大地提高了勞動(dòng)生產(chǎn)率，生產(chǎn)率達(dá) 到 0.16hm2/h 以上，使花生挖掘率達(dá)到 98%以上，使聯(lián)合收獲的總損失率低于 5%，使含土率低于 20%。經(jīng)農(nóng)業(yè)部組織專(zhuān)家鑒定認(rèn)為，整機(jī)主要性能指標(biāo)達(dá)到國(guó) 際先進(jìn)水平。該機(jī)具有價(jià)格低，結(jié)構(gòu)先進(jìn)、性能優(yōu)良、操縱方便、效果明顯、 受作物密集程度影響小等優(yōu)點(diǎn)。