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高等教育領域數字化綜合服務平臺
一種六方氮化硼粉體及其制備方法
小試階段/n本發明解決六方氮化硼制備工藝復雜、生產周期長原料毒性大和不易規模化生產的技術問題。本發明具有生產周期短、工藝簡單、適宜工業化規模生產的特點，所制備的六方氮化硼粉體純度和結晶度顯著高于現有方法制備的六方氮化硼粉體。本發明處于待轉化階段，應用范圍廣闊，市場前景可觀，預期經濟效益優異。
武漢科技大學
2021-01-12
油菜硼高效利用機制與硼肥優化施用技術研究應用
研發階段/n本技術根據當前推廣油菜高產優質品種的需硼規律，通過湖北省油菜主產區土壤有效硼現狀的調查，以及油菜施硼效果的大田和示范，修訂了當前油菜種植中土壤有效硼和植株硼營養豐缺的診斷指標，制定了《油菜硼肥施用技術規范》。該規范概括為"測土定肥、依產調肥、因勢補肥"12個字。主要表現在：在油菜整地之前，測定土壤有效硼及其他有效養分的含量，以此為主要指標，根據土壤有效硼的等級所對應的硼肥推薦量，確定硼肥施用量、施用環節和方式。然后根據產量目標和品質需硼特性調整硼肥用量，并根據土壤氮磷鉀等肥力狀況，制定硼
華中農業大學
2021-01-12
論壇觀點聚焦 | 平行論壇：高等教育數字化發展的實踐與創新
5月23-25日，建設教育強國·高等教育改革發展論壇在長春舉行。高水平大學書記校長、頂尖專家學者、創新型企業家等，齊聚一堂，共同開展教育領域重點難點問題大討論，促進最活躍、最前沿思想的“交流碰撞”，實現“同題共答”、經驗共享。
中國高等教育學會
2025-06-06
【央廣網】天津市特色化示范性軟件學院協同發展聯盟成立
2025年4月2日，央廣網以《天津市特色化示范性軟件學院協同發展聯盟成立》為題對我校進行了報道。
天津市大學軟件學院
2025-05-21
基于石墨烯、氮化硼等二維材料的防腐應用
已有樣品/n石墨烯由于其獨特的二維納米結構，且具有高強度、高熱穩定性、高化學穩定性以及優良的導熱性等特性，在防腐涂料領域具有廣闊的應用前景。石墨烯、氮化硼等二維材料由于其特殊的結構使其具有不透過性，作為金屬基底與腐蝕環境的阻隔層而保護基底不被自然環境所腐蝕。通過化學氣相沉積法及塊體剝離法可分別制備直接生長于金屬表面的大面積石墨烯、氮化硼薄膜，或粉狀的石墨烯、氮化硼納米片。通過化學氣相沉淀法，二維材料可以在任意形狀的金屬基底的所有暴露面上生長，實現對金屬表面的全面保護。市場預期：該技術可應用于精細元器
中國科學院大學
2021-01-12
一種硼吸附劑的制備方法及其產品和應用
本發明涉及一種硼吸附劑的制備方法，包括如下步驟：1)分別配制單寧酸溶液和腐殖酸溶液，混合單寧酸溶液和腐殖酸溶液，得到混合溶液；2)調節步驟1)中混合溶液的PH至6～8，避光反應，得到海綿狀絮體溶液；3)將步驟2)中得到的海綿狀絮體溶液進行分離，冷凍干燥，研磨得到硼吸附劑。本發明還涉及上述方法制備得到的硼吸附劑及其應用，制備方法簡單，無污染，所得硼吸附劑抗干擾性能強，且應用簡單。
浙江大學
2021-04-13
分米量級尺寸的六方氮化硼二維單晶的制備
團隊與合作者首次報道了米級單晶Cu(111)襯底的制備方法，并在此基礎上實現了米級單晶石墨烯的外延生長（Science. Bulletin 2017, 62, 1074）。與石墨烯不同，六方氮化硼等其它絕大多數二維材料不具有中心反演對稱性，其外延生長普遍存在孿晶晶界問題：旋轉180°時晶格方向發生改變，外延生長時不可避免地出現反向晶疇，而在拼接時形成缺陷晶界。 開發合適對稱性的外延單晶襯底是解決這一科學難題的關鍵。研究團隊探索出利用對稱性破缺的襯底外延非中心反演對稱二維單晶薄膜的新方
南方科技大學
2021-04-14
【新華網】聚焦高博會|“新農科·新農人·新擔當”——現代化大農業建設產教對話論壇舉行
在第63屆中國高等教育博覽會期間，以“新農科·新農人·新擔當”為主題的現代化大農業建設產教對話論壇在長春舉辦
新華網
2025-05-24
嘉賓觀點搶先看 | 杜銳：高校要在教育科技人才一體化發展中“實干答題”
在第63屆高等教育博覽會 建設教育強國·高等教育改革發展論壇即將舉辦之際，學會聯合人民網教育頻道推出“建設教育強國”系列訪談欄目，重點邀請東北地區高校領導、專家學者，圍繞活動主題：融合·創新·引領：服務高等教育強國建設，暢談思考體會、凝聚發展共識。
人民網-教育頻道
2025-05-20
自蔓延反應燒結氮化硅/氮化硼復相可加工陶瓷
北京科技大學特種陶瓷研究室開發出一種自蔓延反應燒結氮化硅/氮化硼復相可加工陶瓷材料，其應用前景極其廣闊。 Si和N2合成Si3N4反應的絕熱燃燒溫度高，體積有所增加，生成棒狀的b-Si3N4相相互交叉，提高了自蔓延反應燒結氮化硅多孔陶瓷的強度，但氮化硅加工性能差。h-BN陶瓷可加工性能好，但燒結性能差。本項目利用h-BN相在氮化硅陶瓷中形成弱界面，當加工時，弱界面上會形成微裂紋，并沿弱界面發生偏轉，耗散裂紋擴展的能量使裂紋擴展終止；當載荷繼續上升時，在下層的弱結合界面處將產生新的臨界裂紋再擴展；如此反復，使裂紋成為跳躍式階梯狀擴展，斷裂漸次發生而非瞬間脆斷，使氮化硅/氮化硼多孔陶瓷材料具有了好的可加工性能。 本項目原料中采用了一定比例的Si粉，比完全以Si3N4粉為原料的普通燒結工藝節約了原料成本。產品的基本工藝為自蔓延高溫合成（燃燒合成）工藝，在氣體高壓反應器中進行，燒結所需要的能量完全由原料自身放熱提供，與其他制備方法（常壓燒結、熱壓燒結、反應燒結）相比較，不需要高溫燒結爐長時間燒結，大大節省了能源。本項目工藝簡單，燒結速度快，效率高?？芍谱鲝碗s形狀一維，二維的大尺寸陶瓷材料。抗彎強度已做到188MPa，材料可加工性能優良。 已獲中國發明專利《ZL 200610089013.6自蔓延反應燒結Si3N4/BN復相可加工陶瓷的方法》。
北京科技大學
2021-04-11