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長循環硅基復合薄膜負極
隨著微電子行業等微型化科技的快速發展，薄膜材料得到廣泛應用。薄膜電池作為微型電源器件具有廣闊發展空間。薄膜材料對于硅基負極而言，其短程儲鋰深度和單向膨脹的優勢能夠有效克服硅基材料的本征導電率低和體積膨脹大的問題。開發無需粘結劑的硅基負極薄膜材料對于薄膜負極發展意義深遠。項目通過物理沉積方法，實現電極結構設計與導電型材料復合，改善硅基材料低導電率問題，優化硅基材料體積膨脹緩沖空間，從而完成無粘結劑硅基材料制備和倍率、循環等性能的提高。
廈門大學
2021-01-12
硅通孔結構及其制造方法
本發明公開了一種硅通孔結構的制造方法，包括以下步驟：將硅片的厚度減薄至 5 微米至 20 微米；去除硅片表面的所有絕緣層；在硅片的導電區表面和絕緣區表面制作摻雜掩膜，以對導電區和絕緣區分別進行粒子摻雜，絕緣區與導電區摻雜的粒子的極性相反；在粒子摻雜完成后去除摻雜掩膜；在導電區表面覆蓋金屬電極；在硅片的表面除金屬電極之外的區域覆蓋絕緣層。本發明的方法制造工藝簡單，可避免刻蝕、絕緣處理等工藝對硅片的破壞，并能夠提高制造硅通孔結構的成品率。本發明還公開了一種硅通孔結構。
華中科技大學
2021-04-11
改性有機硅柔軟劑
本產品為一種改性有機硅柔軟劑，主要用于織物的后整理，給予織物柔軟、滑爽等手感。
氨基硅油作為一種織物柔軟劑，不僅對棉、毛、麻等天然纖維有較好的柔軟手感，對合成纖維也有較好的柔軟效果。但經氨基硅油整理后的織物也存在親水性差、經光線照射后容易黃變的缺點，從而不能用于對淺色織物的后整理。本產品對氨基硅油直接進行醇基化改性，產品既保留了部分未改性的氨基硅油，又引入了羥基親水基團。經過本產品處理過的織物，既有經過氨基硅油處理后的手感特點又可改善織物的染色性、耐熱性和耐水性。同時氨基硅油中容易氧化黃變的氨基被部分親水基團醇基取代，增加了織物的親水透氣性，降低了處理后織物的黃變。
華東理工大學
2021-04-13
一種深硅刻蝕方法
本發明公開了一種深硅刻蝕方法，包括如下步驟：（1）在硅片表面制備圖形化的光刻膠掩膜；（2）對硅片進行深感應耦合等離子體干法刻蝕，包括多個刻蝕階段，每個刻蝕階段均在感應耦合等離子體機內，通過鈍化、轟擊和刻蝕三個步驟交替循環加工完成，隨著刻蝕深度的增加，各刻蝕階段中轟擊步驟的轟擊強度逐漸增強。本發明有效解決了現有技術中側壁垂直度及粗糙度難以控制以及大刻蝕深度難以實現的問題，在提高刻蝕效率的同時，提高了對光刻膠的選擇比，刻蝕槽側壁垂直度高，粗糙度小，刻蝕深度大。
華中科技大學
2021-04-14
低硼硅藥用玻璃管
主要生產藥用玻管、中性硼硅玻璃安瓿/小瓶、低硼硅玻璃安瓿/小瓶、低硼硅管制口服液體瓶等產品。現擁有14條國際先進的拉管生產線，70余臺國際先進的制瓶機，年產各類安瓿/管制瓶32億支，藥用玻管（精品7.0）30000噸。
山東力諾特種玻璃股份有限公司
2021-08-27
超晶格結構的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法
簡介：本發明提供一種超晶格結構的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法,屬于材料表面技術領域。本發明該超硬膜是由電弧離子鍍的納米晶體相Cr2N和磁控濺射鍍的非晶體相WC層交替沉積而成,并且,超晶格的調制周期為10～20nm,Cr2N單層和WC單層的厚度分別為8～14nm和2～6nm。本發明的優點在于:Cr2N層與WC層交替分布實現了Cr-N基膜成分多元化和結構多層化,解決了抗氧化性較強的Cr-N基膜獲得超高硬度的難題,同時非晶WC層進一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蝕性能,滿足不能熱處理的
安徽工業大學
2021-04-14
大顆粒狀速溶食品（菊花晶和金銀花晶）的開發及產業化
菊花晶和金銀花晶具有清熱去火的功效，目前市售的菊花晶和金銀花晶主要 以粉末狀的形態存在，外觀形狀較差，且溶解時所需的時間較長。本項目開發的 菊花晶和金銀花晶顆粒較大，溶解性較好。
溶解時間：熱水中 3 s 以內全部溶解，不使用食品添加劑。
效益分析：菊花和金銀花中的有效成分具有清熱去火等諸多功效，將其從菊花和金銀花 中提取出來制備成菊花晶和金銀花晶可以提高食用的方便。此外，將菊花晶和金 銀花晶與奶粉同時食用，可以有效降低嬰兒食用奶粉時引起的上火等問題。因此， 開發具有良好外觀形態和溶解性的菊花晶和金銀花晶具有較強的市場競爭力。
江南大學
2021-04-11
低成本納米微晶陶瓷制備技術
本項目開發了一種全新概念的納米陶瓷制備新工藝新技術。它采用天然礦物和工業廢渣來取代高溫燒結法中昂貴的納米陶瓷粉末，使制備成本大幅降低。用高溫溶膠－凝膠工藝從根本上解決了材料組成的不均勻性和殘留氣孔等問題，同時具有生產周期短、效率高、能耗低、制品的均勻性和可靠性好等優點。開發的原位受控晶化技術不僅使材料的晶粒尺寸控制在納米級，而且還可對晶相數量和結晶形狀進行有效控制，可獲得具有球狀或針狀晶體的納米微晶陶瓷。
湖南大學
2021-04-10
全自動激光晶圓劃片機系統
電路是以晶圓為載體，采用一定的工藝，把電路中的元器件和布線制作在晶圓片上，封裝為 一個整體，使晶圓上每個晶粒成為具有所需電路功能的微型結構。晶圓切割的過程是將集成有 電路的整片晶圓通過劃切分割成單個的晶粒，切割過程又是一種無法恢復的過程，因此，材料 和制造成本的積累以及工藝的不可重復性決定了切割工藝成為整個集成電路制造過程中最關鍵 和難度最大的工藝環節。 精密機械：可加工的晶圓最小直徑可達50mm，在晶圓里面印刷有晶格，每個晶格的寬度 為200μm，晶格間距約為20μm，所以設備的切割精度要求控制在2μm以內，每小時切割15片。 運動平臺采用高精度的直線電機平臺，定位精度為2μm，重復定位精度為1μm；旋轉平臺的定 位精度為30″，重復定位精度為4″。 計算機自動控制：劃片機系統將根據客戶要求以及配合視覺檢測系統傳輸的晶圓數據，自 動生成切割路徑，在規定的工作時間內完成晶圓的切割。
華東理工大學
2021-04-11
低成本納米微晶陶瓷制備技術
本項目開發了一種全新概念的納米陶瓷制備新工藝新技術。它采用天然礦物和工業廢渣來取代高溫燒結法中昂貴的納米陶瓷粉末，使制備成本大幅降低。用高溫溶膠－凝膠工藝從根本上解決了材料組成的不均勻性和殘留氣孔等問題，同時具有生產周期短、效率高、能耗低、制品的均勻性和可靠性好等優點。開發的原位受控晶化技術不僅使材料的晶粒尺寸控制在納米級，而且還可對晶相數量和結晶形狀進行有效控制，可獲得具有球狀或針狀晶體的納米微晶陶瓷。
湖南大學
2021-02-01