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太陽能作為一種潔凈和相對易于獲取的能源在未來的動力產(chǎn)品中將占有越來越大的比份。如何發(fā)展高光電能量轉(zhuǎn)換效率、高可靠性和低成本的太陽能電池是目前太陽能利用領(lǐng)域所面臨的關(guān)鍵問題。相對于第一代和第二代太陽能電池(轉(zhuǎn)換效率<<50％)，各國科學(xué)家紛紛研究不同的應(yīng)用于第三代太陽能電池的新材料和新結(jié)構(gòu)，目標是使光電轉(zhuǎn)換效率大于5 0％。近年來，一種具有微、納米量級特殊結(jié)構(gòu)的光伏材料成為太陽能電池的研究熱點。利用飛秒脈沖激光在極短的持續(xù)時間內(nèi)激發(fā)出極大的峰值能量，其在硅片的相互作用過程中具有很強的非線性效應(yīng)，聚焦燒蝕硅表面很小的一塊面積，形成規(guī)則排列的微納米結(jié)構(gòu)。這種微納米結(jié)構(gòu)由于表面積增大，對入射光波有很大的吸收，且對光的敏感性提高了數(shù)百倍，這些性質(zhì)對我們提高光電轉(zhuǎn)換效率具有很大的指導(dǎo)意義。這種材料與本底未處理材料的性質(zhì)相比，材料帶隙減小，對光的敏感性提高了數(shù)百倍，這使得其對波長為250—2500 nm的入射光波有大于90％的吸收；另外，黑硅比傳統(tǒng)材質(zhì)的硅的比重低。這些奇特的光電和物理性質(zhì)能進一步提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。根據(jù)光吸收效率，激子光量子效率，化學(xué)電勢效率以及填充因子計算總的光電轉(zhuǎn)換效率，普通硅基太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率只有1 5％，而基于微納結(jié)構(gòu)光伏材料的太陽能電池轉(zhuǎn)換效率可望達到50%-60%。 針對國民經(jīng)濟可持續(xù)發(fā)展在太陽能光伏技術(shù)方面的重大需求，發(fā)展利用超短脈沖激光制備具有優(yōu)異光電轉(zhuǎn)化效率的微納結(jié)構(gòu)光伏材料的新方法，以及通過探測光伏材料中非平衡載流子的能帶結(jié)構(gòu)及微分負電導(dǎo)等特性，探知光伏材料的光電轉(zhuǎn)換效率，從而篩選出轉(zhuǎn)換效率較高的微納結(jié)構(gòu)光伏材料，最終在發(fā)展新型、高效太陽能電池的新原理和新技術(shù)方面取得創(chuàng)新性突破，為我國研發(fā)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的高效第三代光伏電池打下堅實基礎(chǔ)。

利用大規(guī)模集成硅基納米光量子芯片技術(shù)，實現(xiàn)對高維度光量子糾纏體系的高精度和普適化量子調(diào)控和量子測量。 （圖一）基于硅納米光波導(dǎo)的大規(guī)模集成光量子芯片(可實現(xiàn)對高維量子糾纏體系的高精度、可編程、且任意通用量子操控和量子測量)       集成光學(xué)量子芯片技術(shù)，基于量子力學(xué)基本物理原理，使用半導(dǎo)體微納加工工藝實現(xiàn)單片集成光波導(dǎo)量子器件（包括單光子源、量子操控和測量光路，以及單光子探測器等），可以實現(xiàn)對量子信息的載體單光子進行處理、計算、傳輸和存儲等。集成光學(xué)量子芯片具有集成度高、穩(wěn)定性高、性能好、體積小、制造成本低等諸多優(yōu)點。因此，該技術(shù)被普遍認為是一種實現(xiàn)光量子信息應(yīng)用的有效技術(shù)手段。      利用硅基納米光波導(dǎo)技術(shù)實現(xiàn)的光量子芯片具有諸多獨特優(yōu)點，例如與傳統(tǒng)微電子加工工藝兼容、可集成度高、非線性效用強、以及工作波長與光纖量子通信兼容等。然而，迄今為止光量子芯片的復(fù)雜度僅限于小規(guī)模的演示，如集成少數(shù)馬赫-曾德干涉儀對光子態(tài)進行簡單操控。因此，我們迫切需要擴大集成量子光路的復(fù)雜性和功能性，增強其量子信息處理技術(shù)的能力，從而推進量子信息技術(shù)的應(yīng)用。       相干且精確地控制復(fù)雜量子器件和多維糾纏系統(tǒng)是量子信息科學(xué)和技術(shù)領(lǐng)域的一項難點。相對于目前普遍采用的二維體系量子技術(shù)，高維體系量子技術(shù)具有信息容量大、計算效率高、以及抗噪聲性強等諸多優(yōu)點。最近，多維度量子糾纏系統(tǒng)已分別在光子、超導(dǎo)、離子和量子點等物理體系中實現(xiàn)。利用光子的不同自由度，如軌道角動量模式、時域和頻域模式等，可以有效編碼和處理多維光量子態(tài)。然而，實現(xiàn)高保真度、可編程、及任意通用的高維度量子態(tài)操控和量子測量，依然面臨很多困難和挑戰(zhàn)。       針對上述問題，英國布里斯托爾大學(xué)、北京大學(xué)、丹麥技術(shù)大學(xué)、德國馬普研究所、西班牙光學(xué)研究所和波蘭科學(xué)院的科研人員密切合作，并取得了突破性進展。研究團隊提出并實現(xiàn)了一種新型的多路徑加載高維量子態(tài)方式，即每個光子以量子疊加態(tài)的形式同時存在于多條光波導(dǎo)路徑，從而實現(xiàn)了一個高達15×15的高維量子糾纏系統(tǒng)。通過可控地激發(fā)16個參量四波混頻單光子源陣列，可以制備具有任意復(fù)系數(shù)的高維度量子糾纏態(tài)。通過單片集成通用型線性光路，可對高維量子糾纏態(tài)進行任意操控和任意測量。因此，該多路徑高維量子方案具有任意通用性。與此同時，團隊充分利用集成光路的高穩(wěn)定性和高可控性，實現(xiàn)了高保真度的高維量子糾纏態(tài)，如4、8和12維度糾纏態(tài)的量子態(tài)層析結(jié)果分別為96、87% 和 81%保真度，遠超其他方式制備的高維量子糾纏態(tài)性能。       更重要的是，團隊通過硅基納米光子集成技術(shù)，實現(xiàn)了目前集成度最復(fù)雜的光量子芯片（圖一所示），單片集成550多個光量子元器件，包括16個全同的參量四波混頻單光子源陣列、93個光學(xué)移相器、122個光束分束器、256個波導(dǎo)交叉結(jié)構(gòu)以及64個光柵耦合器，從而達到對高維量子糾纏體系的高精度、可編程、且任意通用量子操控和量子測量。       研究進一步利用該高維光量子芯片技術(shù)，驗證高維度量子糾纏系統(tǒng)的強量子糾纏關(guān)聯(lián)特性，包括普適化貝爾不等式和EPR導(dǎo)引不等式等，證明量子物理和經(jīng)典物理定律的重要區(qū)別。例如，對4維度量子糾纏態(tài)，實驗觀察得到了2.867±0.014的貝爾參數(shù)，不僅成功違背經(jīng)典物理定律61.9個標準差，而且超過普通二維糾纏體系的最大可到達值的2.8個標準差。研究還首次實現(xiàn)高維量子系統(tǒng)的貝爾自檢測和量子隨機放大等新功能，例如，對3維度最大糾纏態(tài)和部分糾纏態(tài)的自檢測保真度約為76%，對14維以下糾纏態(tài)均實現(xiàn)了量子隨機放大功能。

本發(fā)明公開了一種環(huán)氧樹脂基復(fù)合材料及其制備方法，環(huán)氧樹 脂基復(fù)合材料包括環(huán)氧樹脂基體、以及均勻分散于所述環(huán)氧樹脂基體 中的聚苯乙烯空心球和聚乙二醇，所述聚苯乙烯空心球的含量為所述 環(huán)氧樹脂基體的 4.0vol.％～32.0vol.％，所述聚乙二醇的含量為所述環(huán) 氧樹脂基體的 2.0wt.％～10.0wt.％。通過本發(fā)明，制備了一種具有良 好的力學(xué)性能和隔音性能的環(huán)氧樹脂基復(fù)合材料，且該環(huán)氧樹脂基復(fù) 合材料的制備方法步

本技術(shù)解決了現(xiàn)有常壓燒結(jié)技術(shù)中制備氧化鋯基陶瓷韌性較低以及濕法成型時高濃度、低粘度漿料制備困難的問題。將氫氧化鋁包覆在納米氧化鋯(含4.37～6.04％氧化釔)粉體表面，熱處理組合成氧化鋯-氧化鋁復(fù)合微粉(微粉中四方相氧化鋯含量占氧化鋯總量的70-90％)。以該復(fù)合微粉、丙烯酰胺、交聯(lián)劑和分散劑為原料，通過注凝成型制備生坯，在常壓燒結(jié)條件下制備本發(fā)明

研發(fā)階段/n本發(fā)明公開了一種液體深層發(fā)酵生產(chǎn)塊菌多糖的培養(yǎng)基。該培養(yǎng)基由乳糖、蛋白胨、硫酸鎂、磷酸二氫鉀按一定比例構(gòu)成，其塊菌多糖的制備步驟首先是斜面菌種培養(yǎng)，其次是液體種子培養(yǎng)，最后是液體深層發(fā)酵。本發(fā)明通過對中國塊菌的斜面菌種、一級液體種子和二級液體種子的培養(yǎng)來穩(wěn)定其生理狀況，在液體深層發(fā)酵階段著重考察了不同碳源、氮源及起始ｐＨ值對塊菌液體深層發(fā)酵過程中塊菌多糖產(chǎn)量的影響。在該培養(yǎng)基中塊菌生長迅速，發(fā)酵周期短，多糖產(chǎn)量高，成本低，適用于工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)塊菌多糖。

本發(fā)明涉及一種水泥基抹面材料塑性收縮開裂測定方法。先制備 9143610320mm 的無底木模框，并在其內(nèi)側(cè)涂覆機油；再將其置于 10003700320mm 的已硬化混凝土基 底上或 10003700350mm 已用砂漿粘接平鋪好的粘土磚基底上；然后按水泥∶砂∶水∶ 防裂纖維＝1∶1∶0.5∶0～0.20 質(zhì)量比量取，攪拌 1-3min 制成水泥基抹面材料后倒入 木模框內(nèi)，并沿邊緣螺旋式向中心進行澆注，注滿后立即快速刮平表面，并打開風速為 5m/s 的電風扇和位于抹面材料上方 1.5m 處的 1000W 碘鎢燈，光照 4h 和風吹 24h 后，在 20±2℃和相對濕度為 50±10％下測量和計算開裂權(quán)重值。本發(fā)明在 1~2 天內(nèi)獲得其塑 性失水干燥收縮開裂性能的表征結(jié)果。可廣泛用于測定工程中水泥凈漿、砂漿及其復(fù)合 材料的塑性收縮性能，指導(dǎo)防裂施工，具有明顯經(jīng)濟和社會價值。

本發(fā)明公開了一種海鮮菇液化專用菌種培養(yǎng)基，其由以下重量份的成分組成：玉米淀粉50?60份、葡萄糖1?2份、小麥纖維素10?15份、細麩皮15?25份、酵母浸膏1?1.5份、牛肉蛋白胨1?1.5份、磷酸二氫鉀2?3份、硫酸鎂1?1.5份、水100份。本發(fā)明還同時公開了利用上述培養(yǎng)基進行的海鮮菇液化菌種培養(yǎng)法，依次進行以下步驟：將海鮮菇液化專用菌種培養(yǎng)基高溫高壓滅菌，于無菌條件下在滅菌后培養(yǎng)基中接入海鮮菇母種，20～22℃黑暗培養(yǎng)20～22天；將所得的液化專用固體菌種進行稀釋處理，得海鮮菇液化菌種。

本發(fā)明公開了一種水泥基滲透性抗裂防水復(fù)合修復(fù)材料及其制備方法,本發(fā)明水泥基滲透性抗裂防水復(fù)合修復(fù)材料由以下質(zhì)量分數(shù)的祖墳組成:硅酸鹽水泥熟料20～40%、粉煤灰3～20%、石膏2～10%、高鋁水泥2～10%、硅酸鈉1～4%、萘系高效減水劑0.1～1.5%、碳酸鈉0.1～2.0%、整形石英砂40～70%、聚丙烯短纖維0.1～3.0%和羧甲基纖維素鈉0.05～1.0%;本發(fā)明材料性能優(yōu)良、無毒無污染且具有粘結(jié)牢固、滲透深度好、防水抗?jié)B效果和抗裂效果奇佳等特點,同時生產(chǎn)成本低廉、制備工藝和施工方法簡單、使

鈦及鈦合金具有密度小、強度高、耐高溫、耐低溫、耐腐蝕、非磁性、線膨脹系數(shù)小等多種優(yōu)點，特別是其比強度，在已有的材料中幾乎是最高的，因此，鈦主要應(yīng)用在航空領(lǐng)域中以降低飛行器重量。隨著科技的發(fā)展，原來的鈦合金在某些方面已經(jīng)不能滿足現(xiàn)代航空、航天的需求。鈦基復(fù)合材料既保持了鈦的優(yōu)良性質(zhì)又具有比鈦更高的比強度和比模量，可望成為航空航天與其它高技術(shù)領(lǐng)域中重要的結(jié)構(gòu)材料。其中，原位自生復(fù)合材料，增強相是通過外加的化學(xué)元素之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而生成的。與傳統(tǒng)的外加法制得的復(fù)合材料相比，原位自生鈦基復(fù)合材料表現(xiàn)出以下優(yōu)點：制備工藝簡單，可以用鈦合金傳統(tǒng)的冶煉和加工的設(shè)備制備大尺寸的鈦基復(fù)合材料，因此易于工業(yè)化生產(chǎn)；增強體和基體在熱力學(xué)上穩(wěn)定，因此在高溫工作時，性能不易退化；避免了外加法帶來的界面污染等問題；原位生成的增強相在基體中分布均勻，表現(xiàn)出優(yōu)良的機械性能。而TiC和TiB共同的特點是：熔點高，比強度、比剛度高和化學(xué)穩(wěn)定性好；物理和機械性能優(yōu)良；與鈦基體之間的熱膨脹系數(shù)差別小。因此TiC和TiB是鈦合金中較為理想的增強體，通過本研究開發(fā)的原位自生的TiC或(TiC+TiB)增強鈦基復(fù)合材料，具有優(yōu)良的機械性能。