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本發(fā)明公開(kāi)的季銨鹽改性有機(jī)硅聚氨酯型海洋防污涂料，結(jié)構(gòu)如式（1），式中為含有季銨鹽側(cè)鏈的有機(jī)硅軟段，為異氰酸酯硬段。制備步驟包括：制備2,4,6-三（3-氯丙基）-2,4,6-三甲基-環(huán)三硅氧烷；制備1,3-雙[3-(2,3-環(huán)氧丙氧基)丙基]-四甲基二硅氧烷；制備1,3-雙[3-(1-甲氧基-2-羥基丙氧基)丙基]-四甲基二硅氧烷；制備雙羥基封端氯丙基聚硅氧烷；制備含有季銨鹽與羥基的聚硅氧烷化合物；將該化合物和異氰酸酯混合，再加入γ-氨丙基三乙氧基硅烷進(jìn)行擴(kuò)鏈得到預(yù)聚體，預(yù)聚體在空氣中交聯(lián)縮合。本發(fā)明結(jié)合了低表面能與毒殺的雙重效果，不僅可以抑制海洋生物的吸附，還能通過(guò)季銨鹽殺死吸附在船體表面的細(xì)菌式（1）。

本發(fā)明的硅基懸臂梁Ｔ型結(jié)間接加熱式未知頻率毫米波相位檢測(cè)器，實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)主要由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、Ｔ型結(jié)和間接加熱式微波功率傳感器和開(kāi)關(guān)構(gòu)成。懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)包括兩組懸臂梁，每組懸臂梁由兩個(gè)對(duì)稱的懸臂梁構(gòu)成兩個(gè)懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長(zhǎng)度在所測(cè)信號(hào)頻率范圍內(nèi)的中心頻率３５ＧＨｚ處為λ／４。為實(shí)現(xiàn)未知頻率毫米波相位的檢測(cè)，首先對(duì)待測(cè)信號(hào)的頻率進(jìn)行檢測(cè)。頻率檢測(cè)通過(guò)測(cè)量?jī)陕吩谒鶞y(cè)信號(hào)頻率范圍內(nèi)的中心頻率３５ＧＨｚ處相位差為９０度的耦合信號(hào)的合成功率實(shí)現(xiàn)；相位檢測(cè)通過(guò)將兩路在中心頻率３５ＧＨｚ處相位差為９０度的耦

本發(fā)明的硅基懸臂梁Ｔ型結(jié)直接加熱式未知頻率毫米波相位檢測(cè)器，其實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)主要包括懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、Ｔ型結(jié)和直接加熱式微波功率傳感器和開(kāi)關(guān)。懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)包括兩組懸臂梁，每組懸臂梁由兩個(gè)對(duì)稱的懸臂梁構(gòu)成，兩個(gè)懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長(zhǎng)度在所測(cè)信號(hào)頻率范圍內(nèi)的中心頻率３５ＧＨｚ處為λ／４。為實(shí)現(xiàn)未知頻率毫米波相位的檢測(cè)，首先對(duì)待測(cè)信號(hào)的頻率進(jìn)行檢測(cè)。頻率檢測(cè)通過(guò)利用直接加熱式微波功率傳感器測(cè)量?jī)陕吩谒鶞y(cè)信號(hào)頻率范圍內(nèi)的中心頻率３５ＧＨｚ處相位差為９０度的耦合信號(hào)的合成功率實(shí)現(xiàn)；相位檢測(cè)通過(guò)將兩路相位差為９

本發(fā)明的基于硅基懸臂梁Ｔ型結(jié)直接加熱在線式毫米波相位檢測(cè)器，主要由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、Ｔ型結(jié)和直接加熱式微波功率傳感器構(gòu)成。懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)懸臂梁在ＣＰＷ中央信號(hào)線上方，結(jié)構(gòu)相同，用于耦合部分待測(cè)信號(hào)，通過(guò)錨區(qū)與Ｔ型結(jié)相連，兩個(gè)懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長(zhǎng)度為λ／８。懸臂梁下方的ＣＰＷ中央信號(hào)線上覆蓋了一層Ｓｉ３Ｎ４介電層，用于防止電學(xué)短路。參考信號(hào)通過(guò)Ｔ型結(jié)分成兩路信號(hào)，分別與兩路懸臂梁耦合的信號(hào)通過(guò)Ｔ型結(jié)合成，Ｔ型結(jié)的輸出端連接到直接加熱式微波功率傳感器進(jìn)行功率檢測(cè)。最后根據(jù)兩個(gè)直接加熱式微波

本發(fā)明的基于硅基懸臂梁Ｔ型結(jié)間接加熱在線式毫米波相位檢測(cè)器，主要由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、Ｔ型結(jié)和間接加熱式微波功率傳感器構(gòu)成。懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)懸臂梁在ＣＰＷ中央信號(hào)線上方，結(jié)構(gòu)相同，用于耦合部分待測(cè)信號(hào)，通過(guò)錨區(qū)與Ｔ型結(jié)相連，兩個(gè)懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長(zhǎng)度為λ／８。懸臂梁下方的ＣＰＷ中央信號(hào)線上覆蓋了一層Ｓｉ３Ｎ４介電層，用于防止電學(xué)短路。參考信號(hào)通過(guò)Ｔ型結(jié)分成兩路信號(hào)，分別與兩路懸臂梁耦合的信號(hào)通過(guò)Ｔ型結(jié)合成，Ｔ型結(jié)的輸出端連接到間接加熱式微波功率傳感器進(jìn)行功率檢測(cè)。最后根據(jù)兩個(gè)間接加熱式微波

本發(fā)明公開(kāi)了一種劍麻玻璃纖維復(fù)合增強(qiáng)有機(jī)硅改性的酚醛模塑料，該酚醛模塑料的組成為：35-70％的有機(jī)硅改性熱塑性酚醛樹(shù)脂，5-45％的玻纖和劍麻混合纖維，5-45％的填充料，0.5-3％的脫模劑，0.25-1.5％的著色劑，2-10％的固化劑。本發(fā)明還提供了該劍麻玻璃纖維復(fù)合增強(qiáng)有機(jī)硅改性的酚醛模塑料制備方法，由上述組份經(jīng)混煉，粉碎或造粒等工序制備而成。采用該方法制備的酚醛模塑料儲(chǔ)存時(shí)間長(zhǎng)，不易受潮，耐候性能優(yōu)良，相對(duì)密度小，生產(chǎn)成本低，固化后的材料韌性和耐熱性能優(yōu)異。利用該有機(jī)硅改性酚醛模塑料制成的塑料件具有儲(chǔ)存時(shí)間長(zhǎng)，韌性好，相對(duì)密度小和耐熱性能優(yōu)異的特點(diǎn)。

本發(fā)明的基于硅基微機(jī)械懸臂梁Ｔ型結(jié)直接加熱式毫米波信號(hào)檢測(cè)器，由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、Ｔ型結(jié)、直接加熱式微波功率傳感器和開(kāi)關(guān)構(gòu)成。懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)包括兩組懸臂梁，每組懸臂梁由兩個(gè)對(duì)稱的懸臂梁構(gòu)成，兩個(gè)懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長(zhǎng)度在所測(cè)信號(hào)頻率范圍內(nèi)的中心頻率３５ＧＨｚ處為λ／４。功率通過(guò)第一直接加熱式微波功率傳感器進(jìn)行檢測(cè)；頻率檢測(cè)通過(guò)利用直接加熱式微波功率傳感器測(cè)量?jī)陕吩谥行念l率處相位差為９０度的耦合信號(hào)的合成功率實(shí)現(xiàn)；相位檢測(cè)通過(guò)將兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號(hào)，分別同兩路等分后的參考信號(hào)合

本成果來(lái)自國(guó)家科技計(jì)劃項(xiàng)目，獲國(guó)家發(fā)明專利授權(quán)。該發(fā)明獲得的光控油水浸潤(rùn)性可逆轉(zhuǎn)換的SiO2/TiO2復(fù)合涂層在功能納米界面材料研究領(lǐng)域具有重要意義。這項(xiàng)研究成果在基因傳輸、無(wú)損失液體輸送、微流體、生物芯片、藥物緩釋、石油化工、建筑材料等領(lǐng)域具有極為廣闊的應(yīng)用前景。

       DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。       DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場(chǎng)上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。    您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 特點(diǎn)： ※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；  ※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性； ※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝； ※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測(cè)量精度； ※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線； ※ 多種可選封裝方式。 您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 參數(shù)： ※ 溫度范圍：3K~500K； ※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640 ※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%； ※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向電壓高達(dá)：75V； ※ 損壞前電流高達(dá)：長(zhǎng)時(shí)間200mA 或瞬間1A； ※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 輻射影響：只推薦在低輻射場(chǎng)合下使用； ※ 磁場(chǎng)影響：不推薦在磁場(chǎng)環(huán)境下使用。 ???????