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隨著支配半導(dǎo)體技術(shù)數(shù)十年的摩爾定律日益接近其發(fā)展極限，多種功能器件集成被認(rèn)為是超越摩爾定律延續(xù)集成電路發(fā)展進(jìn)程的重要途徑之一，這就需要能夠滿足多種功能器件高密度集成的制造技術(shù)。多元兼容集成制造技術(shù)就是為此而開(kāi)發(fā)的，該技術(shù)通過(guò)在更大范圍內(nèi)優(yōu)選結(jié)構(gòu)/功能材料組合，開(kāi)發(fā)異質(zhì)集成制造工藝，大大拓展了功能微器件創(chuàng)新設(shè)計(jì)和制造的騰挪空間。經(jīng)過(guò)多年探索，目前已形成了涵蓋金屬、聚合物、陶瓷、復(fù)合材料的MEMS異質(zhì)異構(gòu)制造技術(shù)體系，并在多種類型功能器件研發(fā)中發(fā)揮了關(guān)鍵作用，初步展現(xiàn)了其基礎(chǔ)性支撐作用，相關(guān)技術(shù)獲得2016年度上海市技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)。 微系統(tǒng)集成發(fā)展趨勢(shì) 多元兼容集成制造技術(shù)  獲獎(jiǎng)情況 上海市技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)2016年團(tuán)隊(duì)獲獎(jiǎng) 國(guó)家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)2008年 上海市技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)2007年 超薄超快高熱流密度微通道散熱器 上海交通大學(xué)團(tuán)隊(duì)在長(zhǎng)期研究經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)積累基礎(chǔ)上，創(chuàng)造性地提出了不同高熱導(dǎo)率材料組合構(gòu)造的復(fù)合結(jié)構(gòu)微通道散熱器設(shè)計(jì)方案，并基于多元兼容集成制造技術(shù)完成了多種尺寸樣品研制，其中，熱源面積與常用功率芯片尺度相當(dāng)?shù)某∩崞骼鋮s能力達(dá)到800W/cm2以上，在保留傳統(tǒng)微通道散熱器良好系統(tǒng)兼容性和適用性的基礎(chǔ)上達(dá)到了相當(dāng)高的散熱能力水平，為解決高功率芯片系統(tǒng)超高熱流密度散熱問(wèn)題提供了一個(gè)深具可行性的解決方案。 高溫薄膜溫度傳感器研究  發(fā)動(dòng)機(jī)燃燒室等極端惡劣環(huán)境下（高溫、強(qiáng)振動(dòng)、強(qiáng)腐蝕等）的工作參數(shù)現(xiàn)場(chǎng)監(jiān)測(cè)對(duì)傳感器技術(shù)是嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，國(guó)內(nèi)外研究廣泛。交大團(tuán)隊(duì)基于特種材料微納集成制造技術(shù)的長(zhǎng)期積累，在高溫絕緣薄膜材料、多層薄膜應(yīng)力調(diào)控、曲面圖形化和高溫敏感介質(zhì)等技術(shù)上取得了一定突破，成功開(kāi)發(fā)了多種可與現(xiàn)場(chǎng)結(jié)構(gòu)共型的高溫薄膜傳感器，具有體積小、環(huán)境擾動(dòng)小、響應(yīng)快、靈敏度高、可分布式安置等優(yōu)點(diǎn)，該團(tuán)隊(duì)已經(jīng)掌握了溫度、應(yīng)力/應(yīng)變、熱流等多種高溫狀態(tài)參數(shù)測(cè)量技術(shù)，適用溫度在800-1300℃之間。 薄膜絕緣電阻隨溫度的變化及測(cè)試結(jié)構(gòu) 高溫薄膜溫度傳感器制造及曲面圖形化技術(shù) 薄膜溫度傳感器在發(fā)動(dòng)機(jī)不同部位測(cè)溫需求 無(wú)線溫度傳感器測(cè)溫系統(tǒng) 高性能轉(zhuǎn)接板 基于轉(zhuǎn)接板的多芯片封裝是2.5D高密度集成最具可行性的方案之一。但是傳統(tǒng)的硅轉(zhuǎn)接板性價(jià)比不高，阻礙了廣泛應(yīng)用。上海交大團(tuán)隊(duì)基于非硅微加工技術(shù)的長(zhǎng)期積累，突破了硅轉(zhuǎn)接板絕緣層完整性和再分布層熱隔離的難題，成功研制了漏電流極低的低成本高性能硅轉(zhuǎn)接板。此外，還開(kāi)發(fā)了復(fù)合材料非硅轉(zhuǎn)接板，TCV陶瓷轉(zhuǎn)接板，TGV玻璃轉(zhuǎn)接板等各種三維封裝基板，實(shí)驗(yàn)室能夠針對(duì)不同類型器件三維高密度封裝的具體要求，定制開(kāi)發(fā)不同功能的專用轉(zhuǎn)接板，為多功能、高密度、高功率、低成本封裝提供個(gè)性化解決方案。 TSV-3D 高密度封裝概念圖  金屬-聚合物-納米復(fù)合材料非硅基轉(zhuǎn)接板實(shí)物圖片

"近年來(lái)，鋰離子電池在智能電網(wǎng)、航空航天和軍事儲(chǔ)能等高能耗新能源領(lǐng)域的應(yīng)用不斷擴(kuò)展，現(xiàn)有商用正極材料體系（包括層狀結(jié)構(gòu)的鎳鈷錳酸鋰、尖晶石結(jié)構(gòu)的錳酸鋰和橄欖石結(jié)構(gòu)的磷酸鐵鋰）的實(shí)際比容量已經(jīng)接近各自的理論極限值，無(wú)法滿足日益增長(zhǎng)的能量密度需求。富鋰錳基正極材料不僅具有高的比容量（250 mA h/g）和能量密度（1000 Wh/kg），而且其較低的鈷和鎳含量能夠有效降低電池的成本。 本項(xiàng)目主要通過(guò)構(gòu)筑缺陷來(lái)增強(qiáng)富鋰錳基正極材料的電化學(xué)性能，實(shí)現(xiàn)高的首圈庫(kù)倫效率、倍率性能和循環(huán)穩(wěn)定性，提升富鋰錳基正極材料整體性能，為其商業(yè)化應(yīng)用打下基礎(chǔ)。 "

傳統(tǒng)pH值測(cè)試方法大多采用取樣的方式來(lái)測(cè)定溶液的pH值，對(duì)隨時(shí)變化的工業(yè)廢水的pH檢測(cè)相對(duì)滯后，不能實(shí)時(shí)反應(yīng)溶液酸堿性的變化，其結(jié)果是當(dāng)檢測(cè)到pH值偏離正常時(shí)，污染已經(jīng)發(fā)生，不能在第一時(shí)間控制污染造成的損害。 本項(xiàng)目將pH指示劑固定在微流芯片中，當(dāng)不同酸堿度的液體流經(jīng)檢測(cè)芯片時(shí)，特定波長(zhǎng)透過(guò)光強(qiáng)發(fā)生變化，經(jīng)光電二極管轉(zhuǎn)化為電壓信號(hào)，再經(jīng)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)讀出pH值，可實(shí)時(shí)反映流體pH值的改變，監(jiān)控生產(chǎn)狀況的變化及對(duì)污染進(jìn)行實(shí)時(shí)報(bào)警。

項(xiàng)目成果/簡(jiǎn)介:隨著支配半導(dǎo)體技術(shù)數(shù)十年的摩爾定律日益接近其發(fā)展極限，多種功能器件集成被認(rèn)為是超越摩爾定律延續(xù)集成電路發(fā)展進(jìn)程的重要途徑之一，這就需要能夠滿足多種功能器件高密度集成的制造技術(shù)。多元兼容集成制造技術(shù)就是為此而開(kāi)發(fā)的，該技術(shù)通過(guò)在更大范圍內(nèi)優(yōu)選結(jié)構(gòu)/功能材料組合，開(kāi)發(fā)異質(zhì)集成制造工藝，大大拓展了功能微器件創(chuàng)新設(shè)計(jì)和制造的騰挪空間。經(jīng)過(guò)多年探索，目前已形成了涵蓋金屬、聚合物、陶瓷、復(fù)合材料的MEMS異質(zhì)異構(gòu)制造技術(shù)體系，并在多種類型功能器件研發(fā)中發(fā)揮了關(guān)鍵作用，初步展現(xiàn)了其基礎(chǔ)性支撐作用，相關(guān)技術(shù)獲得2016年度上海市技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)。微系統(tǒng)集成發(fā)展趨勢(shì)多元兼容集成制造技術(shù) 獲獎(jiǎng)情況上海市技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)2016年團(tuán)隊(duì)獲獎(jiǎng)國(guó)家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)2008年上海市技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)2007年超薄超快高熱流密度微通道散熱器上海交通大學(xué)團(tuán)隊(duì)在長(zhǎng)期研究經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)積累基礎(chǔ)上，創(chuàng)造性地提出了不同高熱導(dǎo)率材料組合構(gòu)造的復(fù)合結(jié)構(gòu)微通道散熱器設(shè)計(jì)方案，并基于多元兼容集成制造技術(shù)完成了多種尺寸樣品研制，其中，熱源面積與常用功率芯片尺度相當(dāng)?shù)某∩崞骼鋮s能力達(dá)到800W/cm2以上，在保留傳統(tǒng)微通道散熱器良好系統(tǒng)兼容性和適用性的基礎(chǔ)上達(dá)到了相當(dāng)高的散熱能力水平，為解決高功率芯片系統(tǒng)超高熱流密度散熱問(wèn)題提供了一個(gè)深具可行性的解決方案。高溫薄膜溫度傳感器研究 發(fā)動(dòng)機(jī)燃燒室等極端惡劣環(huán)境下（高溫、強(qiáng)振動(dòng)、強(qiáng)腐蝕等）的工作參數(shù)現(xiàn)場(chǎng)監(jiān)測(cè)對(duì)傳感器技術(shù)是嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，國(guó)內(nèi)外研究廣泛。交大團(tuán)隊(duì)基于特種材料微納集成制造技術(shù)的長(zhǎng)期積累，在高溫絕緣薄膜材料、多層薄膜應(yīng)力調(diào)控、曲面圖形化和高溫敏感介質(zhì)等技術(shù)上取得了一定突破，成功開(kāi)發(fā)了多種可與現(xiàn)場(chǎng)結(jié)構(gòu)共型的高溫薄膜傳感器，具有體積小、環(huán)境擾動(dòng)小、響應(yīng)快、靈敏度高、可分布式安置等優(yōu)點(diǎn)，該團(tuán)隊(duì)已經(jīng)掌握了溫度、應(yīng)力/應(yīng)變、熱流等多種高溫狀態(tài)參數(shù)測(cè)量技術(shù)，適用溫度在800-1300℃之間。薄膜絕緣電阻隨溫度的變化及測(cè)試結(jié)構(gòu)高溫薄膜溫度傳感器制造及曲面圖形化技術(shù)薄膜溫度傳感器在發(fā)動(dòng)機(jī)不同部位測(cè)溫需求無(wú)線溫度傳感器測(cè)溫系統(tǒng)高性能轉(zhuǎn)接板基于轉(zhuǎn)接板的多芯片封裝是2.5D高密度集成最具可行性的方案之一。但是傳統(tǒng)的硅轉(zhuǎn)接板性價(jià)比不高，阻礙了廣泛應(yīng)用。上海交大團(tuán)隊(duì)基于非硅微加工技術(shù)的長(zhǎng)期積累，突破了硅轉(zhuǎn)接板絕緣層完整性和再分布層熱隔離的難題，成功研制了漏電流極低的低成本高性能硅轉(zhuǎn)接板。此外，還開(kāi)發(fā)了復(fù)合材料非硅轉(zhuǎn)接板，TCV陶瓷轉(zhuǎn)接板，TGV玻璃轉(zhuǎn)接板等各種三維封裝基板，實(shí)驗(yàn)室能夠針對(duì)不同類型器件三維高密度封裝的具體要求，定制開(kāi)發(fā)不同功能的專用轉(zhuǎn)接板，為多功能、高密度、高功率、低成本封裝提供個(gè)性化解決方案。TSV-3D 高密度封裝概念圖 金屬-聚合物-納米復(fù)合材料非硅基轉(zhuǎn)接板實(shí)物圖片知識(shí)產(chǎn)權(quán)類型:發(fā)明專利 、 軟件著作權(quán) 、 集成電路布圖設(shè)計(jì)技術(shù)先進(jìn)程度:達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平成果獲得方式:獨(dú)立研究獲得政府支持情況:國(guó)家級(jí)

本發(fā)明提供一種識(shí)別微絲菌用熒光探針的制備方法，該方法先采用鹵代長(zhǎng)碳鏈化合物對(duì)咔唑吡啶苯乙烯類菁染料的4-甲基吡啶部分進(jìn)行修飾，而后再與3-甲酰基-N-乙基咔唑反應(yīng)合成具有長(zhǎng)疏水鏈的熒光探針。本發(fā)明效果為，該探針制備過(guò)程中將咔唑吡啶苯乙烯類菁染料的制備和修飾同步化，制備方法簡(jiǎn)單，制得的熒光探針背景干擾小，熒光強(qiáng)度高，熒光性質(zhì)穩(wěn)定。利用微絲菌具有疏水表面這一特性，本申請(qǐng)中所制備的具有長(zhǎng)疏水鏈的熒光探針可與其結(jié)合，從而達(dá)到熒光識(shí)別微絲菌的目的。

高性能的相干光源是基礎(chǔ)光物理研究和集成光子學(xué)應(yīng)用的關(guān)鍵前提之一。近年來(lái)，具有超高品質(zhì)因子的回音壁模式光學(xué)微腔已經(jīng)成為研究各種新型高效光源的重要平臺(tái)，實(shí)驗(yàn)上已經(jīng)獲得了包括宇稱-時(shí)間反演對(duì)稱激光、軌道角動(dòng)量激光和微腔光學(xué)頻率梳等。然而，回音壁微腔模式存在的固有手征對(duì)稱性導(dǎo)致腔中激光場(chǎng)通常是等強(qiáng)度相向傳輸?shù)模瑖?yán)重阻礙了諸多光子學(xué)器件應(yīng)用的發(fā)展，例如單向光發(fā)射、全光寄存器和非互易光傳輸?shù)取Ｆ瘢@得具有單向性的回音壁微腔手征激光，通常需要直接打破光學(xué)諧振腔的幾何手征對(duì)稱性。這種方法得到的激光方向性是固定的，難以動(dòng)態(tài)調(diào)控其出射性質(zhì)，且對(duì)諧振腔的形狀設(shè)計(jì)和工藝制備要求較高。

本項(xiàng)目將研究CVD金剛石厚膜的制備技術(shù)，導(dǎo)絲模的超聲微納加工技術(shù)，最終制作出合格的CVD金剛石導(dǎo)絲模，內(nèi)孔尺寸公差<0.1微米，內(nèi)孔和外圓的同心度要求小于5mm，內(nèi)孔表面粗糙度Ra<0.01mm，達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。 本項(xiàng)目涉及金剛石厚膜的制備到CVD金剛石導(dǎo)絲模的關(guān)鍵工藝，項(xiàng)目成功后，將研發(fā)成功具有我國(guó)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的金剛石導(dǎo)絲模，對(duì)我國(guó)模具產(chǎn)業(yè)和精密加工技術(shù)的發(fā)展具有重要的推動(dòng)作用。   應(yīng)用范圍： 該產(chǎn)品應(yīng)用于電火花線切割機(jī)床上使用，可以保證電火花線切割的質(zhì)量和工件的加工精度。  

近年來(lái)，鋰離子電池在智能電網(wǎng)、航空航天和軍事儲(chǔ)能等高能耗新能源領(lǐng)域的應(yīng)用不斷擴(kuò)展，現(xiàn)有商用正極材料體系（包括層狀結(jié)構(gòu)的鎳鈷錳酸鋰、尖晶石結(jié)構(gòu)的錳酸鋰和橄欖石結(jié)構(gòu)的磷酸鐵鋰）的實(shí)際比容量已經(jīng)接近各自的理論極限值，無(wú)法滿足日益增長(zhǎng)的能量密度需求。富鋰錳基正極材料不僅具有高的比容量（250 mA h/g）和能量密度（1000 Wh/kg），而且其較低的鈷和鎳含量能夠有效降低電池的成本。本項(xiàng)目主要通過(guò)構(gòu)筑缺陷來(lái)增強(qiáng)富鋰錳基正極材料的電化學(xué)性能，實(shí)現(xiàn)高的首圈庫(kù)倫效率、倍率性

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種可調(diào)節(jié)夾持力度的可彎曲微創(chuàng)器械，包括依次連接的操作部、撓性延伸部及控制部，操作部包括操作頭及傳動(dòng)裝置，操作頭包括第一操作件和第二操作件，傳動(dòng)裝置包括基座、導(dǎo)向槽、齒條、彈性復(fù)位件、第一齒輪、第二齒輪、第一轉(zhuǎn)動(dòng)桿、第一導(dǎo)向桿、第一連桿、第二轉(zhuǎn)動(dòng)桿、第二導(dǎo)向桿以及第二連桿，撓性延伸部包括形成于中心的貫穿通道以及穿設(shè)于貫穿通道內(nèi)的傳動(dòng)索，傳動(dòng)索的前端固定于齒條的后端壁，傳動(dòng)索的后端與控制部相連，使得當(dāng)齒條在傳動(dòng)索的作用下于導(dǎo)向槽往復(fù)運(yùn)動(dòng)時(shí)，第一操作件和第二操作件相對(duì)于彼此進(jìn)行開(kāi)合運(yùn)動(dòng)。

微地震監(jiān)測(cè)系統(tǒng)是通過(guò)監(jiān)測(cè)巖體破裂產(chǎn)生的震動(dòng)或其他物體的震動(dòng)，對(duì)監(jiān)測(cè)對(duì)象的破壞狀況、安全狀況等作出評(píng)價(jià)，從而為預(yù)報(bào)和控制災(zāi)害提供依據(jù)的成套設(shè)備和技術(shù)。該監(jiān)測(cè)系統(tǒng)可廣泛應(yīng)用于礦山巖體破裂的定位監(jiān)測(cè)，是預(yù)測(cè)預(yù)報(bào)頂板垮落、礦井突水、煤與瓦斯突出、沖擊地壓等的有效工具，也可根據(jù)監(jiān)測(cè)到的巖體破裂的范圍和破裂程度，確定導(dǎo)水裂隙帶高度、開(kāi)采上限和巷道的合理位置等重要參數(shù)。微地震監(jiān)測(cè)系統(tǒng)也可應(yīng)用于建筑物安全監(jiān)控、大壩和邊坡穩(wěn)定性監(jiān)測(cè)、核廢料儲(chǔ)存峒室穩(wěn)定性監(jiān)測(cè)、隧道穩(wěn)定性監(jiān)測(cè)以及石油、軍事等領(lǐng)域。研制的適合地面和地下使用的微地震監(jiān)測(cè)系統(tǒng)已經(jīng)在山東的兩個(gè)煤礦應(yīng)用，監(jiān)測(cè)到了采場(chǎng)周圍巖體的破裂過(guò)程和范圍，確定了高應(yīng)力的范圍，找到了解放層的解放區(qū)域和參數(shù)，為合理布置工作面、控制沖擊地壓提供了重要參數(shù)，解決了煤礦多年來(lái)探索的難題。測(cè)出了工作面周圍巖體三維破裂參數(shù)，正確確定了導(dǎo)水裂隙帶高度，為提高開(kāi)采上限提供了科學(xué)依據(jù)。監(jiān)測(cè)系統(tǒng)和相關(guān)技術(shù)總體達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平，部分技術(shù)達(dá)到了國(guó)際領(lǐng)先水平。