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本發明公開了一種基于金屬納尖陣電極的電調透射光薄膜，其包括：由納米尺度間隔的納尖高密度排布構成的一層納米厚度的金屬納尖陣陰極和一層納米厚度的平面陽極，該陽極由透光的納米厚度的金屬氧化物導電膜制成，陰陽電極間填充有由納米厚度的透明光學介質材料制成的電隔離膜；在加電態下，金屬納尖陣陰極上可自由移動的電子被電極間所激勵的電場驅控，向納尖頂聚集，納尖底部及相鄰尖端間的平坦區域上的自由電子分布密度因部分甚至絕大多數自由電

本發明公開了一種雙路電控納線簇電極的電調光透射薄膜，其包括：由納米尺度間隔的納線簇高密度排布構成的圖案化公共電極以及分布在其上端和下端的頂面陰極和底面金屬納膜陰極，頂面陰極和圖案化公共電極均由透光的納米厚度的同材質膜制成，底面金屬納膜陰極由納米厚度的金屬膜制成；頂面陰極和圖案化公共電極以及圖案化公共電極與底面金屬納膜陰極間均填充有納米厚度的同材質光學介質材料。本發明雙路電控納線簇電極的電調光透射薄膜，可對入射光

CIGS薄膜太陽電池具有效率高，無衰退、抗幅射、壽命長等特點，采用非真空技術可以進一步降低這種電池的成本，預計可達到0.6$/W。 本項目產品結構為：襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收層CIGS薄膜為p型半導體，其表面貧Cu呈n型與緩沖層CdS和i-ZnO共同成為n層，構成淺埋式p-n結。太陽光照射在電池上產生電子與空穴，被p-n結的自建電場分離，從而輸出電能。工藝流程：普通鈉鈣玻璃清洗→Mo的濺射沉積→非真空法沉積CIGS薄膜預置層→快速

場效應晶體管（Field Effect Transistor, FET）是芯片與集成電路的基本單元，由金屬電極、半導體電荷傳輸層和絕緣電介質層三部分組成。近年來，電氣設備和電子產品小型化、輕量化、智能化的發展趨勢對FET等基礎電學元器件提出了向高性能、微型化、高頻化和柔性化發展的需求。進入21世紀后，隨著多種具有共軛π鍵體系聚合物和小分子的合成，有機半導體材料的優良電荷傳輸特性已被較為充分地發掘，分子結構創新的匱乏導致半導體材料電荷傳輸性能難有跨越式的提升。基于這種現狀，西安交通大學魯廣昊教授課題組將研究重點轉向絕緣電介質層，通過充分挖掘絕緣介質帶電特性形成可控的柵極補償電場，實現FET半導體層電荷傳輸的調控并提高器件性能。近日，前沿院魯廣昊教授課題組與電氣學院李盛濤教授課題組、理學院張志成教授課題組、中科院長春應用化學研究所崔冬梅研究員課題組開展合作，通過自由基聚合合成了一種新型絕緣聚合物分子：無規4-氟代聚苯乙烯（Poly(4-fluorostyrene)，FPS）。該聚合物具有較高的深電荷陷阱密度、高擊穿場強、高熱穩定性和疏水性，可實現高度穩定的駐極體。以FPS薄膜作為柵極介電層，并以C12-BTBT作為半導體層制備的有機場效應晶體管具有高達11.2 cm2·V-1·s-1的場效應遷移率，高達107的開/關比和較小的閾值電壓。與廣泛使用的聚苯乙烯相比，FPS的電子和空穴陷阱密度及陷阱能級均有所上升，帶來6.8×1012cm-2的高帶電量。利用FPS制備的OFET存儲器件可在大于100 V的寬存儲窗口下工作，并具有在空氣環境中大于一個月的存儲穩定性。 該研究成果以“Soluble Poly(4-fluorostyrene): a High-performance Dielectric Electret for Organic Transistors and Memories”為題發表在國際材料領域權威期刊Materials Horizons上（影響因子：14.356）。該文第一作者為西安交大前沿院助理教授朱遠惟博士，通信作者為前沿院魯廣昊教授、電氣學院李盛濤教授和中科院長春應化所劉波副研究員。該工作得到了國家自然科學基金、陜西省自然科學基礎研究計劃、國家博士后基金、電力設備電氣絕緣國家重點實驗室中青年基金及校基本科研業務費的資助。論文鏈接為：https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2020/mh/d0mh00203h/unauth#!divAbstract課題組網站：http://gr.xjtu.edu.cn/web/guanghaolu/home

本發明公開了一種多層結構柔性薄膜的連續層合方法，包括(1)對第一柔性薄膜和第二柔性薄膜分別進行模切及廢料剝離處理，使得各薄膜的一側面上的保護層被剝離，且在中間的有用層上切出呈陣列布置的矩形切口；(2)以第三柔性薄膜作為層合的中間膜層，首先剝離其中一側面的保護層，然后與準備階段中的第一柔性薄膜進行層合，得到具有四層結構的柔性膜；(3)對第三柔性薄膜的另一側面的保護膜進行剝離處理，再將該經剝離后的表面與準備階段中的第二柔性薄膜層合，得到具有五層結構的復合膜。本發明還公開了一種多層結構柔性薄膜的連續層合的設備。本發明的層合設備及其工藝方法，可以有效地實現多層結構柔性薄膜的半斷模切和精確對位層合。

中國科大俞書宏院士團隊與姚宏斌、倪勇教授團隊合作提出了在不犧牲鋰離子電池能量密度的前提下，在石墨負極內部引入顆粒尺寸以及孔隙率的梯度異質分布結構設計，實現了石墨負極快充性能提升。

本發明公開了廿二碳五烯酸乙醇胺在提高植物灰霉病抗性中的應用以及在制備提高植物灰霉病抗性的制劑中的應用。本發明以廿二碳五烯酸乙醇胺為主要有效成分制備的制劑，通過誘導植物體內的茉莉酸以及乙烯的信號路徑，可顯著增強植物對灰霉病的抗性，減少因灰霉病給植株帶來的經濟損失。采用本發明制劑防治植物灰霉病簡單易行，成本較低，可顯著延遲和抑制灰葡萄孢病原菌在葉片上的生長及病害的擴散，大大提高了植株對灰霉病的抗性。

天津大學地科院多功能碳十四石墨化系統招標項目的潛在投標人應在天津市河東區大橋道52號渤輕黨校B座1層104室獲取招標文件，并于2022年06月21日09點30分（北京時間）前遞交投標文件。

非制冷薄膜型紅外焦平面陣列探測器結構，包括含讀出電路的第一基片，含熱隔離微橋陣列和敏感元陣列的第二基片，所述第一基片與第二基片鍵合成一體，所述熱隔離微橋陣列中的各熱隔離微橋單元以刻蝕后的第二基片為橋墩，以與所述橋墩頂面緊密結合的支撐層為橋面；各熱隔離微橋單元的橋面上均設置有敏感元陣列，各敏感元陣列通過引線電極與第一基片上對應的讀出電路實現電連接。制備方法：第一基片鍵合面圖形的制備；支撐層制備；敏感元陣列的制備；第二基片正面保護；熱隔離微橋陣列的制備；第一基片與第二基片的鍵合；除去第二基片的正面保護層；敏感元電極讀出電路電極的連接。