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本項目提出了在釓鎵石榴石（GGG）襯底上直接外延大口徑磁光BiLuIG單晶體的思路，解決我國無大晶格常數(shù)摻雜釓鎵石榴石（SGGG）晶圓片技術、無鉛液相外延大尺寸BiLuIG晶體圓片的不足，突破純GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶體這一難點科學問題。

本發(fā)明公開了一種基于紅外成像的薄膜測厚儀，包括光源、準直透鏡、分光棱鏡、參考路散射玻璃、參考路紅外濾光片、參考路反 射鏡、測量路散射玻璃、測量路紅外濾光片、測量路反射鏡、半透半 反分光鏡、成像透鏡、CCD；測量時參考物經(jīng)反射鏡、分光鏡和成像 透鏡成像到 CCD 光敏面，被測物經(jīng)反射鏡和成像透鏡也成像到 CCD 光敏面，CCD 將圖像傳送至計算機，經(jīng)圖像處理后根據(jù)圖像的灰度值 求得被測物的厚度；如此形成雙光路測量系統(tǒng)，避免了光源光強變化 的影響；使用散射光透射成像的測量體系，避免了傳統(tǒng)紅外測厚裝置 中存在的干涉影響；設置具有多個局部標準厚度的參考物，該裝置可 以獲取參考物各個局部標準厚度，從而能夠更加精確地測量薄膜厚度。 

柔性智能互動終端的關鍵材料與傳感器件是實現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)技術革命的重要技術，柔性透明導電薄膜為其 中不可取代的關鍵元件。本團隊在前期工作中針對納米銀線透明導電薄膜進行了系統(tǒng)的研究，包含材料合 成、導電墨水配方調制、大面積卷對卷制程工藝和柔性觸控樣機制備，已經(jīng)初步建立起一條從材料、工藝 到器件應用的產(chǎn)學模式；并做了一系列十余項的專利布局（發(fā)明專利12篇，授權專利6篇）。其采用的技 術方法如下： （1）低成本的表面圖形化工藝。包含基于光酸顯影的可圖形化配方調制、基于表面能差異化驅動的 自組裝電極圖形化，相比較于傳統(tǒng)的激光、黃光刻蝕，溶液態(tài)的圖形化方式成本更低，同時可保證滿足柔 性觸控傳感器的線寬/線距要求； （2）高穩(wěn)定性的納米銀導電薄膜。基于單分子緩蝕劑修飾的納米銀線穩(wěn)定性提升方案，相較于業(yè)界 傳統(tǒng)的單級分子蒸餾存在分離效率不高、能耗 較大和成本較高等問題，而常規(guī)精餾方法又會使某 些活性組分發(fā)生熱變質或分解能等不足。薄膜蒸發(fā) 與精餾是一種特殊的液－液分離技術，本技術成果 將薄膜蒸發(fā)的高效蒸發(fā)性與精密精餾的高分離度融 合于一臺完整的設備中，既可避免熱敏性物質長期 暴露于加熱器內(nèi)，又可使各組分通過

該成果是原有的鋁反射激光全息防偽末的升級替換品。這種薄膜結構簡單，僅有信 息層和基底層兩層組成。全息圖像以激光全息技術拍攝并用激光雕刻和電鑄手段，以光 柵條紋的形式復制到鎳質金屬模版上。以金屬模版熱壓氣凝膠或有機高聚物聚氨酯涂層， 形成承載全息圖像的信息層，可在薄膜上再現(xiàn)全息圖像。

透明導電氧化物薄膜具有良好的導電性能和透光性能，廣泛應用于平面液晶顯示（LCD）、電致發(fā)光顯示（ELD）、等離子體顯示（PD）以及太陽能電池、熱鏡、電磁屏蔽等。在相當一段時間內(nèi), In2O3：Sn (ITO) 薄膜作為一種典型的透明導電氧化物薄膜得到了極廣泛的應用，但ITO 薄膜中的銦有毒，在制造和應用中對人體有害；ITO 中的In2O3 的價格昂貴,成本較高， ITO 薄膜易受氫等離子體的還原作用，這些缺點在很大程度上限制了ITO 薄膜的研究和應用。新型透明導電ZnO :Al (AZO) 薄膜中的ZnO 價格便宜,來源豐富,無毒,并且在氫等離子中穩(wěn)定性要優(yōu)于ITO，在很多領域特別是太陽電池領域具有逐步取代ITO薄膜的趨勢。本產(chǎn)品是多層ZAO透明導電膜，具有透過率高和電阻率低的優(yōu)點，而且非常適合制備絨面，可作為陷波結構應用于薄膜太陽能電池中。 透明導電膜的主要性能指標有兩個：透過率和方阻。產(chǎn)業(yè)化對透明導電膜透過率的要求一般要達到80%以上，南韓的Ｗｏｏｎ－ＪｏＪｅｏｎｇ制備的ZAO膜在可見光區(qū)域的平均透過率大于９５％，是國際最高水平。國外科研人員制備的ZAO透明導電膜室溫電阻率最低可達3×10-4Ω·cm，方塊電阻最低可達3Ω/□。國內(nèi)制備的ZAO透明導電膜一般平均透過率約為80%，電阻率在10-3數(shù)量級。 本產(chǎn)品具體性能指標是：透過率＞85%，方阻<50Ω/□。 太陽電池是正在蓬勃發(fā)展的產(chǎn)業(yè)。國務院剛剛頒布的《可再生能源中長期發(fā)展規(guī)劃》中明確提出：到2010年，太陽能發(fā)電總容量達到30萬千瓦，其中全國將建成1000個屋頂光伏發(fā)電項目，總容量5萬千瓦，大型并網(wǎng)光伏電站總容量2萬千瓦；到2020年，太陽能發(fā)電總容量達到180萬千瓦，其中全國建成2萬個屋頂光伏發(fā)電項目，總容量100萬千瓦，太陽能光伏電站總容量將達到20萬千瓦；另外，光伏發(fā)電在通訊、氣象、長距離管線、鐵路、公路等領域的應用，計劃到2010年也將累計達到3萬千瓦，到2020年將達到10萬千瓦。而全球太陽能光伏市場將從2000年的10億美元到2015年擴大到1500億美元。透明導電薄膜是太陽電池中關鍵的薄膜，需求巨大。

薄膜晶體管（thin film transistor, TFT）本質上是一種場效應晶體管，其電性質與傳統(tǒng)的MOS場效應管一樣，都是利用垂直于導電溝道的電場強度來控制溝道的導電能力來實現(xiàn)系統(tǒng)放大，這被稱為電導率調制或場效應原理。同時它也是良好的開關元件，當柵源電壓小于閾值電壓時器件截止，反之導通。場效應管是通過改變輸入電壓來控制輸出電流的，它是電壓控制器件，不吸收信號源電流，不消耗信號源功率，因此它的輸入阻抗很高，它還具有很好的溫度特性、抗干擾能力強、便于集成等優(yōu)點。 與硅材料相比，ZnO薄膜材料的禁帶寬度大、透明等優(yōu)異的半導體特性，使得ZnO-TFT可能替代a-Si TFT成為平板顯示器件的像素開關。若使用ZnO-TFT作為有源矩陣驅動的開關元件有以下明顯優(yōu)勢： (1) ZnO為寬禁帶半導體材料，可以避免可見光照射對器件性能的影響，保證顯示器的清晰度不受太陽光照的影響； (2) 提高開口率，提高顯示器的亮度，進而可以降低功耗； (3) 如果存儲電容也用透明材料制備，制備全透明顯示器件便成為可能； (4) 對襯底要求不高。ZnO薄膜的生長溫度較低，即使室溫條件下也可以生長高質量ZnO薄膜，因此襯底可以選擇廉價的玻璃或者柔韌性塑料等，這又是柔性顯示器成為可能； (5) ZnO具有很好的載流子遷移率，使得ZnO-TFT既具有很高的開態(tài)電流，又有效的抑制關態(tài)電流的增加；研究ZnO-TFT的另一個重要意義在于推動透明電子學的研究。ZnO-TFT的實現(xiàn)對透明電子學來說是一個富有成效的進展，具有里程碑的意義，為制造透明電路和系統(tǒng)創(chuàng)造了條件。

設計并成功合成了兩種新型噻唑酰亞胺缺電子受體單元,并在其基礎上得到全受體類型均聚物PDTzTI（圖1a）。單晶XRD分析表明，DTzTI單體中存在S…N非共價鍵相互作用因而平面性較好，單體間的π堆積也非常緊密，非常適合構建全受體聚合物。噻唑酰亞胺的強拉電子能力也使得聚合物的前沿軌道能級較低，有利于晶體管中電子注入并提升器件穩(wěn)定性，同時抑制空穴注入和降低器件關電流?；赑DTzTI的有機薄膜晶體管器件表現(xiàn)出優(yōu)異的單極性n-型輸運性能（圖1b）。晶體管電子遷移率達到1.6 cm 2  V -1  s -1 ，關電流僅為10 ?10 -10 ?11 A，因而電流開關比高達10 7 -10 8 。該遷移率是全受體均聚物材料中的最高紀錄，同時在晶體管關電流和開關比性能上顯著優(yōu)于常見給體-受體共聚物材料，表明全受體結構是實現(xiàn)單極性n-型聚合物材料的有效途徑,為新型受體單元和單極性n-型材料的設計提供重要參考依據(jù)。

該成果由于采用新型的安全膜結構和絕氧吸弧工藝（減小金屬材料在加工過程中的氧化，降低接觸電阻、電勢壘等），產(chǎn)品具有自愈性，在高壓大電流的沖擊下不會發(fā)生短路擊穿現(xiàn)象，無需防爆裝置；由于采用端面高密度、低電阻的等離子放電噴射沉積制備技術和大功率電容器電極的電阻焊接技術，寄生電阻和發(fā)熱量減小，使產(chǎn)品在可靠性、穩(wěn)定性上具有明顯的優(yōu)勢。

本發(fā)明公開了一種基于紅外成像的薄膜測厚儀，包括光源、準直透鏡、分光棱鏡、參考路散射玻璃、參考路紅外濾光片、參考路反射鏡、測量路散射玻璃、測量路紅外濾光片、測量路反射鏡、半透半反分光鏡、成像透鏡、CCD；測量時參考物經(jīng)反射鏡、分光鏡和成像透鏡成像到 CCD 光敏面，被測物經(jīng)反射鏡和成像透鏡也成像到 CCD光敏面，CCD 將圖像傳送至計算機，經(jīng)圖像處理后根據(jù)圖像的灰度值求得被測物的厚度；如此形成雙光路測量系統(tǒng)，避免了光源光強變化的影響；使用散射光透射成像的測量體系，避免了傳統(tǒng)紅外測厚裝置中存在的干涉影響

本項目共包括8項授權專利，另有20余項專利正處于公開階段。 項目主要創(chuàng)新點為：（1）提出了一種Bi+Lu共摻雜新配方，實現(xiàn)了在傳統(tǒng)GGG襯底上外延出具有大法拉第效應的BiLuIG石榴石單晶薄膜材料。 （2）提出了“緩沖法”技術，克服了無鉛液相外延工藝中熔體粘度偏高，薄膜均勻性差的難題，成功制備出3英寸的高質量單晶BiLuIG薄膜材料，厚度可達20微米以上，其法拉第效應是含鉛工藝制備材料的10倍。項目總體達到國際先進水平，其中在Bi+Lu共摻雜材料設計和無鉛液相