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采用光互連技術(shù)可以有效的解決集成電路進(jìn)一步發(fā)展的尺寸限制同時可以極大的提高芯片間信息傳輸?shù)乃俣群皖l率。Si基光子集成是實現(xiàn)集成電路光互聯(lián)的核心技術(shù)和重要研究方向。然而，Si因為其間接帶系的特性很難作為發(fā)光材料使得Si基光源的缺失成為制約Si基光子芯片的瓶頸，而傳統(tǒng)Ⅲ-Ⅴ族材料如GaAs，InP等由于優(yōu)良的光電轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)在光電子器件領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。因此，Si基與Ⅲ-Ⅴ的集成是實現(xiàn)Si基光子芯片的一種理想途徑。

本發(fā)明公開了一種基于硅基液晶的波長分辨監(jiān)測方法。基于硅 基液晶在同樣的偏置電壓下，對不同波長入射光有不同的相位調(diào)制的 特性，對在硅基液晶波長工作范圍內(nèi)的光信號實現(xiàn)分析與監(jiān)測，并能 在入射光波長未知的條件下，對該波長進(jìn)行測量，并能隨著相位調(diào)制 精度的提高，提高波長的分辨精度。本發(fā)明元件少，系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡單緊 湊，對光路的準(zhǔn)直要求不高，無需苛刻光路的耦合與復(fù)雜操作就能進(jìn) 行波長的分辨，并且有著與入射光偏振態(tài)無關(guān)的特性，在分辨

該項目針對多晶硅太陽能光伏電池成套設(shè)備中太陽能光伏電池絲網(wǎng)印刷、自動光學(xué)檢測系統(tǒng)、燒結(jié)系統(tǒng)、自動分揀系統(tǒng)等高端設(shè)備進(jìn)行研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，形成了晶硅太陽能光伏電池生產(chǎn)線和成套設(shè)備的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)能力，打破了國外相關(guān)高端設(shè)備的壟斷局面，為我省相關(guān)產(chǎn)業(yè)的良性發(fā)展提供技術(shù)支撐。該成套設(shè)備具有完全自主知識產(chǎn)權(quán),聯(lián)合體已擁有發(fā)明專利8件,實用新型專利21件。 該項目的特色與創(chuàng)新之處主要體現(xiàn)在如下幾個方面：1）基于視覺的高速精密定位理論與技術(shù)；2）有效降低破損率的高速、高精度印刷技術(shù)；3）均勻熱場形成技術(shù)

本發(fā)明公開了一種硅通孔互連結(jié)構(gòu)的制備方法，步驟為①將鍵合硅器件晶圓鍵合于硅晶圓基板上；②減薄硅器件晶圓，再刻蝕硅器件晶圓，形成盲孔；③在硅器件晶圓上涂敷一層圖案化介電材料(如聚對二甲苯)；④刻蝕圖案化介電質(zhì)層，刻蝕掉盲孔底部的介電材料，保留盲孔側(cè)壁；在基板上形成介電質(zhì)孔，使介電質(zhì)孔和盲孔同軸；⑤在介電質(zhì)孔上沉積一層導(dǎo)電材料，作為導(dǎo)電層，形成導(dǎo)電孔；⑥在導(dǎo)電層上再沉積一層圖案化介電質(zhì)層；⑦移除基板，在導(dǎo)電層上形成焊料微凸點。本發(fā)明簡化了工藝步驟，減少工藝時間并降低了費用；降低了寄生電容，提升了互連電性

一種基于硅基液晶的波長選擇開關(guān)，屬于光交換器件，解決現(xiàn) 有基于硅基液晶的波長選擇開關(guān)輸出端口數(shù)量受到限制的問題。本發(fā) 明由設(shè)置在光路上的輸入單模光纖、偏振轉(zhuǎn)換組件、反射鏡、傅里葉 透鏡、衍射光柵、硅基液晶相位空間光調(diào)制器、自聚焦準(zhǔn)直透鏡陣列 和輸出二維單模光纖陣列構(gòu)成。本發(fā)明對需要交換的光束利用硅基液 晶相位空間光調(diào)制器實現(xiàn)二維偏轉(zhuǎn)，使波長選擇開關(guān)輸出光纖陣列的 光束由一維向二維轉(zhuǎn)化，能夠大幅度增加波長選擇開關(guān)輸出端

一種基于硅基液晶的波長選擇開關(guān)，屬于光交換器件，解決現(xiàn) 有基于硅基液晶的波長選擇開關(guān)輸出端口數(shù)量受到限制的問題。本發(fā) 明由設(shè)置在光路上的輸入單模光纖、偏振轉(zhuǎn)換組件、反射鏡、傅里葉 透鏡、衍射光柵、硅基液晶相位空間光調(diào)制器、自聚焦準(zhǔn)直透鏡陣列 和輸出二維單模光纖陣列構(gòu)成。本發(fā)明對需要交換的光束利用硅基液 晶相位空間光調(diào)制器實現(xiàn)二維偏轉(zhuǎn)，使波長選擇開關(guān)輸出光纖陣列的 光束由一維向二維轉(zhuǎn)化，能夠大幅度增加波長選擇開關(guān)輸出端

本發(fā)明涉及一種硅薄膜太陽電池集成組件，它的結(jié)構(gòu)和制備技術(shù)，特別是具有氧化鋅(ZnO)背反射電極的硅薄膜太陽電池集成組件及其制備技術(shù)。而ZnO背反射電極是硅薄膜太陽電池陷光結(jié)構(gòu)的重要組成部分，可大幅提高電池效率。它涉及硅薄膜太陽電池集成組件的關(guān)鍵工藝——子電池內(nèi)聯(lián)集成技術(shù)，屬于新型能源中薄膜太陽電池的技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明采用掩膜蒸鍍金屬電極，結(jié)合濕法腐蝕ZnO的方法，實現(xiàn)具有ZnO背反射電極的硅薄膜太陽電池子電池的內(nèi)聯(lián)集成技術(shù)，最終獲得硅薄膜太陽電池集成組件。該方法簡單、成品率高、成本低，有利展示硅薄膜太

本發(fā)明公開了一種用于硅材料表面的復(fù)合結(jié)構(gòu)及其應(yīng)用，其中該復(fù)合結(jié)構(gòu)包括光柵結(jié)構(gòu)和納米線陣列，光柵結(jié)構(gòu)包括多個周期性并列排列的長方體，相鄰的兩個長方體之間的間距保持固定；納米線陣列為多個周期性排列的圓柱體，這些圓柱體均位于光柵結(jié)構(gòu)的長方體的頂面上；位于同一長方體頂面上的相鄰兩個圓柱體的中心軸線之間距離保持固定。本發(fā)明通過對復(fù)合結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵形狀參數(shù)等進(jìn)行改進(jìn)，能夠提高硅太陽能電池的光吸收率，并且降低制備成本，提高復(fù)合結(jié)構(gòu)的整體穩(wěn)定性；此外，通過調(diào)節(jié)該復(fù)合結(jié)構(gòu)內(nèi)部光柵結(jié)構(gòu)和納米線陣列的排列組成方式，能夠調(diào)控硅太陽能電池表面的光吸收率，減小由于光波段不同造成的光吸收率的波動。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹

產(chǎn)品詳細(xì)介紹南京金牛高速分析儀器有限公司專業(yè)制造各類鋼鐵成分分析儀器,鑄造生鐵化驗儀,球鐵分析儀器,有色金屬分析儀器，多元素分析儀器，高頻紅外碳硫分析儀器，電腦碳硫分析儀，三元素分析儀，五大元素分析儀等高速分析儀器，產(chǎn)品高、中、低檔齊全?？蓽y定工業(yè)材料中碳、硫、錳、磷、硅、鎳、鉻、鉬、銅、鈦、稀土總量、鎂等元素。儀器測量范圍廣、精度高， ISO9001：2000質(zhì)量管理體系認(rèn)證企業(yè)，是南京市計量監(jiān)督檢測院“抽檢合格企業(yè)”，被評為“南京市重合同守信用企業(yè)”， “金?！鄙虡?biāo)被評為“南京市著名商標(biāo)”，產(chǎn)品榮獲“南京市名牌產(chǎn)品”稱號。  JN-D鐵水碳硅分析儀(熱分析儀)，是一種用于爐前鐵水成份快速分析的實用型產(chǎn)品，能自動控制重要的冶金參數(shù)，彌補“光譜”難以測準(zhǔn)非金屬元素（C、Si）之不足，以及常規(guī)分析儀器不能滿足爐前快速分析的時間要求，滿足鑄造生產(chǎn)的質(zhì)量控制要求。一、主要技術(shù)指標(biāo)：1、測量功能:對灰白凝固鑄鐵進(jìn)行C%、Si%、CEL、△T、△Tm等測量；2、測量范圍：C 2.1～4.2 、Si 0～20 、CEL 2.5～5.0、 型號K 200℃～1370℃；3、測量精度: C±0.039、 Si±0.1%、 CEL±0.047%；4、測量時間：最大240秒；5、四位LED數(shù)字顯示，直觀、清晰，可自動打印測量結(jié)果；6、電源電壓：220V/AC、50/60Hz、功率15～35VA、環(huán)境溫度0～50℃。二、金牛儀器服務(wù)承諾：1、所售化驗儀器三包一年，終身服務(wù)，產(chǎn)品售后服務(wù)熱線電話24小時開通，定期回訪客戶； 2、免費培訓(xùn)化驗人員，現(xiàn)場培訓(xùn)或來公司培訓(xùn)均可；3、常年供應(yīng)化驗儀器所需各種配件:特制硅鉬粉、錫粒、各種標(biāo)樣、玻璃器皿、分析天平、添加劑等。