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1.痛點(diǎn)問題 光刻膠作為集成電路制備中不可或缺的一部分，已成為國家的戰(zhàn)略資源之一。半導(dǎo)體光刻膠的核心在于成膜樹脂，受限于研發(fā)難度大、專利壁壘高、資金投入多、準(zhǔn)入門檻高，目前國內(nèi)企業(yè)尚難以突破KrF膠（248nm）或ArF膠（193nm），而EUV膠完全不能自主供給。 2.解決方案 本項(xiàng)技術(shù)采用了國際最前沿的納米氧化物團(tuán)簇材料的工藝路線，可以實(shí)現(xiàn)單2nm小分子的光刻膠成膜樹脂材料，攻克了材料合成和納米材料提純的難題，可滿足目前半導(dǎo)體3nm制程節(jié)點(diǎn)的技術(shù)要求，RLS分辨率、邊緣粗糙度、靈敏度三項(xiàng)關(guān)鍵性能指標(biāo)優(yōu)異，其曝光劑量遠(yuǎn)低于Intel公司提出的20mJ/cm2的成本線。此外，本項(xiàng)技術(shù)具有多種半導(dǎo)體光刻膠兼容性，可以生產(chǎn)248nm和193nm光源的半導(dǎo)體光刻膠成膜樹脂，以及電子束半導(dǎo)體掩膜用光刻膠成膜樹脂，具有廣闊的技術(shù)替代優(yōu)勢和市場應(yīng)用前景。 3.合作需求 本項(xiàng)技術(shù)已設(shè)立衍生企業(yè)，位于江蘇常州的3000m2研發(fā)生產(chǎn)中心正在建設(shè)中。 1）融資需求：本輪天使輪融資6000萬元。 2）資源對接需求：集成電路芯片制造、掩膜板生產(chǎn)企業(yè)，地方政府等。

成果簡介：高精度直驅(qū)伺服平臺是一種采用直線電機(jī)直接驅(qū)動(dòng)的運(yùn)動(dòng)控制平臺，它改變過去依賴于機(jī)械轉(zhuǎn)換裝置才能將旋轉(zhuǎn)電機(jī)的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)轉(zhuǎn)化為直線 運(yùn)動(dòng)的約束，克服了傳統(tǒng)機(jī)械轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)的傳動(dòng)鏈長、體積大、效率低、精度差等缺陷。直線電機(jī)結(jié)構(gòu)類型廣泛，可針對不同安裝要求，選擇平板型、U 型、盤型及圓筒型等，同時(shí)行程范圍不受機(jī)械轉(zhuǎn)換裝置限制，可廣泛適用于 各種運(yùn)動(dòng)控制場合。采用直線電機(jī)驅(qū)動(dòng)的高精度直驅(qū)伺服平臺，具有系統(tǒng)結(jié) 構(gòu)簡單、環(huán)境適應(yīng)能力強(qiáng)、效率高、動(dòng)態(tài)性能好、定位精度高等優(yōu)

平臺式全自動(dòng)數(shù)控沖床，采用平臺式送料機(jī)，配置三工位直線模具，通過CAD畫圖軟件自動(dòng)生成加工程序，操作簡單、方便，是一款簡易數(shù)控設(shè)備，價(jià)格相對較低；主要用于廣告行業(yè)、設(shè)備面板、電器元件安裝板、櫥具及機(jī)箱機(jī)柜等大小不同，形狀各異的孔型加工。

主要用于天文普及教學(xué)，能演示太陽系中太陽和九大行星等主要天體的相對位置、大小以及太陽系的結(jié)構(gòu)關(guān)系。

箱體為手提式一體工程塑料制作完成，外觀尺寸（cm）：55*45*15主要配置及用材：背板（太陽，黑星際天空），行星模型（木星、土星、金星、地球、水星、火星、天王星、海王星），矮行星模型（冥王星、谷神星、齊娜），小行星模型（示意性的）。各種器材有序嵌放于珍珠棉發(fā)泡成型的空間內(nèi)。

目前半導(dǎo)體光刻加工用的深紫外光刻膠都采用化學(xué)增幅體系，這種體系主要由含酸敏基團(tuán)的成膜材料和光產(chǎn)酸劑組成，這種體系最大的問題是光產(chǎn)酸在后烘階段會發(fā)生酸遷移，導(dǎo)致光刻分辨率難以提高。能夠有效改善酸遷移問題的一種方法是采用高分子光產(chǎn)酸劑，且其光產(chǎn)酸是高分子強(qiáng)酸。 課題組研制了一系列新穎的含多種鎓鹽光產(chǎn)酸基團(tuán)的苯乙烯衍生物及其與甲基丙烯酸酯的共聚物。它們在曝光過程中產(chǎn)生大分子的磺酸，因此可作為大分子光產(chǎn)酸劑與其它成膜材料一起組成化學(xué)增幅型光致抗蝕劑。 以之為產(chǎn)酸劑與其它部分保護(hù)的對羥基苯乙烯聚合物一起組成二組分的化學(xué)增幅型248-nm光刻膠， 制備了苯乙烯磺酸鎓鹽和甲基丙烯酸酯、對羥基苯乙烯的三元共聚物，再用可酸分解的叔丁基碳酸酯保護(hù)部分酚羥基，由其組成了單組分的化學(xué)增幅型248-nm光刻膠，這些正型248-nm光刻膠獲得了高感度（20-50mJ/cm2）、高分辨率(0.15-0.20微米)和留膜率（＞99%）及圖形線條平滑陡直等的出色表現(xiàn)。  利用高分子產(chǎn)酸劑透明性好的特點(diǎn)，還制備了厚膜248-nm光刻膠，可獲得線寬0.34微米、高-寬比可達(dá)5：1的光刻圖形：  在此基礎(chǔ)上，還制備了負(fù)型248-nm光刻膠，這些光刻膠也都獲得了很好的光刻成像性能表現(xiàn)。這些高分子光產(chǎn)酸劑也可用于制備新型的高性能193-nm光刻膠。 這些248-nm光刻膠的主要組分除了溶劑外都是自行制備，原料易得，反應(yīng)條件溫和可控，去金屬雜質(zhì)的方法也是簡便易行，成本相對低廉，在經(jīng)過多年的深入研究之后，完全具備了產(chǎn)業(yè)化的條件。 半導(dǎo)體加工的關(guān)鍵設(shè)備、材料主要掌握在美、日手中，對我國電子工業(yè)的平穩(wěn)發(fā)展帶來困難和潛在的巨大威脅。其中光刻膠作為芯片光刻加工的關(guān)鍵材料，日本公司的產(chǎn)品占據(jù)全球市場的70%以上，而我國在中高端產(chǎn)品上（248-nm光刻膠、193-nm光刻膠）完全依賴進(jìn)口，即便是低端的i-線光刻膠國產(chǎn)化率也只有20%左右。因此，我們必須盡快扭轉(zhuǎn)這種不利的局面，這需要科研工作者和產(chǎn)業(yè)界共同努力以及政府的大力支持。     近年來光刻膠引起了社會的廣泛關(guān)注，已有多家企業(yè)開始投身于248-nm光刻膠與193-nm光刻膠的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，但絕大部分仍處于研發(fā)階段。我們研制的光刻膠具備了產(chǎn)業(yè)化的技術(shù)條件并具有與國外先進(jìn)光刻膠產(chǎn)品競爭的產(chǎn)品性能。    半導(dǎo)體加工用光刻膠種類較多，本課題組從2002年參與國家十五“863”光刻膠重大專項(xiàng)開始，至今近二十年來聚焦于光刻膠研究，在i-線膠、248-nm光刻膠、聚酰亞胺光刻膠、厚膜光刻膠及抗反射涂層材料等方面都取得了很好的結(jié)果，也在致力于這些光刻膠產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化。 相關(guān)項(xiàng)目、專利及文章： 1.國家重大科技專項(xiàng)（02專項(xiàng)）子課題,課題編號:2010ZX02303（深紫外光刻膠專用光致產(chǎn)酸劑及新型成膜樹脂的擴(kuò)試技術(shù)研究） 2.國家自然科學(xué)基金應(yīng)急管理項(xiàng)目，51641301, 含光產(chǎn)酸基團(tuán)的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物及其組成的化學(xué)增幅光致抗蝕劑研究,2016/01-2016/12 3.One-component chemically amplified resist composed of polymeric sulfonium salt PAGs for high resolution patterning，European Polymer Journal，114（2019），11-18 4.A new type of sulfonium salt copolymers generating polymeric photoacid: Preparation, properties and application，Reactive and Functional Polymers，130（2018），118-125 5.含光產(chǎn)酸基團(tuán)的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物、其制備及其應(yīng)用，中國發(fā)明專利，專利號：9。

目前半導(dǎo)體光刻加工用的深紫外光刻膠都采用化學(xué)增幅體系，這種體系主要由含酸敏基團(tuán)的成膜材料和光產(chǎn)酸劑組成，這種體系最大的問題是光產(chǎn)酸在后烘階段會發(fā)生酸遷移，導(dǎo)致光刻分辨率難以提高。能夠有效改善酸遷移問題的一種方法是采用高分子光產(chǎn)酸劑，且其光產(chǎn)酸是高分子強(qiáng)酸。 課題組研制了一系列新穎的含多種鎓鹽光產(chǎn)酸基團(tuán)的苯乙烯衍生物及其與甲基丙烯酸酯的共聚物。它們在曝光過程中產(chǎn)生大分子的磺酸，因此可作為大分子光產(chǎn)酸劑與其它成膜材料一起組成化學(xué)增幅型光致抗蝕劑。 以之為產(chǎn)酸劑與其它部分保護(hù)的對羥基苯乙烯聚合物一起組成二組分的化學(xué)增幅型248-nm光刻膠， 制備了苯乙烯磺酸鎓鹽和甲基丙烯酸酯、對羥基苯乙烯的三元共聚物，再用可酸分解的叔丁基碳酸酯保護(hù)部分酚羥基，由其組成了單組分的化學(xué)增幅型248-nm光刻膠，這些正型248-nm光刻膠獲得了高感度（20-50mJ/cm2）、高分辨率(0.15-0.20微米)和留膜率（＞99%）及圖形線條平滑陡直等的出色表現(xiàn)。   利用高分子產(chǎn)酸劑透明性好的特點(diǎn)，還制備了厚膜248-nm光刻膠，可獲得線寬0.34微米、高-寬比可達(dá)5：1的光刻圖形：   在此基礎(chǔ)上，還制備了負(fù)型248-nm光刻膠，這些光刻膠也都獲得了很好的光刻成像性能表現(xiàn)。這些高分子光產(chǎn)酸劑也可用于制備新型的高性能193-nm光刻膠。 這些248-nm光刻膠的主要組分除了溶劑外都是自行制備，原料易得，反應(yīng)條件溫和可控，去金屬雜質(zhì)的方法也是簡便易行，成本相對低廉，在經(jīng)過多年的深入研究之后，完全具備了產(chǎn)業(yè)化的條件。 半導(dǎo)體加工的關(guān)鍵設(shè)備、材料主要掌握在美、日手中，對我國電子工業(yè)的平穩(wěn)發(fā)展帶來困難和潛在的巨大威脅。其中光刻膠作為芯片光刻加工的關(guān)鍵材料，日本公司的產(chǎn)品占據(jù)全球市場的70%以上，而我國在中高端產(chǎn)品上（248-nm光刻膠、193-nm光刻膠）完全依賴進(jìn)口，即便是低端的i-線光刻膠國產(chǎn)化率也只有20%左右。因此，我們必須盡快扭轉(zhuǎn)這種不利的局面，這需要科研工作者和產(chǎn)業(yè)界共同努力以及政府的大力支持。     近年來光刻膠引起了社會的廣泛關(guān)注，已有多家企業(yè)開始投身于248-nm光刻膠與193-nm光刻膠的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，但絕大部分仍處于研發(fā)階段。我們研制的光刻膠具備了產(chǎn)業(yè)化的技術(shù)條件并具有與國外先進(jìn)光刻膠產(chǎn)品競爭的產(chǎn)品性能。    半導(dǎo)體加工用光刻膠種類較多，本課題組從2002年參與國家十五“863”光刻膠重大專項(xiàng)開始，至今近二十年來聚焦于光刻膠研究，在i-線膠、248-nm光刻膠、聚酰亞胺光刻膠、厚膜光刻膠及抗反射涂層材料等方面都取得了很好的結(jié)果，也在致力于這些光刻膠產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化。 相關(guān)項(xiàng)目、專利及文章： 1.國家重大科技專項(xiàng)（02專項(xiàng)）子課題,課題編號:2010ZX02303（深紫外光刻膠專用光致產(chǎn)酸劑及新型成膜樹脂的擴(kuò)試技術(shù)研究） 2.國家自然科學(xué)基金應(yīng)急管理項(xiàng)目，51641301, 含光產(chǎn)酸基團(tuán)的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物及其組成的化學(xué)增幅光致抗蝕劑研究,2016/01-2016/12 3.One-component chemically amplified resist composed of polymeric sulfonium salt PAGs for high resolution patterning，European Polymer Journal，114（2019），11-18 4.A new type of sulfonium salt copolymers generating polymeric photoacid: Preparation, properties and application，Reactive and Functional Polymers，130（2018），118-125 5.含光產(chǎn)酸基團(tuán)的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物、其制備及其應(yīng)用，中國發(fā)明專利，專利號：9。

本發(fā)明公開了一種用于浸沒式光刻的浸液溫控系統(tǒng)，通過其獲得具有穩(wěn)定溫度的浸液，以用于浸沒式光刻工藝中，其特征在于，該溫控系統(tǒng)包括：用于浸液流動(dòng)的浸液管路，待溫控的浸液通過管路進(jìn)口進(jìn)入該浸液管路，溫控后的浸液通過該浸液管路出口輸出；用于對所述浸液進(jìn)行冷卻的工藝?yán)鋮s液回路，工藝?yán)鋮s液在該回路中循環(huán)流動(dòng)；以及熱交換器（6），所述浸液管路和工藝?yán)鋮s液回路同時(shí)流經(jīng)該熱交換（6），利用該熱交換器（6）完成工藝?yán)鋮s液和浸液的熱交換，獲得具有穩(wěn)定溫度的浸液，實(shí)現(xiàn)對浸液的溫度控制。本發(fā)明的裝置采用內(nèi)部回流結(jié)構(gòu)與熱交換器