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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
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高溫應(yīng)用大功率高可靠性低耗損逆變器
依托國際合作與交流，已完成此60 kW逆變器開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化試制，目前已完成產(chǎn)品開發(fā)，各項(xiàng)性能指標(biāo)優(yōu)異，達(dá)國際先進(jìn)水平，目前正與江蘇宏微科技有限公司產(chǎn)學(xué)研合作，開展產(chǎn)業(yè)化試制。
天津大學(xué)
2021-04-14
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大功率高速直流電動(dòng)伺服缸（產(chǎn)品）
大功率高速直流電動(dòng)伺服缸（產(chǎn)品） 成果簡(jiǎn)介：大功率高速直流電動(dòng)伺服缸具有動(dòng)態(tài)響應(yīng)快、位置精度高、功率質(zhì)量比大的優(yōu)點(diǎn)。此系列高速直流電動(dòng)缸，帶寬≥20Hz，輸出精度≤0.1mm，最大輸出力可達(dá)1t。 項(xiàng)目來源：自行開發(fā) 技術(shù)領(lǐng)域：先進(jìn)制造 應(yīng)用范圍：高速直線驅(qū)動(dòng) 現(xiàn)狀特點(diǎn)：國內(nèi)領(lǐng)先技術(shù) 技術(shù)創(chuàng)新：在千瓦級(jí)功率下，實(shí)現(xiàn)了20Hz的高動(dòng)態(tài)響應(yīng)速度。 所在階段：樣機(jī)
北京理工大學(xué)
2021-04-14
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用于光纖激光、高功率激光傳輸?shù)拇竽?chǎng)光纖
本成果提出大模場(chǎng)光纖的系列解決方案，基于新型環(huán)形纖芯、非對(duì)稱型微結(jié)構(gòu)包層、以及模式正交耦合及分離技術(shù)獲得新型大模場(chǎng)光纖，光纖同時(shí)具有大模場(chǎng)、低損耗、單模傳輸特性，實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量光束輸出。已申請(qǐng)發(fā)明專利9項(xiàng)，其中已授權(quán)發(fā)明專利4項(xiàng)（ZL201010589053.3、ZL201010590795.8、ZL201110356877.0、ZL201210391185.4）。性能指標(biāo) （1）模場(chǎng)面積可達(dá)1500μm2以上。 （2）光纖可在彎曲半徑為20~30cm的條件下
江蘇大學(xué)
2021-04-14
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一種節(jié)點(diǎn)擾動(dòng)功率轉(zhuǎn)移分布均衡度分析方法
本發(fā)明公開了一種節(jié)點(diǎn)擾動(dòng)功率轉(zhuǎn)移分布均衡度分析方法，包 括在電力系統(tǒng)當(dāng)前運(yùn)行狀態(tài)下對(duì)電力系統(tǒng)進(jìn)行潮流計(jì)算，并獲得支路 功率對(duì)節(jié)點(diǎn)注入功率的靈敏度矩陣；根據(jù)靈敏度矩陣和支路有功功率 裕度獲得潮流轉(zhuǎn)移率矩陣；獲得潮流轉(zhuǎn)移率矩陣中對(duì)應(yīng)于每個(gè)節(jié)點(diǎn)的 列向量中各個(gè)元素在潮流轉(zhuǎn)移率統(tǒng)計(jì)區(qū)間內(nèi)的概率分布情況；根據(jù)概 率分布情況計(jì)算改進(jìn)信息熵，作為反映每個(gè)節(jié)點(diǎn)擾動(dòng)功率轉(zhuǎn)移分布均 衡程度的指標(biāo)；根據(jù)轉(zhuǎn)移分布均衡度指標(biāo)對(duì)系統(tǒng)在各節(jié)點(diǎn)擾動(dòng)下進(jìn)行 安全評(píng)估。本發(fā)明應(yīng)用于大規(guī)模電力系統(tǒng)節(jié)點(diǎn)注入功率抗擾能力快速 評(píng)估，其計(jì)算速
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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超聲納米燒結(jié)快速實(shí)現(xiàn)高功率器件的封裝互連
針對(duì)汽車電子、5G通訊基站、航空航天及電力電子設(shè)備等功率電子元器件難以在高溫、大電流/電壓、潮濕等惡劣工作環(huán)境下服役的難題，并且要求芯片封裝互連接頭尺寸更小、高溫穩(wěn)定性更好、可靠性更高，本團(tuán)隊(duì)首次采用超聲輔助納米燒結(jié)的新型互連工藝，利用納米銀包銅顆粒作為焊料，成功獲得大功率器件高溫高可靠服役要求的互連接頭，為高功率芯片貼裝高導(dǎo)熱界面制造提供了新材料和新工藝。
哈爾濱工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
一種高功率微波打火探測(cè)系統(tǒng)及方法
本發(fā)明公開了一種高功率微波打火探測(cè)系統(tǒng)，包括方波發(fā)生器、 發(fā)光二極管、本底光傳輸光纖、至少一根弧光探測(cè)光纖、光電轉(zhuǎn)換電 路、信號(hào)放大電路、閾值電壓產(chǎn)生電路、第一電壓比較器和第二電壓 比較器；發(fā)光二極管、二極管、本底光傳輸光纖依次連接；本底光傳 輸光纖的輸出端置于本底光輸入孔內(nèi)，弧光探測(cè)光纖的輸入端則置于 弧光探測(cè)孔內(nèi)；弧光探測(cè)光纖、光電轉(zhuǎn)換電路、信號(hào)放大電路、閾值 電壓產(chǎn)生電路依次連接；而第一電壓比較器和第二電壓比較器的比較 端連接信號(hào)放大電路，參考端連接閾值電壓產(chǎn)生電路；本發(fā)明將本底 光引入高功率
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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大型風(fēng)電機(jī)組全功率風(fēng)電變流器研究與開發(fā)
研究和開發(fā)大型全功率風(fēng)電變流器成為全功率機(jī)組中的關(guān)鍵核心問題，針對(duì)大型風(fēng)電全功率并聯(lián)型變流器的大功率、大電流特點(diǎn)，圍繞保證系統(tǒng)可靠性、提高系統(tǒng)穩(wěn)定性、降低系統(tǒng)維護(hù)成本，本項(xiàng)目開展了大型風(fēng)電變流器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的研究，提出了一種電抗器并聯(lián)、直流母線電容直連和變流器并聯(lián)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)來設(shè)計(jì)大型全功率風(fēng)電變流器的電氣結(jié)構(gòu)，攻克了風(fēng)電變流器積木化擴(kuò)容技術(shù)。 針對(duì)大型風(fēng)電變流器模塊化并聯(lián)結(jié)構(gòu)，變流器控制復(fù)雜，控制實(shí)時(shí)性強(qiáng)的特點(diǎn)，開發(fā)出基于FPGA的微秒級(jí)多模塊控制平臺(tái)，突破變流器模塊化制造技術(shù)瓶頸。建立了DSP控制器+RTLab半實(shí)物虛擬仿真平臺(tái)，采用DSP控制器與RTLab半實(shí)物虛擬仿真平臺(tái)對(duì)接可以對(duì)電力電子變換器系統(tǒng)進(jìn)行半實(shí)物虛擬仿真，是目前國內(nèi)外電力電子研究的先進(jìn)手段。 以上成果發(fā)表在國內(nèi)外重要期刊上，如IEEE transactions on Power Electronics , IET on Power Electronics ,電機(jī)工程學(xué)報(bào)等雜志，基于以上成果本課題組申請(qǐng)授權(quán)了多個(gè)發(fā)明專利和軟件著作權(quán)，在上述全功率風(fēng)力變流器技術(shù)研究的基礎(chǔ)上，本課題組自主開發(fā)4MVA/3MW全功率模塊化風(fēng)電變流器, 已完成現(xiàn)場(chǎng)全功率測(cè)試，是目前國內(nèi)最大的自主研發(fā)的全功率風(fēng)電變流器。
上海交通大學(xué)
2021-04-13
馬達(dá)開關(guān)板(大功率)電子設(shè)計(jì)智能遙控平臺(tái)
產(chǎn)品詳細(xì)介紹
電壓：6V-24V
額定電流：10A(持續(xù)工作無需散熱器)
額定電流：30A(持續(xù)工作需鋁散熱器)
額定電流：60A(持續(xù)工作需鋁風(fēng)扇散熱器)
注：固態(tài)開關(guān)小，安靜，沒有移動(dòng)部件，防止擊穿和溫度過高而熔融。出口商品，出口品質(zhì)。
中山市百佳大谷電子科技有限公司
2021-08-23
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超大功率硅基射頻LDMOS晶體管設(shè)計(jì)技術(shù)
大功率射頻LDMOS器件以其線性度好、增益高、輸出功率大、熱穩(wěn)定性好、效率高、寬帶匹配性能好、價(jià)格低廉等方面的優(yōu)勢(shì)已經(jīng)成為基站、廣播電視發(fā)射機(jī)、航空電子、雷達(dá)等領(lǐng)域等應(yīng)用最廣泛的射頻功率器件。 本團(tuán)隊(duì)利用優(yōu)化的法拉第屏蔽罩結(jié)構(gòu)和版圖布局技術(shù)，基于國內(nèi)8英吋工藝技術(shù)平臺(tái)，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（圖1），能夠提供完整的RF LDMOS器件的設(shè)計(jì)與研制方案。目前已制作出頻率0.5GHz，輸出功率>500W，功率增益>18dB、漏極效率>50%的單芯片RF LDMOS 器件；頻率1.2GHz，輸出功率>600W，功率增益>20dB、漏極效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；頻率3.1GHz，輸出功率>80W，功率增益>10dB、漏極效率>35%的單芯片S波段RF LDMOS 器件（圖2）。 (a) (b) 圖1 RF LDMOS器件：(a)晶圓顯微照片 (b)封裝器件 a b c 圖2 RF LDMOS器件功率測(cè)試曲線：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
電子科技大學(xué)
2021-04-10
超大功率硅基射頻LDMOS晶體管設(shè)計(jì)技術(shù)
本團(tuán)隊(duì)利用優(yōu)化的法拉第屏蔽罩結(jié)構(gòu)和版圖布局技術(shù)，基于國內(nèi)8英吋工藝技術(shù)平臺(tái)，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件，能夠提供完整的RF LDMOS器件的設(shè)計(jì)與研制方案。
電子科技大學(xué)
2021-04-10