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博志金鉆技術(shù)團(tuán)隊在磁控濺射領(lǐng)域深耕二十余年，目前已經(jīng)實現(xiàn)氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、單晶金剛石、單晶碳化硅覆銅板的量產(chǎn)，三英寸陶瓷覆銅板月產(chǎn)能10萬片，包括各類種子層方案，銅層厚度0.5-100um，表面無毛刺、劃痕、色差等異樣，350度加熱平臺烘烤5分鐘不起泡。 一、項目進(jìn)展 已注冊公司運營 二、企業(yè)信息 企業(yè)名稱 蘇州博志金鉆科技有限責(zé)任公司 企業(yè)法人 潘遠(yuǎn)志 注冊時間 2022/3/31 注冊所在省市 江蘇省 蘇州市 組織機(jī)構(gòu)代碼 91610131MA712U7Q06 經(jīng)營范圍 一般項目：技術(shù)服務(wù)、技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)交流、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)推廣；金屬表面處理及熱處理加工；新材料技術(shù)研發(fā)；新材料技術(shù)推廣服務(wù)；電子元器件制造；集成電路制造；信息安全設(shè)備制造；通信設(shè)備制造；光通信設(shè)備制造；雷達(dá)及配套設(shè)備制造；光電子器件制造；真空鍍膜加工；表面功能材料銷售；金屬基復(fù)合材料和陶瓷基復(fù)合材料銷售；合成材料銷售；有色金屬合金銷售；半導(dǎo)體器件專用設(shè)備制造；新型陶瓷材料銷售；電子元器件零售；電子元器件批發(fā)；泵及真空設(shè)備制造；泵及真空設(shè)備銷售；通用設(shè)備制造（不含特種設(shè)備制造）；玻璃、陶瓷和搪瓷制品生產(chǎn)專用設(shè)備制造；電子專用材料研發(fā)；電子專用材料制造；特種陶瓷制品銷售；半導(dǎo)體器件專用設(shè)備銷售；集成電路設(shè)計；機(jī)械設(shè)備租賃；租賃服務(wù)（不含許可類租賃服務(wù)）（除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目外，憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營活動） 企業(yè)地址 江蘇省 蘇州高新區(qū)長亭路8號大新科技園3幢二樓 獲投資情況 2021/07/01蘇州匯伯壹號創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)（有限合伙）天使輪1000萬元 2022/03/22蘇州融享進(jìn)取創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)（有限合伙）preA輪2500萬元 三、負(fù)責(zé)人及成員 姓名 學(xué)院/所學(xué)專業(yè) 入學(xué)/畢業(yè)時間 潘遠(yuǎn)志 鄧敏航 楊添皓 電子與信息學(xué)部/自動化 2020/2024 陶佳怡 管理學(xué)院/大數(shù)據(jù)管理 2020/2024 林子涵 電氣工程學(xué)院/電氣工程及其自動化 2020/2024 袁子涵 電氣工程學(xué)院/電氣工程及其自動化 2020/2024 牟國瑜 電氣工程學(xué)院/電氣工程及其自動化 2020/2024 楊志鵬 能源與動力工程學(xué)院/強(qiáng)基（核工程與核技術(shù)） 2020/2024 田繼森 航天航空學(xué)院/工程力學(xué) 2020/2024 孫浩然 機(jī)械工程學(xué)院/機(jī)械工程 2020/2024 鄭力愷 電氣工程學(xué)院/電氣工程及其自動化 2019/2023 王羿淮 管理學(xué)院/工商管理 2019/2025 李青卓 材料科學(xué)與工程學(xué)院/材料科學(xué)與工程 2018/2023 四、指導(dǎo)教師 姓名 學(xué)院/所學(xué)專業(yè) 職務(wù)/職稱 研究方向 宋忠孝 材料學(xué)院/材料系 教授、博士生導(dǎo)師 核電領(lǐng)域；電化學(xué)、催化、電池領(lǐng)域；器件、封裝領(lǐng)域：高溫抗氧化燒蝕、高壓抗電弧燒蝕領(lǐng)域；輕量化領(lǐng)域硬質(zhì)涂層領(lǐng)域 王小華 電氣學(xué)院/電機(jī)電器及其控制 教授/博導(dǎo)，國家級人才計劃入選者（特聘教授），國家級青年人才計劃入選者（青年學(xué)者），教育部新世紀(jì)優(yōu)秀人才，陜西省青年科技標(biāo)兵。西安交通大學(xué)未來技術(shù)學(xué)院/現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)學(xué)院副院長、實踐教學(xué)中心（工程坊）副主任、教務(wù)處副處長、創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)學(xué)院副院長，CIGRE開關(guān)設(shè)備狀態(tài)評估工作組成員，中國電工技術(shù)學(xué)會電器智能化系統(tǒng)及應(yīng)用專委會委員 開關(guān)設(shè)備設(shè)計、狀態(tài)監(jiān)測與壽命評估 田高良 管理學(xué)院/會計與財務(wù) 教授、博士生導(dǎo)師 財務(wù)預(yù)警；內(nèi)部控制與風(fēng)險管理；資產(chǎn)評估；信用管理等 五、項目簡介 蘇州博志金鉆科技有限責(zé)任公司是一家專門從事高功率半導(dǎo)體封裝材料研發(fā)生產(chǎn)的公司。以先進(jìn)的陶瓷表面金屬化技術(shù)為核心形成了包括（1）粉體表面改性；（2）熱壓燒結(jié)；（3）研磨、拋光；（4）陶瓷金屬化；（5）增厚、刻蝕；（6）預(yù)制金錫焊料；（7）激光切割等環(huán)節(jié)的完整高端熱沉材料生產(chǎn)體系。公司擁有完整的熱沉材料生產(chǎn)體系，致力于成為“國產(chǎn)化功率半導(dǎo)體器件熱沉材料領(lǐng)跑者”，為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展添磚加瓦。 博志金鉆技術(shù)團(tuán)隊在磁控濺射領(lǐng)域深耕二十余年，目前已經(jīng)實現(xiàn)氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、單晶金剛石、單晶碳化硅覆銅板的量產(chǎn)，三英寸陶瓷覆銅板月產(chǎn)能10萬片，包括各類種子層方案，銅層厚度0.5-100um，表面無毛刺、劃痕、色差等異樣，350度加熱平臺烘烤5分鐘不起泡。博志金鉆目前蘇州主體工廠面積超過5000平米，含萬級潔凈間。擁有20余臺研磨拋光設(shè)備、10余臺燒結(jié)爐、4條臥式連續(xù)鍍膜設(shè)備、5臺立式鍍膜設(shè)備，以及超聲清洗、噴淋甩干等完善的配套設(shè)備。博志金鉆的工藝流程包括粉體表面改性、熱壓燒結(jié)、研磨/拋光、陶瓷金屬化、增厚/刻蝕、預(yù)制金錫焊料、激光切割，博志金鉆已經(jīng)建立了完善的產(chǎn)品生產(chǎn)管理及質(zhì)量監(jiān)控體系來進(jìn)行管控，完成了包括ISO9001、14001等認(rèn)證，并不斷完善產(chǎn)品檢測設(shè)備及手段，確保產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定。 公司積極進(jìn)行產(chǎn)品迭代和技術(shù)儲備，在高功率半導(dǎo)體封裝材料研發(fā)生產(chǎn)領(lǐng)域有著二十余年研發(fā)經(jīng)驗。中國科學(xué)院院士孫軍教授和國家萬人計劃領(lǐng)軍人才宋忠孝教授作為本公司首席科學(xué)家領(lǐng)銜公司技術(shù)研發(fā)，進(jìn)行陶瓷金屬化和半導(dǎo)體封裝基板領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)的探索。潘遠(yuǎn)志帶領(lǐng)公司與西安交通大學(xué)表面工程國際研發(fā)中心、金屬材料強(qiáng)度國家重點實驗室合作進(jìn)行前沿技術(shù)開發(fā)，團(tuán)隊與蘇州市產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院、高新區(qū)共同設(shè)立蘇州思萃材料表面應(yīng)用技術(shù)研究所，是公司的技術(shù)支持和組織依托。目前公司已完成天使輪、preA輪數(shù)千萬融資交割，公司投后估值逾2億元。

寬禁帶半導(dǎo)體硅基GaN器件以其高效率，高開關(guān)速度高工作溫度抗輻時等特點,成為當(dāng)前國際功率半導(dǎo)體器件與技術(shù)學(xué)科的研究前沿及熱點，也是業(yè)界普遍認(rèn)可的性能卓越的下代功率半導(dǎo)體器件。而S基GaN因其S基特性.能夠突破新材料在發(fā)展初期的成本牦頸且易與S集成電路產(chǎn)業(yè)鏈匹配，因此兼具高性能與低成本的優(yōu)點在消費電子(如手機(jī)快沖與天線充電).數(shù)據(jù)中心與人工智能，無人駕駛與新能源汽車、5G通信等團(tuán)家戰(zhàn)略新興領(lǐng)城具有巨大的應(yīng)用前景。電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實驗室自2008年起即開展硅基GaN功率器件與集成技術(shù)研究,圍繞硅基GaN兩大核心器件:增強(qiáng)型功率晶體管、功率整流器進(jìn)行基礎(chǔ)研究與應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。解決了增強(qiáng)型功率晶體管閾值電壓大范圍調(diào)控功率二圾管導(dǎo)通電壓調(diào)控與耐壓可靠性加查等關(guān)鍵技術(shù)瓶頸,研究成果為硅基GaN的產(chǎn)業(yè)化奠定了重要基礎(chǔ)。

       芯片功率器件測試平臺，以工程教育專業(yè)認(rèn)證為引領(lǐng)參與高校專業(yè)建設(shè)，以信息化引領(lǐng)構(gòu)建學(xué)習(xí)者為中心的教育生態(tài)，培養(yǎng)集成電路硬件測試人才。為學(xué)生提供豐富的教學(xué)資源以及貼近現(xiàn)實的產(chǎn)業(yè)環(huán)境，支撐集成電路相關(guān)課程的教學(xué)與實訓(xùn)，且能進(jìn)行項目開發(fā)和師資培訓(xùn)。

功率DMOS是一類重要的新型功率器件，具控制電路簡單、開關(guān)頻率高、可靠性好等優(yōu)點，因此廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、汽車電子、DC/DC轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域，市場需求巨大，目前在功率分立器件領(lǐng)域占據(jù)了最大的市場份額。本團(tuán)隊在功率DMOS器件的研究方面有豐富的技術(shù)積累，開展了大量前沿性研究和產(chǎn)業(yè)化研究，目前本團(tuán)隊在功率DMOS領(lǐng)域累計授權(quán)發(fā)明專利超過50項，能夠量產(chǎn)的產(chǎn)品型號近百種。

1. 痛點問題 功率半導(dǎo)體是支撐能源領(lǐng)域發(fā)展的核心部件。為實現(xiàn)3060雙碳目標(biāo)，我國正在超常規(guī)推動新能源發(fā)電、大容量輸配電和電氣化交通等領(lǐng)域，對電壓等級4.5kV以上的功率器件需求急速增長。提高器件電壓和容量可以減少器件串并聯(lián)數(shù)量、縮減裝備體積和成本，是解決城市用地緊張、降低海上風(fēng)電平臺建設(shè)成本的關(guān)鍵。然而，受工作機(jī)理和制備工藝限制，IGBT器件最大功率等級為4.5kV/3kA和6.5kV/0.75kA，已接近瓶頸，無法滿足能源發(fā)展需求。因此，亟需更高電壓、更大容量、更高可靠性和更低制造成本的功率半導(dǎo)體器件解決方案。 2020年，中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模達(dá)2000億元，但90%以上依賴進(jìn)口，尤其是4.5kV以上器件，近乎全部進(jìn)口。亟需尋求自主可控的功率半導(dǎo)體器件國產(chǎn)替代方案。 2. 解決方案 本技術(shù)面向新能源發(fā)電和輸配電領(lǐng)域大容量、高可靠的需求，提出了自主化IGCT器件（集成門極換流晶閘管）的設(shè)計、制備和驅(qū)動控制方案，可以提高阻斷電壓和關(guān)斷電流能力、降低器件運行損耗，且可以結(jié)合應(yīng)用工況開展定制優(yōu)化，如改善器件防爆特性、解決高壓裝置中的驅(qū)動供電問題等，從而實現(xiàn)大容量、高可靠、低成本、高效率的能量管理和功率變換。 目前團(tuán)隊已研制出4.5kV/5kA和6.5kV/4kA的IGCT器件，功率等級全面覆蓋IGBT，且具有向更大容量發(fā)展的潛力。與IGBT、MOSFET等晶體管器件相比，本技術(shù)提出的IGCT具有通態(tài)損耗低、耐受電壓高、可靠性高、抗干擾能力強(qiáng)等突出優(yōu)勢，符合能源發(fā)展趨勢，且制造工藝沿用基本沿用傳統(tǒng)的晶閘管路線，制造成本低，國內(nèi)工藝基礎(chǔ)好。

火電汽輪機(jī)的末幾級和核電汽輪機(jī)的全部級均工作在濕蒸汽區(qū)。濕蒸汽給汽輪機(jī)帶來兩方面問題：一是蒸汽凝結(jié)產(chǎn)生的水分使機(jī)組效率降低；二是濕蒸汽中的水分會導(dǎo)致汽輪機(jī)低壓級動葉片的水蝕損壞，給機(jī)組運行帶來巨大的安全隱患和經(jīng)濟(jì)損失。 而濕蒸汽處于飽和狀態(tài)，其壓力、溫度不是獨立參數(shù)，目前沒有測量濕蒸汽狀態(tài)的成熟技術(shù)。項目組基于微波諧振腔介質(zhì)微擾技術(shù)開發(fā)了濕蒸汽兩相流測量系統(tǒng)。濕蒸汽的介電常數(shù)是蒸汽濕度、溫度和所處電磁場頻率的函數(shù)；若溫度已知，當(dāng)濕蒸汽流過諧振腔，蒸汽濕度變化，引起腔體附近電磁場分布、損耗和相位變化，進(jìn)而引起其諧振頻率改變，通過測量頻率變化可以間接實現(xiàn)對濕蒸汽狀態(tài)的測量。

本工藝可以對現(xiàn)有的各類高濃廢水進(jìn)行減量化處理，解決蒸發(fā)工藝（MVR、多效蒸發(fā)）在處理高濃工業(yè)廢水碰到的技術(shù)難題，例如高鹽造成的換熱器腐蝕以及結(jié)垢、不能處理高有機(jī)物廢水以及高溫蒸發(fā)導(dǎo)致的冷凝水有機(jī)質(zhì)含量、氨氮偏高問題。 經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)，蒸發(fā)溫度降低，能夠減少對金屬材質(zhì)的腐蝕、結(jié)垢以及降低冷凝水中有機(jī)物濃度、含鹽量。如果蒸發(fā)溫度低于溶液沸點，例如100℃以下，就可以采用非金屬材質(zhì)制造蒸發(fā)設(shè)備，這樣就完全解決了高濃廢水中鹽分對設(shè)備腐蝕、結(jié)垢問題，同時降低高濃廢水有機(jī)物蒸發(fā)，使得冷凝水有利于后期的生化處理。 如下圖1所示，本技術(shù)選擇空氣作為水汽載體，利用空氣與廢水溶液直接接觸后空氣能夠帶走溶液中的水分的原理，實現(xiàn)高濃廢水的蒸發(fā)濃縮。由于空氣與廢水溶液直接接觸蒸發(fā)，不再需要金屬蒸發(fā)換熱器，徹底解決腐蝕和結(jié)垢問題。同時，在濃溶液蒸發(fā)一定階段后，由特殊設(shè)計溶液加熱罐中將鹽泥排除系統(tǒng)，并引入新的濃溶液，繼續(xù)蒸發(fā)。 不僅如此，在本工藝方便引入高級氧化設(shè)備，能夠進(jìn)一步降低高濃廢水有機(jī)物含量，提高本工藝對廢水的處理能力。

項目成果/簡介:本工藝可以對現(xiàn)有的各類高濃廢水進(jìn)行減量化處理，解決蒸發(fā)工藝（MVR、多效蒸發(fā)）在處理高濃工業(yè)廢水碰到的技術(shù)難題，例如高鹽造成的換熱器腐蝕以及結(jié)垢、不能處理高有機(jī)物廢水以及高溫蒸發(fā)導(dǎo)致的冷凝水有機(jī)質(zhì)含量、氨氮偏高問題。 經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)，蒸發(fā)溫度降低，能夠減少對金屬材質(zhì)的腐蝕、結(jié)垢以及降低冷凝水中有機(jī)物濃度、含鹽量。如果蒸發(fā)溫度低于溶液沸點，例如100℃以下，就可以采用非金屬材質(zhì)制造蒸發(fā)設(shè)備，這樣就完全解決了高濃廢水中鹽分對設(shè)備腐蝕、結(jié)垢問題，同時降低高濃廢水有機(jī)物蒸發(fā)，使得冷凝水有利于后期的生化處理。 如下圖1所示，本技術(shù)選擇空氣作為水汽載體，利用空氣與廢水溶液直接接觸后空氣能夠帶走溶液中的水分的原理，實現(xiàn)高濃廢水的蒸發(fā)濃縮。由于空氣與廢水溶液直接接觸蒸發(fā)，不再需要金屬蒸發(fā)換熱器，徹底解決腐蝕和結(jié)垢問題。同時，在濃溶液蒸發(fā)一定階段后，由特殊設(shè)計溶液加熱罐中將鹽泥排除系統(tǒng)，并引入新的濃溶液，繼續(xù)蒸發(fā)。 不僅如此，在本工藝方便引入高級氧化設(shè)備，能夠進(jìn)一步降低高濃廢水有機(jī)物含量，提高本工藝對廢水的處理能力。項目階段:批量生產(chǎn)效益分析:與現(xiàn)有廣泛使用的高濃廢水處理工藝或設(shè)備相比，其特點及優(yōu)勢在于： 利用空氣作為蒸發(fā)水汽載體，空氣與高濃廢水直接接觸，取消金屬蒸發(fā)器，解決了傳統(tǒng)蒸發(fā)設(shè)備腐蝕和結(jié)垢問題。 對蒸發(fā)溫度要求低，本工藝既可以使用高溫蒸汽熱源，也可以利用太陽能、煙氣余熱等低溫廢熱熱源，符合節(jié)能、環(huán)保的要求。 低溫蒸發(fā)對水質(zhì)要求低，能夠有效降低冷凝液有機(jī)質(zhì)成分，廢水無需前端預(yù)處理，節(jié)約整體廢水處理工藝運行成本。 空氣與高濃廢水接觸蒸發(fā)，風(fēng)機(jī)、廢水蒸發(fā)溫度可調(diào)，對各種濃度和各種成份的工業(yè)污水都適用，處理裝置的通用性很強(qiáng)。 能夠方便的引入高級氧化設(shè)備，能夠有效拓展廢水處理范圍，突破傳統(tǒng)蒸發(fā)只是物理分離的局限性，擴(kuò)展了該濃縮裝置的處理功能。 空氣始終在裝置內(nèi)部循環(huán)使用，無氣體排放，對環(huán)境友好，因此該裝置其具有廣闊的應(yīng)用前景。 工藝采用的是常壓蒸發(fā)，系統(tǒng)安全，維護(hù)簡單，自動化程度高，可以有效減少人工維護(hù)成本。

針對汽車電子、5G通訊基站、航空航天及電力電子設(shè)備等功率電子元器件難以在高溫、大電流/電壓、潮濕等惡劣工作環(huán)境下服役的難題，并且要求芯片封裝互連接頭尺寸更小、高溫穩(wěn)定性更好、可靠性更高，本團(tuán)隊首次采用超聲輔助納米燒結(jié)的新型互連工藝，利用納米銀包銅顆粒作為焊料，成功獲得大功率器件高溫高可靠服役要求的互連接頭，為高功率芯片貼裝高導(dǎo)熱界面制造提供了新材料和新工藝。

隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，電子器件和芯片性能的提高帶來電路及其芯片的散熱問題日益突出。研究表明：電子器件工作溫度在70～80℃水平時，每增加1℃，其可靠性就降低5%。同時由于芯片的不斷集成化和微型化，導(dǎo)致散熱量的迅速增加，傳統(tǒng)的冷卻技術(shù)已經(jīng)不能滿足散熱要求。本技術(shù)開發(fā)了一種制冷劑閃蒸噴霧高效冷卻循環(huán)系統(tǒng)，利用閃蒸霧化和相變傳熱技術(shù)，實現(xiàn)了低溫高效換熱，傳熱系數(shù)高達(dá)26533W/(m2·K)，表面溫度在低于60攝氏度熱流密度即可超過100W/cm2（而常規(guī)水冷條件下元器件表面溫度超過150攝氏度）。