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高性能碳化硅熱電偶保護管開發(fā)
碳化硅工程陶瓷材料具有優(yōu)異的高溫性能，能夠滿足高溫和嚴酷環(huán)境使用環(huán)境。碳化硅工程陶瓷在工業(yè)領域具有最廣泛的應用前景、并可能在較短時間內形成產業(yè)化規(guī)模，有巨大的市場潛力。國家科委在“九五”科技攻關項目“結構陶瓷產品開發(fā)”中安排了“高性能碳化硅熱電偶保護管開發(fā)”的專題。通過產品開發(fā)牽引形成若干具有特色的高性能碳化硅陶瓷材料制備技術。
西安交通大學
2021-01-12
一種形貌控制合成鏈珠狀一維碳化硅納米晶須的方法
本發(fā)明涉及一種形貌控制合成鏈珠狀一維碳化硅納米晶須的方法，所采取的技術方案 是：將清洗干燥后的木粉或竹粉 100～200g，于真空爐中在 500～700℃下碳化 1～2h 得到生 物質炭粉；將生物質炭粉和 SiO2 凝膠按 C/Si 摩爾比為 1∶1.5～3.0 機械混合均勻，得到預 混料；在純氮氣保護下將所述預混料升溫到 1450-1600℃，保溫 1～4h。保溫時間結束后， 以 5～20℃/min 的降溫速率降溫到 800℃，然后關掉加熱電源，自然冷卻。本發(fā)明合成的一 維碳化硅納米晶須為鏈珠狀，晶須長徑比大；合成工藝簡單，成本低，生產設備簡單。
安徽理工大學
2021-04-13
一種形貌控制合成鏈珠狀一維碳化硅納米晶須的方法
本發(fā)明涉及一種形貌控制合成鏈珠狀一維碳化硅納米晶須的方法，所采取的技術方案是：將清洗干燥后的木粉或竹粉 100～200g，于真空爐中在 500～700℃下碳化 1～2h 得到生物質炭粉；將生物質炭粉和 SiO2 凝膠按 C/Si 摩爾比為 1∶1.5～3.0 機械混合均勻，得到預混料；在純氮氣保護下將所述預混料升溫到 1450-1600℃，保溫 1～4h。保溫時間結束后，以 5～20℃/min 的降溫速率降溫到 800℃，然后關掉加熱電源，自然冷卻。本發(fā)明合成的一維碳化硅納米晶須為鏈珠狀，晶須長徑比大；合成工藝簡單，成本低，生產設備簡單。
安徽理工大學
2021-04-13
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新型多層結構碳化硅光電導開關及其制備方法
（專利號：ZL 201310038265.6） 簡介：本發(fā)明公開一種新型多層結構碳化硅光電導開關及其制備方法，屬于寬禁帶半導體技術領域。它包括襯底，所述的襯底由釩摻雜形成的半絕緣碳化硅晶片或本征碳化硅晶片構成，在所述襯底的硅面上有一層導電類型的第一摻雜層，摻雜類型為N型；所述襯底的碳面上有兩層導電類型的摻雜層，從內到外依次為：第二摻雜層和第三摻雜層，所述的第二摻雜層摻雜類型為P型，所述第三摻雜層摻雜類型為N型；所述硅面一側設置有開關的陽極
安徽工業(yè)大學
2021-01-12
一種氮化硅或氮化硅/碳化硅復合粉體的制備方法
小試階段/n本發(fā)明專利采用一種新的合成方法制備了氮化硅或氮化硅/碳化硅粉體。與傳統(tǒng)制備方法相比，此工藝簡單，成本低，具有較大的市場前景，為非氧化物耐火材料原料的生產提供了一個新的思路。
武漢科技大學
2021-01-12
寬禁帶半導體碳化硅電力電子器件技術
寬禁帶半導體碳化硅(SiC)材料是第三代半導體的典型代表之一，具有寬帶隙、高飽和電子漂移速度、高臨界擊穿電場、高熱導率等突出優(yōu)點，能滿足下一代電力電子裝備對功率器件更大功率、更小體積和更惡劣條件下工作的要求，正逐步應用于混合動力車輛、電動汽車、太陽能發(fā)電、列車牽引設備、高壓直流輸電設備以及艦艇、飛機等軍事設備的功率電子系統(tǒng)領域。與傳統(tǒng)硅功率器件相比，目前已實用化的SiC功率模塊可降低功耗50%以上，從而減少甚至取消冷卻系統(tǒng)，大幅度降低系統(tǒng)體積和重量，因此SiC功率器件也被譽為帶動“新能源革命”的“綠色能源”器件。 本團隊在SiC功率器件擊穿機理、SiC功率器件結終端技術、SiC新型器件結構、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經驗，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設計與研制方案。目前基于國內工藝平臺制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶體管（圖1，有源區(qū)面積0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二極管（圖2）；擊穿電壓>5000V的SiC JBS二極管（圖3）。 a b c 圖1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圓照片(b)正向IV測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圓照片(b)正向導通測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖3 5kV SiC JBS器件：(a)顯微照片(b)正向導通測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線
電子科技大學
2021-04-10
寬禁帶半導體碳化硅電力電子器件技術
本團隊在SiC功率器件擊穿機理、SiC功率器件結終端技術、SiC新型器件結構、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經驗，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設計與研制方案。
電子科技大學
2021-04-10
采用激光選區(qū)燒結工藝制備碳化硅陶瓷件的方法
本發(fā)明公開了一種采用激光選區(qū)燒結工藝制備碳化硅陶瓷件的 方法，包括以下步驟：按照預定質量比稱取碳粉、碳化硅粉末、粘結 劑及固化劑倒入球磨罐內，并進行球磨以得到粘接劑-碳化硅混合粉 末；采用計算機對待制備的零件進行三維數(shù)字建模，并將三維數(shù)字模 型信息輸入到激光選區(qū)燒結成型機，以所述粘接劑-碳化硅混合粉末為 原料，采用激光選區(qū)燒結快速成形工藝進行粉末燒結成型，以得到所 述零件的碳化硅素坯；對所述碳化硅素坯進行加熱固化；將
華中科技大學
2021-04-14
一種碳化硅/二氧化硅同軸納米電纜的制備方法
本發(fā)明涉及一種同軸納米電纜的制備方法領域，具體為碳化硅/二氧化硅（內芯/外 層）同軸納米電纜的制備方法領域。本發(fā)明中碳化硅/二氧化硅（內芯/外層）同軸納米 電纜的制備方法如下：將硅油、硅脂或硅氧烷置于剛玉坩堝或剛玉舟內，將剛玉坩堝或 剛玉舟放在耐高溫板上面，然后把耐高溫板推入高溫爐，排出爐內氧氣，并以 6－15sccm 的速率通入惰性氣體保護，以 5－15℃/min 的速度將爐溫升到 1000－1100℃，保溫 1－ 5 小時后自然降到室溫。利用本發(fā)明所說的方法生成產物均為碳化硅/二氧化硅（內芯/ 外層）同軸納米電纜，且長度比現(xiàn)有的方法制備的提高了 2 個量級，是迄今為止報道的 最長的納米電纜，且制備方法簡單，原料便宜易得，設備要求簡化，成本低，產率高。
同濟大學
2021-04-11
一種碳化硅橡膠耐磨材料及其制備方法
一般橡膠都采用炭黑進行補強 , 所得到的產品耐磨性和拉伸強度有限 , 性能更好的采用碳纖維共混改性 , 但大大增加了橡膠產品的制造成本。尋找一種能夠滿足性能要求 , 又能夠降低成本的新補強材料成為必然。該成果采用具有高強度 , 高硬度 , 高耐氧化性能的碳化硅對天然橡膠共混改性 , 采用天然、合成橡膠作為基體材料，以碳化硅 ( 其它填充料 ) 作為填料進行共混研究，設計并對比不同方案，以期使橡膠基體與碳化硅微粒間能產生一定的力學鍵合作用，從而使得橡膠耐磨性很大的提高，同時保證橡膠的其他力學和工藝性能。以獲得具有良好力學性能和廣闊的發(fā)展前景的復合材料。
西安科技大學
2021-04-11