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李源和合作者所關注的材料是Cu3TeO6，在這個材料中，每個原胞內(nèi)有12個具有磁性的Cu2+離子。在61K以下，Cu3TeO6成為反鐵磁體，原胞中6個Cu2+離子磁矩方向大致平行，而另外6個Cu2+離子與它們反向。利用線性自旋波理論，李源和合作者發(fā)現(xiàn)，Cu3TeO6中的自旋波具有線性的能帶交疊，而進一步的分析表明這種能帶交疊具有拓撲性質(zhì)：具有純數(shù)形式的拓撲電荷，它們不依賴于模型的細節(jié)，而只和體系的對稱性有關。李源和合作者證明了，只要材料中具有PT對稱性（時間反演和空間反演），那么，自旋波的線性能帶交疊總是存在。如果同時也存在整體的自旋旋轉(zhuǎn)對稱性U(1)，這種拓撲能帶交疊具有狄拉克點的形式（圖1a），而將U(1)對稱性移除，則狄拉克點將拓展為結(jié)線（圖1b）。狄拉克點和結(jié)線都是在特定材料新預言的拓撲能帶交疊類型。Cu3TeO6具有很高的晶體對稱性（第206號空間群，圖1c）,由此保證了在U(1)對稱性存在的前提下，布里淵區(qū)P點位置的自旋波總是狄拉克點。圖1：（a）基于J1-J2模型的自旋波色散（b）布里淵區(qū)以及布里淵區(qū)中的狄拉克點，同時展示了U(1)對稱性移除后狄拉克點演化為結(jié)線的過程（c）材料中Cu2+離子J1-J2交換網(wǎng)絡。 為了在實驗上研究上述自旋波的拓撲能帶，李源和合作者又對Cu3TeO6晶體陣列樣品進行了非彈性中子散射實驗。在實驗中，李源和合作者觀測到了四維空間中清晰的自旋波信號。為了將實驗結(jié)果和理論計算進行對照，李源和合作者在模擬材料中磁交換作用方面做了大量工作，他們認為：Cu2+離子之間最主要的磁交換作用是最近鄰和第九近鄰的交換作用，前者由于距離最近，后者由于離子之間相對筆直的交換路徑。從圖2a和b可以看到實驗和計算結(jié)果符合得相當好：數(shù)據(jù)不僅表明在布里淵區(qū)的P點存在狄拉克錐型的色散（圖2c），而且散射信號的強度與計算也幾乎是一致的（圖2d和e）。散射信號的強度反映了動力學結(jié)構(gòu)因子S(Q,w)，其中包含了自旋波波函數(shù)的重要信息，所以實驗和理論的一致性可以認為是材料中自旋波拓撲屬性的直接驗證。圖2：（a和b）沿著圖1（b）高對稱路徑的實驗和計算的自旋波信號強度圖，布里淵區(qū)中心是(1, 1, 2)（c）布里淵區(qū)P點的狄拉克錐型色散（d和e）a和b虛線框中自旋波的細節(jié)，虛線包絡表明了P點的狄拉克錐型色散。

產(chǎn)品概述： FCP磁場控制平臺是根據(jù)磁控原理設計的理想磁測量系統(tǒng)，磁場范圍超過3T，利用TESTIK475高斯計穩(wěn)定磁場控制，適合各系列電磁鐵配置，連續(xù)可變的電磁氣隙，實心的和光學入口極帽，線型雙極，真實四象限電磁鐵電源。   您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 磁場控制平臺磁控原理磁測量系統(tǒng) FCP磁場控制平臺控制特征： TESTIK475型高斯計努力保持確切的磁場密度，用戶輸入的控制設定點，用G、T、Oe、A/m來表示。北京錦正茂的電磁鐵磁場控制平臺集成了硬件和控制部件來形成一個變化的磁場平臺，可以被獨立的被利用或做為用戶設計的測量系統(tǒng)的一個基礎。 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！  磁場控制平臺磁控原理磁測量系統(tǒng) ※ 磁場控制平臺包括錦正茂公司的電磁鐵、雙極電源、具有控制能力的DSP技術的高斯計、霍爾探頭及支架等。 錦正茂提供的磁場控制平臺具有不同的配制用來滿足在磁場強度、磁場均勻性、樣品尺寸、自定義測量要求等基礎之上的用戶要求。可以獨立的形成用戶所需要的不同磁場強度的可變磁場。廣泛用于磁光測量系統(tǒng)、VSM測量系統(tǒng)、在線退火、霍爾效應、磁化率測量、自旋磁共振、B-H曲線測量和精準的傳感器校準等領域。 475高斯計從高斯計霍爾探頭得到反饋來計算并調(diào)整控制（模擬）輸出。為了更大程度實現(xiàn)控制的穩(wěn)定性，475型高斯計每33毫秒更新模擬輸出。結(jié)果是一個內(nèi)置的PI 控制器提供了峰值-到-峰值的0.5 G*的磁場穩(wěn)定性。 ※ 當設定點速率激活的時候，儀器會開始從當前磁場讀數(shù)加速而不是當前設定點，基于對P和I的設定。另外，475高斯計能設定速率來控制設定點，從當前磁場讀數(shù)到一個新的值，使用一個磁場中平滑線性變換而不是瞬態(tài)特性的PI控制。 ※ 開環(huán)磁場控制也可能用手動輸出來使用475模擬輸出，這意味著忽視了反饋并且模擬輸出停留在手動用戶調(diào)整。這個方法使磁體電源操作處于恒定電流模式。 ※ 475也包含了用戶可設定的控制斜率限制和模擬輸出電壓限制。這些軟件限制保證了磁體電源如果磁場控制系統(tǒng)遭到不合適的調(diào)整或開始擺動而不會損壞。 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 錦正科技以現(xiàn)代高科技產(chǎn)業(yè)和傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)為核心業(yè)務，對內(nèi)承接科研生產(chǎn)任務，對外以商務平臺方式實現(xiàn)軍民兩用技術成果轉(zhuǎn)換，形成了科學管理的現(xiàn)代化經(jīng)營模式，專門從事物理、化學和材料等領域的科學儀器研發(fā)、銷售各類型超低溫測試設備（液氮 液氦）制冷機系統(tǒng)集成 ，定制 ，高低溫真空磁場發(fā)生系統(tǒng)，Helmholtz線圈（全套解決方案），電磁鐵（全系列支持定制），螺線管，電子槍（高穩(wěn)定性雙極性磁鐵恒流電源1ppm），高低溫磁場真空探針臺，霍爾測試系統(tǒng)，電輸運測量解決方案，磁光克爾效應測量系統(tǒng)等產(chǎn)品種類齊全，性能可靠，至今已有近10余年的歷史，是國內(nèi)（較早）生產(chǎn)探針臺，電輸運，電磁鐵的廠家之一。    

針對傳統(tǒng)光柵衍射效應固定不變，不可調(diào)節(jié)，運用面狹窄的問題，提出了一種磁流體光柵，利用外磁場的強度來控制磁流體的折射率和吸收系數(shù)，進而使得磁流體光柵的折射率調(diào)制和吸收系數(shù)調(diào)制隨外磁場的改變而改變，實現(xiàn)磁流體光柵衍射效率可調(diào)的特性。   所述磁流體光柵包括一個周期性凹槽、一種磁流體、一個光學透明的剛性覆蓋層及一個磁場產(chǎn)生裝置，磁流體填入周期性凹槽的各個凹槽中，光學透明的剛性覆蓋層將磁流體密封在周期性凹槽中，磁場產(chǎn)生裝置置于周期性凹槽外，磁場產(chǎn)生裝置通電后在磁流體所在的位置產(chǎn)生均勻、可調(diào)的磁場，用于改變磁流體的折射率和吸收系數(shù)。   所述的周期性凹槽是在光學透明的剛性襯底上用帶折射率的光學材料隔成一個個凹槽，制作凹槽的方法采用蝕刻法。所述磁流體，由表面包覆活性劑的磁性微粒和用于分散磁性顆粒的液相載液組成。所述周期性凹槽的深度在1μm—10μm之間、寬度在1μm一200μm之間。所述光學透明的剛性襯底和光學透明的剛性覆蓋層為石英(Si02）、光學玻璃。所述的周期性凹槽的周期Λ、深度d、入射光波長λ和磁流體光柵的平均折射率n0滿足關系式2πλd／(noΛ)2<<1薄光柵條件，形狀選用矩形、鋸齒形、余弦形。所述的磁流體的磁性微粒選用四氧化三鐵(Fe304)、三氧化二鐵(Fe203)、錳鋅鐵氧體，表面活性劑選用油酸、亞油酸、橄欖油，液相載液選用水、煤油。所述的磁場產(chǎn)生裝置包括一個或一對螺線圈和一個可調(diào)直流恒流源，該可調(diào)直流恒流源用于給電磁鐵或螺線圈供電，其輸出電流的大小控制電磁鐵磁場或螺線圈感應磁場的強度。所述的磁場產(chǎn)生裝置產(chǎn)生的磁場平行于襯底或覆蓋層的表面、并且垂直于凹槽的長邊側(cè)壁。  將磁流體這一液相磁性物質(zhì)用來制作光柵，利用磁流體的折射率和吸收系數(shù)隨外磁場強度變化的特點，通過外磁場即可控制光柵的衍射光效率，從而實現(xiàn)了衍射奴率可調(diào)的光柵。實現(xiàn)了可在線、實時調(diào)節(jié)指定階次衍射光的衍射效率，為光通訊和光子器件領域的性能提高提供了新的方法。

產(chǎn)品詳細介紹安裝簡單方便粘貼式磁性帶傳感器磁頭安裝允許的間隙小（10mm）非接觸式線性測量系統(tǒng)，無磨損抗液體、抗油污、抗振動，可以在-20～70℃溫度范圍內(nèi)正常使用 廣泛應用于各種行業(yè)的位置、角度檢測中 

320mm×220mm×200mm，酒精燈加熱，輪子會轉(zhuǎn)動。

本發(fā)明公開了一種生產(chǎn)非晶納米晶軟磁材料的冷卻輥裝置。它主要包括：輥基體、輥套、第一蓋板、主軸和第二蓋板，主軸上設有輥基體，輥基體外圓側(cè)設有輥套，輥基體兩側(cè)分別設有兩個蓋板，并且通過輥套相連，兩個蓋板外周邊設有與輥套相配合的凸環(huán)，輥基體外圓中心區(qū)域設有環(huán)形凸臺，輥套內(nèi)表面中心區(qū)域排布有螺旋形水槽，螺旋形水槽端面與輥基體的凸臺外圓面貼合形成螺旋形冷卻水流動通道，輥套內(nèi)表面外側(cè)與兩個蓋板以及輥基體外圓面共同圍成左右兩個對稱的階梯狀環(huán)形等間距冷卻水流動通道。本發(fā)明冷卻輥的水道結(jié)構(gòu)設置有助于實現(xiàn)輥套與非晶帶材接觸區(qū)域內(nèi)的溫度場分布均勻化，從而改善非晶寬帶制品由于冷卻不均勻而產(chǎn)生的一系列缺陷。

本發(fā)明公開了一種流延成型制備金屬軟磁復合材料的方法。其主要步驟為：1）將鈍化劑和溶劑按照鈍化劑質(zhì)量分數(shù)為0.1%-5%混合起來得到鈍化液，將鈍化液和磁性金屬粉末按照質(zhì)量比為0.01-1混合，攪拌，烘干，得到鈍化粉；2）將鈍化粉和有機溶劑，分散劑，粘結(jié)劑，增塑劑混合，攪拌均勻，并經(jīng)過篩網(wǎng)過濾，除泡，制備得均勻彌散的漿料；3）流延成型；4）干燥，固化處理。本發(fā)明的優(yōu)點是利用流延法制備的金屬軟磁復合材料具有電阻率高，飽和磁通密度較傳統(tǒng)鐵氧體高的特點。利用較成熟的流延工藝使薄膜金屬軟磁復合材料的生產(chǎn)工藝簡單化，成本降低，在薄膜電感等電子器件的制備中有廣闊的應用前景。

本發(fā)明提供了一種對具有導磁材料保護層的構(gòu)件腐蝕檢測方法，具體為：將導磁保護層磁化到飽和或深度飽和，在被測構(gòu)件表面選取參考區(qū)域和待測區(qū)域，在兩區(qū)域的保護層上設置脈沖渦流傳感器，向脈沖渦流傳感器激勵線圈中施加方波激勵，測取方波下降至低電平后傳感器檢測線圈內(nèi)感應電壓的衰減曲線，比較兩區(qū)域的感應電壓衰減曲線差異，即可判別待測區(qū)域相對參考區(qū)域的腐蝕情況。本發(fā)明還提供了實現(xiàn)上述方法的裝置，包括依次連接的脈沖渦流傳感器、方波信號激勵電路、信號處理電路、A/D 轉(zhuǎn)換電路和計算機，脈沖渦流傳感器帶有磁化單元。本發(fā)明提

衛(wèi)星在軌運行和返回過程中需經(jīng)歷極端高低溫環(huán)境，構(gòu)件尺寸的穩(wěn)定是保證衛(wèi)星在軌高精度、返回高安全、任務高可靠的關鍵。針對衛(wèi)星搭載的某寬帶微波載荷與衛(wèi)星本體材料之間熱膨脹系數(shù)不匹配極易導致的載荷在軌及返回過程中載荷接收精度不穩(wěn)定、信息傳輸不連續(xù)等問題。我校陳駿教授團隊以原創(chuàng)的負熱膨脹技術研發(fā)了具有輕質(zhì)、熱膨脹系數(shù)低、力學性能優(yōu)異、尺寸穩(wěn)定性好的高性能低膨脹鋁基復合材料，并研制了系列關鍵連接內(nèi)置件、環(huán)件等高性能低膨脹構(gòu)件，首次將負熱膨脹技術應用到我國的衛(wèi)星上，填補了高性能低膨脹金屬構(gòu)件在工程應用領域的空白。該技術使得某寬帶微波載荷與衛(wèi)星本體之間熱膨脹匹配性增強、界面應力大幅度減小，保證了衛(wèi)星在軌與返回過程中信號高精度傳輸與接收，助力衛(wèi)星成功返回。 圖1 實踐十九號衛(wèi)星成功返回（圖片來源國家航天局） 圖2 高性能低膨脹鋁基復合材料及構(gòu)件應用于全球首顆可重復使用返回式技術試驗衛(wèi)星（圖片來源央視新聞頻道）

本發(fā)明公開了一種導磁構(gòu)件超強磁化漏磁檢測方法及裝置。該方法采用單一穿過式磁化線圈對導磁構(gòu)件進行局部單一軸向超強磁化，激發(fā)出其上縱、橫向傷的泄漏磁場并利用磁敏元件陣列加以拾取，實現(xiàn)其上縱、橫向傷的全面檢出；再通過信號求和比較法進行縱、橫向傷檢出信號區(qū)分并對其進行信號幅值補償，實現(xiàn)同損傷當量的縱、橫向傷等信號幅值與靈敏度的統(tǒng)一判斷。裝置包括穿過式線圈、磁敏組件，信號識別補償組件和數(shù)據(jù)采集卡。本發(fā)明將傳統(tǒng)的檢測方法進行簡化與統(tǒng)一，降低成本；實現(xiàn)導磁構(gòu)件與檢測單元之間簡單的直進式相對掃查運動，完成高速高效地