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本專利公開了一種無氰離子的電鍍工藝，屬于材料表面處理領(lǐng)域。該工藝本專利是采取新的電鍍液，具有滲透性強、分散性好的特性。 鑄件在整個電鍍過程中，可以克服現(xiàn)有鑄鋼件電鍍工藝的所有缺陷，實現(xiàn)鑄件快速高效優(yōu)質(zhì)電鍍，該工藝具有鍍層厚度均勻、鍍層光澤度好、鍍層與鑄件結(jié)合力牢固、鍍層致密、鍍層抗氧化能力好的特點，鍍層的中性鹽霧化試驗、酸霧化試驗達到國家規(guī)定的標準（96小時無腐蝕點）。目前該項技術(shù)已經(jīng)發(fā)展成熟，有很大的推廣應(yīng)用價值。通過X射線能譜儀分析鍍層的成分，具體分析譜圖見附件。

本發(fā)明公開了一種大流量插裝式三位四通電液伺服閥，包括控 制單元和四個插裝式二通伺服閥；控制單元的四個信號輸出口分別與 四個插裝式二通伺服閥的控制信號輸入口連接；控制單元的四個信號 輸入口分別與四個插裝式二通伺服閥的閥芯位移信號輸出口連接；四 個插裝式二通伺服閥兩兩串聯(lián)，一個閥的出油口與另一個閥的進油口 相連接，形成兩組串聯(lián)雙閥；兩組串聯(lián)雙閥的出油口均用于與油箱相 連接，兩組串聯(lián)雙閥的進油口均用于與液壓油源相連接；相當(dāng)于兩組 串聯(lián)雙閥并聯(lián)，構(gòu)成橋式回路，形成具有三位四通功能的大流量插裝 式電液伺服閥；

基于阿爾茲海默癥（AD）病理機制和血腦屏障（BBB）藥物滲透限制，該團隊全面總結(jié)了近年來靶向阻斷AD疾病進程的納米藥物應(yīng)用進展，并探討了以病理機制指導(dǎo)的納米藥物設(shè)計原則。

天津大學(xué)化工學(xué)院單四級桿液相色譜質(zhì)譜聯(lián)用儀采購項目競爭性磋商

【發(fā) 明 人】唐于平；段金廒；沈娟；陶偉偉 【摘要】       本發(fā)明公開了一種超高效液相色譜-質(zhì)譜聯(lián)用(UPLC-PDA-MS)技術(shù)和“化學(xué)模糊識別”對中藥復(fù)雜成分配伍相互作用進行研究的方法。本發(fā)明通過大量實驗對色譜條件與質(zhì)譜條件、TQ-MS和PDA檢測條件等進行了系統(tǒng)優(yōu)化，確定了最佳的檢測方法，方法學(xué)檢測結(jié)果表明該方法具有靈敏度高，精密度和準確度高，重復(fù)性好，穩(wěn)定可靠的優(yōu)點法，該方法可以克服中藥復(fù)雜成分鑒

近日，我校機電工程學(xué)院孫立寧教授、楊湛教授課題組，哈爾濱工業(yè)大學(xué)謝暉教授課題組以及德國馬克斯普朗克智能系統(tǒng)研究所的Metin Sitti教授課題組，聯(lián)合研制出能自由穿梭在極端變化環(huán)境中的尺度可調(diào)控磁液滴機器人SMFR。

在大面積柔性襯底上直接生長集成高品質(zhì)晶硅納米線溝道是突破高性能柔性電子邏輯、可穿戴傳感和顯示等應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)難點。然而，高品質(zhì)晶體溝道的獲得往往依賴高溫生長過程（>800 ℃）-- 這恰恰是柔性聚合物襯底（熔點<150 ℃）所無法承受的！為此，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院余林蔚教授、徐駿教授課題組基于自主創(chuàng)新的平面固-液-固（IPSLS）納米線生長模式（近期工作Refs. 1-4），探索了一種全新的“激光-液滴”自聚焦局域加熱生長策略，突破了傳統(tǒng)環(huán)境加熱技術(shù)的限制，利用柔性聚合物襯底（聚酰亞胺，PI）和金屬銦催化劑顆粒對特定激光（808 nm）輻照的高選擇性吸收差異，實現(xiàn)僅在液滴/納米線生長界面附近范圍的高效局部加熱，以驅(qū)動晶硅納米線在柔性襯底上的超高速度生長：在不需要環(huán)境加熱的室溫“冷”環(huán)境下，其生長速度可以高達3.5 μm/s，比傳統(tǒng)加熱方式納米線生長速度提高了3個數(shù)量級。值得一提的是，即便在此高速生長過程中，IPSLS納米線的生長路徑依然可以被精確引導(dǎo)定位，并成功展示了豐富的線形調(diào)控能力。此外，由于納米金屬液滴具有極小的熱熔，通過調(diào)控激光照射時序，可以對納米線生長動態(tài)過程進行前所未有的精確調(diào)控（例如，對生長液滴實現(xiàn)瞬間“激活和冷卻”等操作），從而實現(xiàn)對超長納米線的精準形貌/直徑編碼。基于此技術(shù)，成功在柔性PI襯底上生長高品質(zhì)納米線溝道，并制備了納米線場效應(yīng)晶體管（FET）器件，其電流開關(guān)比和亞閾值擺幅分別為>104和386 mV/dec。此“激光-液滴”選擇性加熱生長策略有望推廣應(yīng)用于：在各類大面積、低成本柔性襯底上的“冷”環(huán)境中，直接定位生長和集成高品質(zhì)晶硅納米線陣列，為推動各種高性能柔性電子器件的規(guī)模化應(yīng)用提供關(guān)鍵的材料支撐和全新的技術(shù)路線。