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中國科大實現(xiàn)硅基量子芯片中自旋軌道耦合強度的高效調(diào)控
郭國平教授、李海歐教授等人與中科院物理所張建軍研究員、紐約州立大學(xué)布法羅分校胡學(xué)東教授以及本源量子計算有限公司合作，在硅基鍺空穴量子點中實現(xiàn)了自旋軌道耦合強度的高效調(diào)控，為該體系實現(xiàn)自旋軌道開關(guān)以及提升自旋量子比特的品質(zhì)提供了重要的指導(dǎo)意義。
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
2022-06-02
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高性能自適應(yīng)紅外焦平面探測系統(tǒng)芯片及其應(yīng)用技術(shù)研究
本項目整體技術(shù)通過產(chǎn)學(xué)研用相結(jié)合，已得到充分的推廣應(yīng)用。本成果申請專利85項，其中授權(quán)34項，發(fā)表SCI/EI論文69篇；本項目攻克了片上自適應(yīng)補償與校正、輸出數(shù)字化、智能圖像增強等關(guān)鍵技術(shù)；研制出了目前國際上最先進的智能靈巧型焦平面探測系統(tǒng)芯片；解決了系統(tǒng)芯片低噪聲、低溫漂、高均勻性、智能靈巧化的瓶頸問題；實現(xiàn)了焦平面向單片集成片上系統(tǒng)的跨越式發(fā)展。經(jīng)權(quán)威檢測和鑒定：該成果的綜合技術(shù)指標(biāo)達到國際先進水平，其中RMS噪聲電壓（325.3 μV）、固定圖像噪聲電壓（12.1mV）居國際領(lǐng)先”。
電子科技大學(xué)
2021-04-14
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用于集成系統(tǒng)和功率管理的多層次系統(tǒng)芯片低功耗設(shè)計技術(shù)
本成果面向國家亟需的復(fù)雜系統(tǒng)集成和功率管理等應(yīng)用，采用多層次設(shè)計的指導(dǎo)思想，研究并突破了系統(tǒng)芯片多層次低功耗關(guān)鍵設(shè)計技術(shù)，提出了復(fù)雜片上網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)建模、低功耗路由及互連、超低功耗模擬電路 IP 設(shè)計技術(shù)和高效率集成化功率轉(zhuǎn)換和功率管理技術(shù)。提出的系統(tǒng)芯片低功耗多層次設(shè)計技術(shù)廣泛適用于系統(tǒng)集成芯片、數(shù)模混合集成以及功率管理和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，顯著降低了數(shù)字信號處理器、多模多頻移動基帶等芯片的功耗水平，使單片功耗由瓦級降低到毫瓦級，具有廣泛的適應(yīng)性和兼容性。
NOC 模擬器軟件支持二維和三維的 Mesh、Torus、Clustered Mesh、Clustered Torus 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)類型，交換機制為 Wormhole，路由算法為 XY 路由算法，通信模式支持 uniform 和 hotspot 模式，數(shù)據(jù)包長度可調(diào)，片上通信量可配置，最終能評估片上網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)芯片的跳轉(zhuǎn)延遲等各種延遲時間參數(shù)、仲裁能耗等各種能耗參數(shù)、實際包產(chǎn)生率、產(chǎn)生成功率、數(shù)據(jù)包分布等性能和功耗參數(shù)。
圖1 NoC仿真軟件
圖2 綠色節(jié)能AC/DC功率轉(zhuǎn)換器芯片
西安電子科技大學(xué)
2022-11-02
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一種雙模一體化紅外面陣電控液晶微透鏡芯片
本發(fā)明公開了一種雙模一體化紅外面陣電控液晶微透鏡芯片，包括雙模一體化紅外面陣電控液晶微透鏡和驅(qū)控信號輸入端口，雙模一體化紅外面陣電控液晶微透鏡為 m×n 元，其中，m、n 均為大于 1的整數(shù)，雙模一體化紅外面陣電控液晶微透鏡采用液晶夾層結(jié)構(gòu)，且上下層之間順次設(shè)置有第一基片、第一平板電極層、第一電隔離層、圖案化電極層、第二電隔離層、第一液晶定向?qū)印⒁壕印⒌诙壕Фㄏ驅(qū)印⒌谌姼綦x層、第二平板電極層、第二基片，第一平板
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于微流控芯片粒子捕獲式的單粒子散射測量裝置
本發(fā)明公開了一種基于微流控芯片粒子捕獲式單粒子散射測量 裝置，包括光源、分光光路、測量對準(zhǔn)組件、探測組件和微流控芯片。 結(jié)合 Mie 散射理論計算的理論散射曲線參照，完成單粒子圓周范圍內(nèi) 大角度范圍散射場的測量；同時由于結(jié)合了微流控芯片技術(shù)，解決了 單粒子的捕獲和單粒子環(huán)境的構(gòu)建問題。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種微流控芯片及其在單分散納米顆粒制備中的應(yīng)用
本發(fā)明公開了一種微流控芯片及其在單分散納米顆粒制備中的 應(yīng)用。所述芯片包括內(nèi)管、外管和外管進樣頭；所述內(nèi)管與外管共中 心軸套接；所述內(nèi)管一端為尖端出樣口，深入外管內(nèi)部，內(nèi)管另一端 為進樣口，伸出外管外部；所述外管進樣頭嵌合在外管管壁上。本發(fā) 明提供的微流控芯片結(jié)構(gòu)簡單，使用壽命較長，具備各向均一性，制 備的納米顆粒單分散性好，粒徑一致。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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一種用于組織/器官芯片集成制造的三維打印方法及裝置
本發(fā)明涉及一種用于組織/器官芯片集成制造的三維打印方法及裝置，包括以下步驟：1)設(shè)計三維芯片的三維結(jié)構(gòu)圖，并轉(zhuǎn)化為片層圖形文件格式；2)開啟三維打印裝置，將打印墨水吸入各個噴頭中；導(dǎo)入片層圖形文件；3)三維打印裝置分別將主體材料打印墨水、犧牲材料打印墨水和不同的細(xì)胞打印墨水打印到底板系統(tǒng)預(yù)先設(shè)計的位置；4)重復(fù)步驟3)逐層累積完成三維芯片結(jié)構(gòu)打印，直至片層圖形文件打印完成；5)加熱或制冷整體打印完成的三維芯片，使通道犧牲材料變?yōu)槿苣z態(tài)；6)將變?yōu)槿苣z態(tài)的通道犧牲材料使用移液槍吸出，去除通道犧牲材料，形成完整的三維芯片結(jié)構(gòu)；7)對未被融化的細(xì)胞打印墨水材料進行交聯(lián)，灌流培養(yǎng)基。
清華大學(xué)
2021-04-10
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空天地一體化網(wǎng)絡(luò)衛(wèi)星移動通信終端芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
研發(fā)階段/n由于信息基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)環(huán)境復(fù)雜，以衛(wèi)星移動通信為代表的空天地一體化網(wǎng)絡(luò) 建設(shè)成為首選。中科院計算所無線中心在已有成果的基礎(chǔ)上，重點提升衛(wèi)星終端芯 片的產(chǎn)品化量產(chǎn)能力，實現(xiàn)終端芯片量產(chǎn)，并設(shè)計多類型衛(wèi)星移動通信終端設(shè)備及 行業(yè)應(yīng)用解決方案，填補我國衛(wèi)星移動通信“產(chǎn)業(yè)空洞”。截止2017年底，項目成 功實現(xiàn)衛(wèi)星移動通信終端基帶芯片F(xiàn)ull Mask量產(chǎn)并推廣應(yīng)用，占領(lǐng)產(chǎn)業(yè)鏈高端核 心器件供給；推出面向行業(yè)應(yīng)用的手持、便攜、車載等多型終端解決方案，項目相 關(guān)成果目前依托產(chǎn)業(yè)化主體中科晶上實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)
中國科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
基于雙路電壓信號驅(qū)控的面陣電控液晶光發(fā)散微柱鏡芯片
本發(fā)明公開了一種基于雙路電壓信號驅(qū)控的面陣電控液晶光發(fā)散微柱鏡芯片，包括：液晶散光微柱鏡陣列、第一驅(qū)控信號輸入端口、以及第二驅(qū)控信號輸入端口，液晶散光微柱鏡陣列為 m×n 元，其中 m、n 均為大于的整數(shù)，液晶散光微柱鏡陣列采用液晶夾層結(jié)構(gòu)，且上下層之間順次設(shè)置有第一基片、頂層面電極板、電極間絕緣層、頂層圖案化電極板、第一液晶定向?qū)印⒁壕印⒌诙壕Фㄏ驅(qū)印⒕W(wǎng)孔狀共地電極板、第二基片，頂層面電極板和網(wǎng)孔狀共地電極板分
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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可任意尋址操縱的超導(dǎo)量子計算機芯片設(shè)計及可行性論證
本項目提出一種基于數(shù)據(jù)總線工作模式可切換的超導(dǎo)量子計算機芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(發(fā)表于國際一流期刊PRB，2005)，相比于美國Google公司、IBM公司、加拿大D-Wave公司的超導(dǎo)量子計算機芯片而言，具有更強的糾錯和避錯品質(zhì)，更易于實現(xiàn)大規(guī)模陣列集成。
一、項目分類
重大科學(xué)前沿創(chuàng)新
二、成果簡介
提出一種基于數(shù)據(jù)總線工作模式可切換的超導(dǎo)量子計算機芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(發(fā)表于國際一流期刊PRB，2005)，相比于美國Google公司、IBM公司、加拿大D-Wave公司的超導(dǎo)量子計算機芯片而言，具有更強的糾錯和避錯品質(zhì)，更易于實現(xiàn)大規(guī)模陣列集成。技術(shù)上已經(jīng)實現(xiàn)了全國產(chǎn)設(shè)備工藝線上，芯片電路單元核心器件-約瑟夫森結(jié)和共面波導(dǎo)超導(dǎo)諧振器的自行設(shè)計制造，在極低溫環(huán)境下完成了單元器件性能的標(biāo)定和檢驗。
西南交通大學(xué)
2022-09-13