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一種異位活性氧化鎂碳化固化淤泥土處理系統(tǒng)
本發(fā)明公開了一種異位活性氧化鎂碳化固化淤泥土處理系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括：預處理裝置、固化劑供給裝置、均混裝置、造粒裝置、碳化裝置和收集裝置，通過上述裝置的依次工作，完成淤泥與固化劑的充分拌合以及氧化鎂固化淤泥顆粒的快速碳化，從而解決高含水率、低滲透性的淤泥／污泥土難以碳化加固的問題；系統(tǒng)特設的多個傳感器配合使用，可通過實測含水率調節(jié)固化劑供給量，根據(jù)土性調節(jié)顆粒粒徑和二氧化碳壓力，大大提高了工作效率，整個裝置更加系統(tǒng)化流程化，裝置使用過程中能夠吸收粉塵和二氧化碳，避免了二次污染，裝置作業(yè)結束后產生的淤泥碳化顆粒硬度大、抗剪強度高，可用作路基、機場跑道、工程回填等填料，對于淤泥／污泥和二氧化碳在工程上的再利用，具有巨大的工程建設意義。
東南大學
2021-04-11
江蘇超芯星半導體有限公司研發(fā)碳化硅單晶生長技術
公司主營業(yè)務為第三代化合物半導體材料，當前產品為 6 寸碳化硅晶體、襯底，未來可拓展至設備和外延技術領先。公司創(chuàng)始人在碳化硅行業(yè)有15年以上經驗，曾任國際知名碳化硅襯底企業(yè)Norstel高級研發(fā)工程師，回國后任世紀金光研發(fā)副總，獲得北京市特聘專家等榮譽，擔任國家01專項6寸碳化硅襯底項目負責人，研發(fā)出6寸襯底，具備豐富的長晶和設備經驗，是國內為數(shù)不多的幾個掌握碳化硅技術的人員之一。碳化硅半導體材料行業(yè)前景廣闊，國內碳化硅材料處于起步階段，落后于國外，能量產的企業(yè)很少，6寸襯底都還沒實現(xiàn)量產，有技術的新企業(yè)仍然有機會。公司團隊技術領先，研發(fā)出6寸襯底，創(chuàng)始人在行業(yè)內知名度高，行業(yè)人脈豐富，下游多家器件廠商愿意采購產品形成戰(zhàn)略合作，具備量產6寸襯底能力。點擊上方按鈕聯(lián)系科轉云平臺進行溝通對接！
四川大學
2021-04-10
一種硼化鋯-碳化硅超細復合粉體及其制備方法
小試階段/nZrB2-SiC陶瓷材料具有耐高溫、抗氧化燒蝕、抗沖刷、室溫及高溫力學性能良好等優(yōu)異性能，是超高溫應用領域最具潛力的候選材料，有望用于高超聲速長時飛行、大氣層再入、跨大氣層飛行、火箭推進系統(tǒng)及熔煉電極、熔煉坩堝等極端熱化學環(huán)境中。現(xiàn)有的硼化鋯-碳化鋯超細復合粉體的制備技術存在以下不足：成本高、反應溫度高、過程不易控制、工藝過程復雜、產率低、合成粉體的純度較低、粉體顆粒粒徑分布不均勻和粉體顆粒容易團聚等，極大地限制了硼化鋯-碳化鋯超細復合粉體的產業(yè)化生產。本發(fā)明旨在克服現(xiàn)有技術的不足，目的
武漢科技大學
2021-01-12
一種碳化硅/二氧化硅同軸納米電纜的制備方法
本發(fā)明涉及一種同軸納米電纜的制備方法領域，具體為碳化硅/二氧化硅（內芯/外 層）同軸納米電纜的制備方法領域。本發(fā)明中碳化硅/二氧化硅（內芯/外層）同軸納米 電纜的制備方法如下：將硅油、硅脂或硅氧烷置于剛玉坩堝或剛玉舟內，將剛玉坩堝或 剛玉舟放在耐高溫板上面，然后把耐高溫板推入高溫爐，排出爐內氧氣，并以 6－15sccm 的速率通入惰性氣體保護，以 5－15℃/min 的速度將爐溫升到 1000－1100℃，保溫 1－ 5 小時后自然降到室溫。利用本發(fā)明所說的方法生成產物均為碳化硅/二氧化硅（內芯/ 外層）同軸納米電纜，且長度比現(xiàn)有的方法制備的提高了 2 個量級，是迄今為止報道的 最長的納米電纜，且制備方法簡單，原料便宜易得，設備要求簡化，成本低，產率高。
同濟大學
2021-04-11
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納米線碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管
研發(fā)階段/n內容簡介：納米線碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管涉及一種新型功率半導體器件制造技術。結合微電子技術工藝，構造用納米線碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管。它具有高速、耐苛刻環(huán)境、低導通電阻等一系列特點，廣泛用于數(shù)字電子技術等領域。本產品獲得一項專利，專利號：200510018701.9。
湖北工業(yè)大學
2021-01-12
一種激光重熔掃描碳化物彌散增強鋁合金的快速制造方法
本發(fā)明公開了一種激光重熔掃描碳化物彌散增強鋁合金的快速 制造方法，包括以下步驟：(1)在計算機上建立零件三維模型，然后將 所述零件三維模型轉成 STL 格式并導入到激光選區(qū)熔化成形設備中； (2)將鋁合金粉末和碳化物粉末混合，然后采用球磨機進行球磨混合均 勻；(3)將球磨后的混合粉末轉移到激光選區(qū)熔化成形設備里，在惰性 氣體保護下，根據(jù)三維模型數(shù)據(jù)對混合粉末進行成形；(4)采用線切割 工藝將成形的零件從所述基板上分離
華中科技大學
2021-04-14
一種氮化硅或氮化硅/碳化硅復合粉體的制備方法
小試階段/n本發(fā)明專利采用一種新的合成方法制備了氮化硅或氮化硅/碳化硅粉體。與傳統(tǒng)制備方法相比，此工藝簡單，成本低，具有較大的市場前景，為非氧化物耐火材料原料的生產提供了一個新的思路。
武漢科技大學
2021-01-12
一種形貌控制合成鏈珠狀一維碳化硅納米晶須的方法
本發(fā)明涉及一種形貌控制合成鏈珠狀一維碳化硅納米晶須的方法，所采取的技術方案 是：將清洗干燥后的木粉或竹粉 100～200g，于真空爐中在 500～700℃下碳化 1～2h 得到生 物質炭粉；將生物質炭粉和 SiO2 凝膠按 C/Si 摩爾比為 1∶1.5～3.0 機械混合均勻，得到預 混料；在純氮氣保護下將所述預混料升溫到 1450-1600℃，保溫 1～4h。保溫時間結束后， 以 5～20℃/min 的降溫速率降溫到 800℃，然后關掉加熱電源，自然冷卻。本發(fā)明合成的一 維碳化硅納米晶須為鏈珠狀，晶須長徑比大；合成工藝簡單，成本低，生產設備簡單。
安徽理工大學
2021-04-13
一種形貌控制合成鏈珠狀一維碳化硅納米晶須的方法
本發(fā)明涉及一種形貌控制合成鏈珠狀一維碳化硅納米晶須的方法，所采取的技術方案是：將清洗干燥后的木粉或竹粉 100～200g，于真空爐中在 500～700℃下碳化 1～2h 得到生物質炭粉；將生物質炭粉和 SiO2 凝膠按 C/Si 摩爾比為 1∶1.5～3.0 機械混合均勻，得到預混料；在純氮氣保護下將所述預混料升溫到 1450-1600℃，保溫 1～4h。保溫時間結束后，以 5～20℃/min 的降溫速率降溫到 800℃，然后關掉加熱電源，自然冷卻。本發(fā)明合成的一維碳化硅納米晶須為鏈珠狀，晶須長徑比大；合成工藝簡單，成本低，生產設備簡單。
安徽理工大學
2021-04-13