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七管超外差便攜式調幅收音機套件
產品詳細介紹
產品特點
七晶體管、便攜式、單變壓器、各級電路均有IC測試口。
電源指示功能，有二級標準中放電路，獨立檢波，采用一支前置輸入變壓器，二支功放三極管9013放大輸出，帶耳插輸出座。配1W8Ω電動式揚聲器，聲音響亮，大外殼制作容易。本機工作穩定，聲音清晰，制作簡單適合初中級電子愛好者自制。
產品參數
頻率范圍:535-1605KHz；
中頻頻率：465KHz
靈敏度：≤1.5mV/m（26dB S/N）
選擇性：≥20dB ±9KHz
工作電壓：3V（2節5號電池)
靜態電流：無訊號時≤20mA
輸出功率：≥180mw（10%失真度）
外型尺寸：124×76×27mm
深圳市奧迪聲電子經營部
2021-08-23
一體式柔性承插口鋼塑復合管
產品概述：
一體式柔性承插口鋼塑復合管具有機械、防腐性能優越、壽命長等優點，獨特的三層結構**的將環氧樹脂的防腐性能與外層聚乙烯的防護性相結合，防腐層厚度可達3mm以上，有效的避免運輸、安裝、使用過程中防腐層破損，從而降低管材的使用壽命。此防腐工藝已經在輸油、氣、大型水利項目中大面積推廣應用，實踐證明此防腐工藝是長輸管線**的防腐形式，使用壽命可達50年以上。
性能優勢：
防腐性能較好,外層采用3PE防腐，壽命達到50年，是目前國際公認的先進管道外防腐方式。
母材性能增強,產品擴口時采用1000°高溫加工處理，相較冷加工不但不破壞母材，更增強母材性能。
尺寸精度高，密封性好,同時對公母口進行定徑，公母口橢圓度控制在1mm之內，密封面粗糙度控制在12.5以下，保證密封性能。
安裝方便,承插口鋼管連接對接速度快，具有安裝方便、施工成本較低，開挖土方量少，節省空間。
檢測方便,采用雙密封結構，在雙密封之間設有檢測孔。每個接頭安裝后可立即進行檢測。檢測用水100ml以下，也可使用壓縮空氣進行檢測。
外3PE內環氧技術,3PE防腐承插口擴口技術（外3PE內環氧）經過長期的應用檢驗，已證實是目前先進的防腐結構。其外層結合了纏繞HDPE和熔結環氧粉末的優點。實現了防腐性能、力學性能的良好結合。
應用領域:
在石油、化工、市政給水、建筑、運輸、通訊電力、印染、農業灌溉、冷藏等管道行業得到了廣泛應用。
山東金誠聯創管業股份有限公司
2021-08-27
PZT-43 PZT-52 Φ36×Φ32×40壓電陶瓷管
淄博宇海電子陶瓷有限公司
2021-08-30
低 C/N 比城市污水連續流脫氮除磷工藝與過程控制技術
針對國內外低 C/N 城市污水處理中氮磷難以達標及能耗高的技術難題，本成果經過 10 余年的潛心研究與工程實踐，提出了 1 個原創理論與方法，突破了 3 項新技術應用的瓶頸，開發并集成了 4 個低 C/N 比城市污水脫氮除磷改良工藝及過程控制技術，共獲得 28 項授權的發明專利，發表論文 100 余篇 (SCI50 余篇 )，出版 2 本專著，獲 2 次全國優秀博士學位論文提名獎，2 項國家級火炬計劃項目。本成果為低 C/N 比城市污水連續流脫氮除磷提供了多角度、全方位的綜合性解決方案，填補了我國在此項技術研究領域的空白，形成了具有我國自主知識產權的污水脫氮除磷技術。
北京工業大學
2021-04-13
超晶格結構的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法
簡介：本發明提供一種超晶格結構的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法,屬于材料表面技術領域。本發明該超硬膜是由電弧離子鍍的納米晶體相Cr2N和磁控濺射鍍的非晶體相WC層交替沉積而成,并且,超晶格的調制周期為10～20nm,Cr2N單層和WC單層的厚度分別為8～14nm和2～6nm。本發明的優點在于:Cr2N層與WC層交替分布實現了Cr-N基膜成分多元化和結構多層化,解決了抗氧化性較強的Cr-N基膜獲得超高硬度的難題,同時非晶WC層進一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蝕性能,滿足不能熱處理的
安徽工業大學
2021-04-14
低C/N比城市污水連續流脫氮除磷工藝與過程控制技術
北京工業大學
2021-04-14
TiO2/g-C3N4納米復合物用于可見光產氫
課題組依據共價鍵、靜電吸引力、范德華力三種不同作用力類型，構筑了三類TiO 2
南方科技大學
2021-04-14
一種分辨 N2 分子振轉 Raman 譜的雙光柵光譜儀系統
本發明公開了一種測量大氣水 Raman 譜和氣溶膠熒光譜的激光雷達系統。該系統由發射單本發明 公開一種分辨 N2 分子振轉 Raman 譜的雙光柵光譜儀系統。包括信號饋入單元、光學色散單元和信號檢 測單元。信號饋入單元采用集束光纖將傳導的信號光饋入光學色散單元;光學色散單元包含兩組級聯的 準 Littrow 結構布局的單光柵色散系統;信號檢測單元分辨與記錄色散后的通帶范圍內譜信號。在波長 354.8nm 紫外激光輻射下，由 N2 分子產生的 Stokes 振轉 Raman 譜中心波長為 386.8nm，對稱分布在兩 側的 O 支與 S 支譜各譜線在頻譜上等間距;本發明能提取 N2 分子振轉 Raman 譜 O 支及 S 支各分立譜 線信號，實現對 N2 分子振轉 Raman 譜的分辨與檢測，同時能對 354.8nm 附近光信號產生大幅抑制。
武漢大學
2021-04-13
超大功率硅基射頻LDMOS晶體管設計技術
大功率射頻LDMOS器件以其線性度好、增益高、輸出功率大、熱穩定性好、效率高、寬帶匹配性能好、價格低廉等方面的優勢已經成為基站、廣播電視發射機、航空電子、雷達等領域等應用最廣泛的射頻功率器件。 本團隊利用優化的法拉第屏蔽罩結構和版圖布局技術，基于國內8英吋工藝技術平臺，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（圖1），能夠提供完整的RF LDMOS器件的設計與研制方案。目前已制作出頻率0.5GHz，輸出功率>500W，功率增益>18dB、漏極效率>50%的單芯片RF LDMOS 器件；頻率1.2GHz，輸出功率>600W，功率增益>20dB、漏極效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；頻率3.1GHz，輸出功率>80W，功率增益>10dB、漏極效率>35%的單芯片S波段RF LDMOS 器件（圖2）。 (a) (b) 圖1 RF LDMOS器件：(a)晶圓顯微照片 (b)封裝器件 a b c 圖2 RF LDMOS器件功率測試曲線：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
電子科技大學
2021-04-10
超大功率硅基射頻LDMOS晶體管設計技術
本團隊利用優化的法拉第屏蔽罩結構和版圖布局技術，基于國內8英吋工藝技術平臺，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件，能夠提供完整的RF LDMOS器件的設計與研制方案。
電子科技大學
2021-04-10