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一種基于四程中繼跟蹤模式的遠(yuǎn)月面著陸器精密定位方法
本發(fā)明提供一種基于四程中繼跟蹤模式的遠(yuǎn)月面著陸器精密定位方法，基于觀測(cè)模型實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)月面著 陸器精密定位，所述四程中繼跟蹤測(cè)量模式，將月球軌道器作為中繼星，使用月球著陸器和月球軌道器 之間的鏈路進(jìn)行測(cè)量。本發(fā)明克服傳統(tǒng)直接跟蹤測(cè)量模式無(wú)法對(duì)遠(yuǎn)月面著陸器進(jìn)行定位的缺陷，提供一 種基于四程中繼跟蹤模式的遠(yuǎn)月面著陸器精密定位方法，借助于中繼星的中繼跟蹤測(cè)量，可以消除月球 自身的遮擋，實(shí)現(xiàn)對(duì)遠(yuǎn)月面著陸器的精密定位。由于該方式對(duì)著陸器以及中繼星有很強(qiáng)的幾何約束，將 使精密定軌、定位的精度得到極大地提高。
武漢大學(xué)
2021-04-13
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檢測(cè)基因P53的比率電化學(xué)DNA傳感器修飾電極及其制備方法
本發(fā)明涉及電化學(xué)檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，具體公開(kāi)了一種用于檢測(cè)腫瘤抑制基因p53的修飾電極及其制備方法。用于檢測(cè)P53基因的探針，由一條單鏈DNA輔助探針S1和一條單鏈DNA捕獲探針S2組成，所述S1的DNA鏈序列為：5’-Fc-CTC TCA GTG ATT TTT TTA GTG AGA GAG-(CH2)6-SH-3’，所述S2的DNA鏈序列為：5’-MB-TCA CTG AGT CTT CCA GTG TGA TGA TCA CT-3’。 本發(fā)明所提供的方法制備簡(jiǎn)單，操控方便，使用成本低，與毛細(xì)管電泳、變性高效液相色譜、變性梯度凝膠電泳以及酵母中分離的等位基因功能分析技術(shù)等方法相比較，電化學(xué)生物傳感器的方式具有樣品無(wú)需前處理，易操控，反應(yīng)條件簡(jiǎn)單、成本低等優(yōu)點(diǎn)。腫瘤抑制基因P53是一種被稱為“基因組的守護(hù)者”的抑癌基因，是一系列同工型蛋白質(zhì)（P53蛋白）的同源基因。由該基因編碼的一系列蛋白質(zhì)具有調(diào)控細(xì)胞分裂、修復(fù)和凋亡的作用。國(guó)際癌癥基因組協(xié)會(huì)已經(jīng)證明，P53基因是在人類癌癥有關(guān)的基因中突變最為頻繁的基因。在人類已知的所有惡性腫瘤組織中，該基因出現(xiàn)突變的概率在50%以上，是迄今為止人類發(fā)現(xiàn)的與癌癥相關(guān)性最高的基因。因此檢測(cè)P53基因?qū)εR床上預(yù)防和治療癌癥有著非常重要的作用，本方法制備簡(jiǎn)單，操控方便，使用成本低，在醫(yī)學(xué)上有廣闊的應(yīng)用前景。
青島大學(xué)
2021-04-13
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一種木陶瓷電催化復(fù)合膜及其制備方法、電催化膜反應(yīng)器
專利名稱：
天津工業(yè)大學(xué)
2021-01-12
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一種基于超磁致伸縮薄膜驅(qū)動(dòng)器的平面線圈驅(qū)動(dòng)式微閥
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于超磁致伸縮薄膜驅(qū)動(dòng)器的平面線圈驅(qū)動(dòng)式微閥，包括下閥體 （1）、依次壓疊在下閥體（1）上的基片（3）、上閥體（4）和平面螺旋線圈（6），下閥 體的底部沿徑向方向分別設(shè)有進(jìn)液流道（2）和出液流道（11），下閥體的上部設(shè)有液體腔 （13），進(jìn)液流道（2）設(shè)有垂直向上的與液體腔連通的流道口，出液流道（11）與所述液 體腔連通；基片（3）上表面鍍有具有逆磁致伸縮效應(yīng)薄膜（7），下表面鍍有具有正磁致伸 縮效應(yīng)薄膜（9）；平面螺旋線圈（6）通電后，磁致伸縮薄膜驅(qū)動(dòng)器在激勵(lì)磁場(chǎng)的作用下發(fā) 生形變向上彎曲，使得工作流體通道打開(kāi)，實(shí)現(xiàn)液壓系統(tǒng)回路的通斷。本發(fā)明具有體積小、 易于微型化、響應(yīng)速度快、可控性強(qiáng)等特點(diǎn)。
安徽理工大學(xué)
2021-04-13
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一種空氣等離子切割機(jī)單傳感器引弧電路及其控制方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種空氣等離子切割機(jī)單傳感器引弧電路及其控 制方法。該引弧電路包括輸入電源、移相全橋模塊、濾波模塊、引弧 吸收模塊、維弧模塊、檢測(cè)模塊、高頻模塊、控制模塊。本發(fā)明的控 制方法僅用一個(gè)電流檢測(cè)霍爾來(lái)實(shí)現(xiàn)引弧的控制，具體方法如下：先 獲取引弧電路的參數(shù)，計(jì)算出適合的占空比增加速度，再結(jié)合檢測(cè)到 的輸出電壓和輸出電流信號(hào)，進(jìn)行引橫弧控制，最后把控制信號(hào)送入 驅(qū)動(dòng)模塊，產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)信號(hào)并送入移相全橋。本發(fā)明的控制方法使得引 弧電阻上的電流電壓波形為鋸齒波，大大減小了引弧電阻的功率等級(jí)， 提高了切割機(jī)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種嵌入式微處理器非可克隆函數(shù)密鑰認(rèn)證系統(tǒng)和方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種嵌入式微處理器非可克隆函數(shù)密鑰認(rèn)證系統(tǒng)， 包括嵌入式端、燒寫設(shè)備端和 PC 端，嵌入式端包括 PUF 待分析數(shù)據(jù) 提取模塊以及 IAP 模塊，燒寫設(shè)備端包括待燒寫程序處理模塊，PC 端 包括嵌入式認(rèn)證程序生成模塊、PUF 分析模塊、數(shù)據(jù)庫(kù)模塊、散列數(shù) 據(jù)生成模塊、以及幫助數(shù)據(jù)生成模塊，PUF 待分析數(shù)據(jù)提取模塊用于 多次提取 SRAM 中的初始上電數(shù)據(jù)，并將數(shù)據(jù)發(fā)送到 PUF 分析模塊， PUF 分析
華中科技大學(xué)
2021-04-14
用于非球面揚(yáng)聲器陣列的三維音頻信號(hào)生成方法及系統(tǒng)
本發(fā)明提供用于非球面揚(yáng)聲器陣列的三維音頻信號(hào)生成方法及系統(tǒng)，創(chuàng)造性的針對(duì)大多數(shù)家庭或影 院等所處環(huán)境，即非球面環(huán)境布置揚(yáng)聲器陣列，輸入現(xiàn)有環(huán)境布置的揚(yáng)聲器的位置信息，需要模擬的虛 擬聲源的位置信息和聲源信號(hào)，將位置轉(zhuǎn)換為相對(duì)于原點(diǎn)的坐標(biāo)；根據(jù)轉(zhuǎn)換后的揚(yáng)聲器坐標(biāo)和虛擬聲源 坐標(biāo)進(jìn)行分析選取，選擇一至三個(gè)揚(yáng)聲器，將揚(yáng)聲器映射到以坐標(biāo)原點(diǎn)為球心、以選定揚(yáng)聲器距坐標(biāo)原 點(diǎn)最短距離為半徑形成的球面上形成虛擬揚(yáng)聲器，計(jì)算虛擬揚(yáng)聲器的增益，再基于聲音傳播的衰
武漢大學(xué)
2021-04-14
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一種浮置板軌道系統(tǒng)中的隔振器及其工作參數(shù)的確定方法
本發(fā)明公開(kāi)一種浮置板軌道系統(tǒng)中的隔振器及其工作參數(shù)的確定方法，位于浮置板軌道系統(tǒng)的浮置板與軌道基礎(chǔ)之間，包括并行設(shè)置的鋼彈簧、阻尼液和可控庫(kù)侖阻尼件；在不考慮庫(kù)侖阻尼的情況下，建立車輛?浮置板軌道耦合動(dòng)力學(xué)時(shí)域分析模型，以浮置板和鋼軌最大垂向振動(dòng)位移為控制指標(biāo)，確定不考慮庫(kù)侖阻尼時(shí)的浮置板最小支承剛度Ka，再結(jié)合不考慮庫(kù)侖阻尼時(shí)浮置板最小支承剛度工況下的浮置板垂向振動(dòng)位移時(shí)程曲線特征，確定浮置板的位移閾值，確定庫(kù)侖阻尼力大小及其工作時(shí)段，最后，運(yùn)用車輛?可控庫(kù)侖阻尼隔振器浮置板軌道耦合動(dòng)力學(xué)時(shí)域分析模型，算出有庫(kù)侖阻尼情況下的浮置板最小支承剛度Kb。可以有效提高傳統(tǒng)鋼彈簧浮置板軌道的隔振效率。
西南交通大學(xué)
2018-09-18
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低能耗低污染膜/生物反應(yīng)器（MBR） 污水處理技術(shù)與設(shè)備
技術(shù)特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì) 1、對(duì)現(xiàn)有的用于污水處理的膜進(jìn)行改性，提高膜通量，減小跨膜壓力。膜通量較現(xiàn)有膜提高2倍以上，跨膜壓力只有1米左右水柱。 2、突破了以往MBR膜都是與泥水直接接觸的固有形式，對(duì)MBR結(jié)構(gòu)進(jìn)行了改進(jìn)，減少膜與污泥、胞外聚合物（EPS）等膜污染關(guān)鍵物質(zhì)的接觸，可以極大緩解膜污染問(wèn)題； 3 、采用的廉價(jià)耐污染膜材料，延長(zhǎng)膜的使用壽命，降低運(yùn)行成本； 4 、控制反應(yīng)器微生物處于內(nèi)源呼吸期，反應(yīng)器中能有效建立細(xì)菌—原生動(dòng)物—后生動(dòng)物微生態(tài)系
哈爾濱工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
基于 Bi 基四元鹵化物單晶的半導(dǎo)體輻射探測(cè)器及制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于 Bi 基四元鹵化物單晶的半導(dǎo)體輻射探測(cè) 器及其制備方法，涉及半導(dǎo)體材料制備的射線成像探測(cè)器技術(shù)領(lǐng)域。 所述的半導(dǎo)體輻射探測(cè)器結(jié)構(gòu)包括以Bi基四元鹵化物單晶作為射線吸 光層，電子選擇性接觸選擇層，空穴選擇性接觸層，分別貼合在所述 吸光層的兩面，兩個(gè)電極分別與兩個(gè)選擇性電荷接觸層接觸，作為器 件的正極和負(fù)極。本發(fā)明的半導(dǎo)體輻射探測(cè)器具備高靈敏度，環(huán)境友 好，穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。
華中科技大學(xué)
2021-04-14