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伴隨著我國半導(dǎo)體行業(yè)的迅速崛起，硅電極作為光刻設(shè)備上承載硅基圓的重要輔材，其需求日趨增加。同時，基圓尺寸的不斷增加使得硅電極逐漸由單晶硅電極轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч桦姌O，然而多晶硅制備過程中不可避免存在C、N雜質(zhì)的污染，導(dǎo)致其基體中存在大量彌散分布的SiC、Si3N4硬質(zhì)顆粒夾雜，嚴(yán)重影響了多晶硅電極的使用性能。 傳統(tǒng)制備技術(shù)下，設(shè)備熱場結(jié)構(gòu)單一，熔體流動性差，導(dǎo)致SiC、Si3N4雜質(zhì)循環(huán)溶解—析出，難以有效分離。本項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)前期利用電子束精煉技術(shù)去除硅中的蒸發(fā)性雜質(zhì)（P、 O、N）；利用電子束誘導(dǎo)實(shí)現(xiàn)多晶硅的定向凝固，進(jìn)而分離硅中的金屬雜質(zhì)；基于電子束冷床效應(yīng)分離硅中的SiC、Si3N4硬質(zhì)顆粒，并揭示硬質(zhì)顆粒與硅基體間的位相關(guān)系；基于上述研究開發(fā)出了多晶硅電極的制備工藝，可應(yīng)用于刻蝕等半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域。 本項(xiàng)目預(yù)期可以為半導(dǎo)體行業(yè)中硅電極生產(chǎn)制造企業(yè)提供穩(wěn)定的技術(shù)支持，具有很好的生產(chǎn)示范性，實(shí)現(xiàn)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化。該技術(shù)能夠有效地降低生產(chǎn)過程中的能耗，是一種低成本、環(huán)境友好的生產(chǎn)方法，屬于節(jié)能、環(huán)保的綠色制造技術(shù)。該技術(shù)的大規(guī)模應(yīng)用和推廣，可大幅增加就業(yè)崗位，提高企業(yè)的市場競爭力，保護(hù)環(huán)境。

關(guān)鍵工序生產(chǎn)的自動化 ① 粉碎（雷蒙磨）自動控制系統(tǒng)的研發(fā)   研制可對粉碎車間雷蒙磨振動下料、粉碎、氣流粗分工況進(jìn)行實(shí)時監(jiān)測、自動優(yōu)化控制的自動監(jiān)控系統(tǒng)。將雷蒙磨因堵塞停機(jī)造成的故障次數(shù)比現(xiàn)階段減少75%，且提高工效15%以上。    ② 氣流分級自動控制系統(tǒng)的研發(fā)   研制氣流分級機(jī)用自動控制系統(tǒng)，具備以下功能：可根據(jù)分級輪主機(jī)負(fù)載實(shí)時自動調(diào)節(jié)喂料速度、根據(jù)所設(shè)定的風(fēng)壓值自動調(diào)整變頻器運(yùn)行、根據(jù)生產(chǎn)工藝要求自動向企業(yè)綜合信息平臺實(shí)時發(fā)送生產(chǎn)工況參數(shù)。    ③ 提純工序?qū)崟r檢測與信息管理系統(tǒng)的研發(fā)   開發(fā)可對提純缸、脫水機(jī)、烘干爐等主要設(shè)備工況進(jìn)行實(shí)時監(jiān)控的智能化監(jiān)控儀設(shè)備。    ④ 水力分級自動控制系統(tǒng)的研發(fā)   研發(fā)水力分級設(shè)備用自動控制系統(tǒng)，可根據(jù)工藝曲線要求自動控制水流量。采用水泵變頻控制，變常規(guī)的高低液位控制為恒液位控制，液位控制精度達(dá)到0.3%；研制出料自動切換裝置，實(shí)現(xiàn)出料無人值守。 ⑤ SiC冶煉爐在線自動測控裝置的研發(fā)   研制SiC冶煉爐在線自動測控裝置，可按冶煉工藝和爐溫自動進(jìn)行恒功率綜合優(yōu)化控制，爐溫控制精度達(dá)到2.5級。成果已在工廠正常運(yùn)行3年。獲得4項(xiàng)發(fā)明專利授權(quán)，5項(xiàng)軟件著作權(quán)授權(quán) 雷蒙磨粉碎自動檢測方法及裝置                   專利號：ZL200810020792.3 一種提高碳化硅微粉水溢流分級效率的精密控制方法 專利號：ZL200910035173.6 一種燃煤鍋爐能效監(jiān)測方法                      專利號：ZL201110091483.7 陣列式LED照明燈具的中心區(qū)域溫度動態(tài)控制方法  專利號：ZL201210356239.3 一種經(jīng)濟(jì)型燃煤鍋爐能效監(jiān)測系統(tǒng)及方法           專利號：ZL201110292517.9 一種低冗余度高可靠性船舶發(fā)電機(jī)組智能測速裝置 專利號：ZL201110058228.2一種手機(jī)可遙控的總線型區(qū)域供熱計量管理系統(tǒng) 專利號：ZL201010134495.9

本發(fā)明公開了一種硅太陽能電池正面銀電極用銀粉的制備方法， 包括以下步驟：將硝酸銀和檸檬酸溶于去離子水配制得到 A 溶液；將 瓜爾豆膠、抗壞血酸以及硝酸溶于去離子水中配制得到 B 溶液；在攪 拌的情況下，將 A 溶液逐漸滴加到 B 溶液，反應(yīng)一段時間；靜置，沉 淀得到銀粉。本發(fā)明通過引入瓜爾豆膠為反應(yīng)離子分散劑、檸檬酸為 粒子表面改性劑，在液相化學(xué)還原法下制備得到平均粒徑 D50 為 1.0-3.0μm 的銀粉，并兼顧

氟硅唑，商品名福星，是淄醇脫甲基化抑制劑，用來防治谷類、蘋果、葡萄等作物的黑星病，特別是對梨黑星病有特效，40%的乳油10000～12000倍能有效地防治梨黑星病，進(jìn)口40%乳油的市場價格為50萬元/噸。按現(xiàn)在的工藝條件，折百的原藥原料成本小于30萬元/噸。

本實(shí)用新型公開了一種硅通孔結(jié)構(gòu)，其形成于硅片上，并包括摻雜粒子構(gòu)成的導(dǎo)電區(qū)和絕緣區(qū)，絕緣區(qū)與所述導(dǎo)電區(qū)摻雜的粒子的極性相反，所述導(dǎo)電區(qū)表面覆蓋有金屬電極，所述硅片的表面除所述金屬電極之外的區(qū)域覆蓋有絕緣層。本實(shí)用新型硅通孔結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)在于：通過粒子摻雜方式形成硅通孔結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電區(qū)和絕緣區(qū)，導(dǎo)電區(qū)和絕緣區(qū)的基體都還是硅片本身，避免了目前硅通孔技術(shù)中金屬和硅片熱膨脹系數(shù)不同造成的熱應(yīng)力問題，能夠提高器件的可靠性和壽命。

已有樣品/n成功開發(fā)了系列硅光子流片工藝模塊和初版PDK，其中標(biāo)準(zhǔn)單元庫主要包括單模波導(dǎo)、Y-分支、光交叉器、耦合光柵等無源器件，而最近有源工藝的成功開發(fā)，將向標(biāo)準(zhǔn)單元庫中添加加熱電極、調(diào)制器和Ge 光電探測器等有源器件。此次有源器件流片的成功，加上先導(dǎo)中心2016年上半年開發(fā)成功的硅光子無源工藝及器件（圖3），使微電子所硅光子平臺已具有為業(yè)界提供基于180nm工藝的硅光子流片服務(wù)的能力，成為國內(nèi)首個基于8英寸CMOS工藝線向用戶

研究團(tuán)隊(duì)利用能谷-贗自旋耦合原理，在絕緣層硅（SOI，silicon-on-insulator）上制備出能谷光子晶體平板。該拓?fù)涔鈱W(xué)結(jié)構(gòu)具有~40nm的特征尺寸，其光子模式（因工作于光錐以下）能夠較好地局域在平板內(nèi)，抑制了平板外損耗。他們制備了直線形、Z形和Ω形等三種拓?fù)涔鈱W(xué)通道，測量出高透平頂透射光譜帶，證實(shí)了近紅外波段下拓?fù)浔Ｗo(hù)的寬帶抗散射傳輸。采用硅微盤技術(shù)產(chǎn)生相位渦旋源，無需低溫和強(qiáng)磁等極端環(huán)境，實(shí)現(xiàn)了拓?fù)浣缑鎽B(tài)的選擇性激發(fā)，實(shí)現(xiàn)了亞微米量級耦合長度的寬帶光子路由行為，驗(yàn)證了能谷-贗自旋耦合等拓?fù)涔鈱W(xué)原理。?在硅基平臺上證實(shí)拓?fù)涔庾訉W(xué)原理，是目前國際學(xué)術(shù)前沿的聚焦度較高的領(lǐng)域之一。研究團(tuán)隊(duì)過去在拓?fù)涔庾訉W(xué)原理方面的工作，多次引起國際同行關(guān)注，論文入選ESI高被引。該工作中，他們深入系統(tǒng)地發(fā)展出硅基拓?fù)涔鈱W(xué)等關(guān)鍵理論，攻克了數(shù)十納米加工工藝等關(guān)鍵技術(shù)，率先在硅基光子平臺與拓?fù)涔庾訉W(xué)之間建立了聯(lián)系，突破了單一自由度調(diào)控的傳統(tǒng)框架，提出了硅基中多自由度耦合的多維調(diào)控新機(jī)制，為微納光學(xué)與光子學(xué)、光二極管等關(guān)鍵光子芯片器件、混合集成光子學(xué)、高保真光量子信息光學(xué)、非線性光學(xué)等領(lǐng)域，提供了新方法和新思路。

主要生產(chǎn)藥用玻管、中性硼硅玻璃安瓿/小瓶、低硼硅玻璃安瓿/小瓶、低硼硅管制口服液體瓶等產(chǎn)品。現(xiàn)擁有14條國際先進(jìn)的拉管生產(chǎn)線，70余臺國際先進(jìn)的制瓶機(jī)，年產(chǎn)各類安瓿/管制瓶32億支，藥用玻管（精品7.0）30000噸。

主要生產(chǎn)藥用玻管、中性硼硅玻璃安瓿/小瓶、低硼硅玻璃安瓿/小瓶、低硼硅管制口服液體瓶等產(chǎn)品。現(xiàn)擁有14條國際先進(jìn)的拉管生產(chǎn)線，70余臺國際先進(jìn)的制瓶機(jī)，年產(chǎn)各類安瓿/管制瓶32億支，藥用玻管（精品7.0）30000噸。

寬禁帶半導(dǎo)體硅基GaN器件以其高效率，高開關(guān)速度高工作溫度抗輻時等特點(diǎn),成為當(dāng)前國際功率半導(dǎo)體器件與技術(shù)學(xué)科的研究前沿及熱點(diǎn)，也是業(yè)界普遍認(rèn)可的性能卓越的下代功率半導(dǎo)體器件。而S基GaN因其S基特性.能夠突破新材料在發(fā)展初期的成本牦頸且易與S集成電路產(chǎn)業(yè)鏈匹配，因此兼具高性能與低成本的優(yōu)點(diǎn)在消費(fèi)電子(如手機(jī)快沖與天線充電).數(shù)據(jù)中心與人工智能，無人駕駛與新能源汽車、5G通信等團(tuán)家戰(zhàn)略新興領(lǐng)城具有巨大的應(yīng)用前景。電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室自2008年起即開展硅基GaN功率器件與集成技術(shù)研究,圍繞硅基GaN兩大核心器件:增強(qiáng)型功率晶體管、功率整流器進(jìn)行基礎(chǔ)研究與應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。解決了增強(qiáng)型功率晶體管閾值電壓大范圍調(diào)控功率二圾管導(dǎo)通電壓調(diào)控與耐壓可靠性加查等關(guān)鍵技術(shù)瓶頸,研究成果為硅基GaN的產(chǎn)業(yè)化奠定了重要基礎(chǔ)。