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原位懸浮聚合一步法合成的彩色聚苯乙烯粒子制備方法
1、成果簡介： 可發(fā)性聚苯乙烯（EPS）因其優(yōu)異特性以及質(zhì)輕價(jià)廉等優(yōu)點(diǎn)，在許多領(lǐng)域得到了廣泛使用。功能性EPS在建筑保溫、包裝、電子電器產(chǎn)品和車輛裝飾等領(lǐng)域更備受青睞。特別是國家提倡節(jié)能減排、要求建筑節(jié)能50%-65%以來，以及各地的"暖房子"工程相繼實(shí)施，低導(dǎo)熱系數(shù)EPS的制備成為EPS行業(yè)研究的熱點(diǎn)。 德國巴斯夫和韓國錦湖相繼推出了低導(dǎo)熱系數(shù)黑色石墨EPS（G-EPS），但其合成工藝對外保密，以此控制低導(dǎo)熱系數(shù)G-EPS市場。而我國G-EPS的制備還是空白，因此在該技
吉林大學(xué)
2021-04-14
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一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備方法
本發(fā)明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結(jié)構(gòu)、多個(gè)層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結(jié)構(gòu)為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯(lián)二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學(xué)氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進(jìn)入反應(yīng)的時(shí)間和反應(yīng)溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種加速基于 XOR 的 RAID-6 編解碼過程的方程并行計(jì)算方法
本發(fā)明公開了一種加速基于 XOR 的 RAID-6 編解碼過程的方程 并行計(jì)算方法：將基于 XOR 的 RAID-6 編碼的校驗(yàn)規(guī)則用校驗(yàn)方程組 表示，把每個(gè)校驗(yàn)方程在編解碼過程中的求解分解為兩個(gè)階段——“預(yù) 計(jì)算階段”以及“遞歸求解階段”；每個(gè)校驗(yàn)方程由一個(gè)獨(dú)立的線程 實(shí)施求解，多個(gè)校驗(yàn)方程的預(yù)計(jì)算階段被并行執(zhí)行；使用一個(gè)全局共 享的數(shù)據(jù)塊狀態(tài)表記錄數(shù)據(jù)塊的狀態(tài)以協(xié)調(diào)所有線程的執(zhí)行。本發(fā)明 方法利用編碼的潛在并行能
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種適用于增材制造的自支撐網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)拓?fù)鋬?yōu)化設(shè)計(jì)方法
本發(fā)明屬于結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，其公開了一種適用于 增材制造的自支撐網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)拓?fù)鋬?yōu)化設(shè)計(jì)方法，其包括以下步驟：(1) 利用 SIMP 材料密度-剛度插值模型，獲取[0，1]之間不同層次實(shí)體材 料的密度分布，同時(shí)得到宏觀材料布局形式及宏觀位移場；(2)構(gòu)建基 于參數(shù)化水平集方法的優(yōu)化模型，在宏觀材料布局優(yōu)化的基礎(chǔ)上，針 對不同的中間密度單元進(jìn)行微結(jié)構(gòu)構(gòu)型拓?fù)鋬?yōu)化，并輸出最優(yōu)細(xì)觀微 結(jié)構(gòu)構(gòu)型。上述方法將支撐結(jié)構(gòu)與所設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)自身相結(jié)合，融合了宏 觀材料布局優(yōu)化及細(xì)觀微結(jié)構(gòu)拓?fù)鋬?yōu)化，避免了在增材制造成型
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備方法
本發(fā)明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結(jié)構(gòu)、多個(gè)層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結(jié)構(gòu)為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯(lián)二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學(xué)氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進(jìn)入反應(yīng)的時(shí)間和反應(yīng)溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于真空吸鑄的非晶合金微細(xì)零件的制備方法及裝置
本發(fā)明公開了一種非晶合金微細(xì)零件的制備方法，包括：將非晶合金所需的各種純金屬按比例配制成非晶合金原材料，并置于所述真空電弧吸鑄爐的真空熔腔內(nèi)；準(zhǔn)備用于制備非晶合金微細(xì)零件的硅模具，將該硅模具置于內(nèi)部型腔為通孔的銅模具中，并將所述銅模具置于真空電弧吸鑄爐的下型腔中；將真空熔腔抽真空并充入保護(hù)氣，對非晶合金原材料進(jìn)行熔煉，并通過降低銅模具內(nèi)的氣壓使熔煉后的非晶合金熔液通過所述通孔由真空熔腔吸入硅模具內(nèi)；脫模即可得到非晶合金微細(xì)零件。本發(fā)明還公開一種非晶合金微細(xì)零件的制備裝置。本發(fā)明采用真空吸鑄，克服了非
華中科技大學(xué)
2021-04-14
獨(dú)立無刷雙饋感應(yīng)發(fā)電機(jī)無速度傳感器直接電壓控制方法
本發(fā)明公開了一種獨(dú)立無刷雙饋感應(yīng)發(fā)電機(jī)無速度傳感器直接 電壓控制方法，將無刷雙饋感應(yīng)發(fā)電機(jī)的功率繞組 PW 電壓矢量分解 為同步旋轉(zhuǎn)坐標(biāo)系中的 d 軸和 q 軸分量，調(diào)節(jié)控制繞組 CW 電流幅值 使 PW 電壓的 d 軸分量收斂至 PW 電壓的參考幅值，調(diào)節(jié) CW 電流頻 率使 PW 電壓的 q 軸分量收斂至 0，當(dāng)系統(tǒng)穩(wěn)定時(shí) PW 電壓矢量與同 步旋轉(zhuǎn)坐標(biāo)系的 d 軸重合，于是同時(shí)實(shí)現(xiàn)了對 PW 電壓幅值和頻率的 控制。該控制方法省去了速度傳感器，降低了發(fā)電系統(tǒng)的硬件成本， 提高了運(yùn)行可靠性，并增
華中科技大學(xué)
2021-04-14
利用 Xeon Phi 協(xié)處理器提升布隆濾波器處理性能的系統(tǒng)及方法
本發(fā)明公開了一種利用 Xeon-Phi 協(xié)處理器提升布隆濾波器處理 性能的系統(tǒng)及方法，包括：性能采樣模塊、任務(wù)調(diào)度模塊、通信模塊 和任務(wù)處理模塊。性能采樣模塊用于獲取宿主端和協(xié)處理器端的處理 能力，決定兩端分配的任務(wù)比例；任務(wù)調(diào)度模塊控制宿主端和協(xié)處理 器端之間整體的任務(wù)調(diào)度；通信模塊管理宿主端和協(xié)處理器端的通訊； 任務(wù)處理模塊負(fù)責(zé)任務(wù)的查詢與計(jì)算。系統(tǒng)將每個(gè)任務(wù)分配給相應(yīng)的 線程，每個(gè)線程在一個(gè)私有的子向量進(jìn)行處理
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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一種考慮局部軸向壓力的瀝青混合料水平抗剪性能試驗(yàn)裝置及方法
本發(fā)明公開了一種考慮局部軸向壓力的瀝青混合料水平抗剪性能試驗(yàn)裝置及方法，裝置包括：瀝青混合料圓柱體試件、圓形鋼墊塊、鋼套筒、半圓環(huán)形壓頭、凹形底座、螺栓和剪式千斤頂；方法具體為采用萬能材料試驗(yàn)機(jī)，通過半圓環(huán)形壓頭對作用有軸向局部荷載的瀝青混合料圓柱體試件進(jìn)行勻速加載，由試件變形測定裝置LVDT及數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)自動(dòng)繪制和記錄試件的荷載?變形曲線，根據(jù)讀取
東南大學(xué)
2021-04-14
一種 APD 像元塊輸出電壓四通道選擇電路及其輸出方法
本發(fā)明公開了一種 2×2APD 像元塊四通道選擇電路，每個(gè)獨(dú)立 的 APD 單元包括地址選擇控制電路和四通道選擇電路，地址選擇控制 電路通過光檢測產(chǎn)生的控制信號，與四通道選擇電路開關(guān)相連，其中， 每個(gè)單元的控制信號與自身的通道 1 連接，并分別連到 2×2 像元塊中 另外三個(gè) APD 單元的通道 2、通道 3 和通道 4 上。每次光照，只有像 元塊首地址輸出控制信號有效，從而保證像元塊電壓依次從四個(gè)通道 輸出
華中科技大學(xué)
2021-04-14