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微小型器件及微系統高加速度實驗與標定技術
? 成果簡介：利用高速旋轉的轉子產生的高離心力對在高承載環境下使用的器件進行加載試驗，采用成熟試驗技術方法和檢測手段，實現對微小型機械結構件和電子器件、加速度傳感器在高承載環境下的高載荷試驗和標定。該設備最高加速度實驗值：8萬g，最高加速度標定值：1萬g，實驗對象最大回轉半徑：50mm，加速度實驗精度：3%，標定精度：6%，實驗對象尺寸：實驗件最大尺寸長度≤18mm，實驗件三維尺寸處于直徑D=18，高度H=15的圓柱體范圍里。適合鋼、鋁及銅質等各種材質加工的，在高承載環境下工作
北京理工大學
2021-01-12
共軛聚合物的多級組裝及其電子學器件的研究
共軛聚合物因其柔性、可溶液加工、低成本等優點，在柔性顯示、電子皮膚和生物傳感等功能器件中有潛在的應用價值。高均勻性的大面積加工是共軛聚合物作為有機半導體材料向實際應用轉化的重要一步，但具有很強的挑戰性。由于共軛聚合物的分子間強相互作用和復雜的鏈纏結，溶液加工過程中往往產生結晶與無定形區域、排列缺陷、厚度變化等非均勻性現象，限制了共軛聚合物的大面積加工。即使在稀溶液中，共軛聚合物分子之間仍具有一定程度的聚集。因此，如何通過調控聚合物從溶液到固相薄膜的聚集行為和組裝過程，從而實現共軛聚合物的大面積加工，并進一步實現“從下而上”器件加工方式，成為了很有挑戰性的科學問題。本研究實現了聚合物單分子薄膜大面積加工，并獲得了優異的電子傳輸性能，有望應用于加工制備大面積、高性能的有機場效應晶體管。 共軛聚合物由于分子之間的π?π相互作用和鏈段纏結，在溶液中形成了特征的1D蠕蟲狀組裝結構，組裝體在溶液加工過程中進一步的生長，形成了網絡狀組裝結構，最終通過沉積方法可以在基底上形成2D聚合物單分子層網絡（圖1）。研究人員首先通過混合溶劑策略調控氟代苯并二呋喃二酮（F4BDOPV）片段與聯二噻吩（2T）片段形成的共軛聚合物（F4BDOPV-2T）在溶液中組裝行為，并通過垂直提拉法表征了沉積薄膜的形貌。原子力顯微鏡（AFM）高度圖表明在氯仿溶液中沉積得到的薄膜具有特征的網絡狀形貌，且厚度在很大的實驗加工窗口內均保持聚合物單分子層量級（約4 nm）。薄膜吸收光譜、AFM高度以及掠入射X射線散射證明了聚合物單分子層的厚度，且表明單分子層的形成具有寬的加工窗口。聚合物單分子層的形成與基底的性質關系較小，在具有不同接觸角的基底均可以沉積得到聚合物單分子層網絡。寬的加工窗口和弱的基底相關性非常有利于加工大面積和高均勻性的聚合物薄膜。
北京大學
2021-04-11
一種基于氯化鋼水溶性薄膜的OLED器件（未授權）
本實用新型提供了一種基于氯化綱水溶性薄膜的OLED器件，由下至上依次 包括透明陽極IT。基底、氯化摑水溶性薄膜、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸 層、電子注入層和陰極,所述的氯化綱水溶性薄膜的制備方法包括以下步驟：步 驟一、將粉末狀的氯化錮溶解于去離子水中得到混合溶液；步驟二、將上述混合 溶液旋涂在ITO基底表面上，退火得到氯化綱水溶性薄膜。該結構優點在于:不 僅制備方法簡單,成本彳氐廉,環境友好,而且能夠有效的提高陽極界面載流子的 注入效率，提高OLED器件的光電性能。本實用新型屬于有機電致發光器件領 域，特別涉及一種基于氯化綱水溶性薄膜的OLED器件。
西南大學
2021-04-13
基于IP庫的通用MEMS器件可視化仿真與驗證工具
“虛擬工藝”軟件可由標準工藝流程文件和掩膜版圖文件，模擬出所要加工的MEMS器件的真實三維結構，具有良好的通用性和精度。下圖為自主開發的“虛擬工藝”軟件生成的微夾鉗三維結構。 “虛擬運行”軟件對器件的運動情況進行仿真，并與最初設計方案比較來指導和修正實際加工。下圖顯示了微夾鉗的虛擬運行結果，圖中的器件顏色表示了器件運動時的劇烈程度，紅色表示變形最劇烈的部分，淡藍色表示變形較小的部分。
南開大學
2021-04-14
基于IP庫的通用MEMS器件可視化仿真與驗證工具
項目的背景及目的 迄今為止，集成電路的模擬、仿真直至評測已有了非常完善的工具軟件；并已成為設計過程的重要組成部分；對設計的成功、可靠、高效都已起到決定性作用。而對MEMS而言，還相差甚遠，這和MEMS發展的成熟程度有著直接關系。當然，這并不意味著MEMS不需要這樣的工具和系統。相反，由于MEMS的功能多樣、加工復雜、分析困難、設計周期長、成本高等。特別需要一個能包括運動仿真、評測在內的設計工具和系統。這是當前推動MEMS發展的當務之急。
南開大學
2021-04-14
一種面向芯片級器件的焊點制備方法及裝置
本發明公開了一種面向芯片級器件的焊點制備裝置，包括：溶液容器，用于提供焊料溶液；流量分配器，其上設置有陣列布置的多個噴嘴，其與溶液容器連通，焊料溶液通過噴嘴噴出；器件固定板，其通過一底板固定在噴嘴下方，其上平鋪有待制備焊點的器件，且該器件固定板與噴嘴通過高壓發生器相連，兩者之間形成高壓電場；還包括管芯模，其包括呈陣列布置的多個管芯，且各管芯一一對應配合插裝在噴嘴中，在各噴嘴和管芯之間的空隙內形成容納焊料溶液的空間，在電場的作用下，焊料溶液通過該噴嘴中的空間進行流量分配后噴出形成噴點或噴絲，滴落于器件
華中科技大學
2021-04-14
溝道的刻蝕方法、半導體器件及其制備方法與電子設備
本發明提供了一種溝道的刻蝕方法，提供一待刻蝕對象，對所述待刻蝕對象一次刻蝕后，交替進行表面處理?二次刻蝕，直至刻蝕掉所有的鰭結構的犧牲層；其中，一次刻蝕用于刻蝕掉所述若干鰭結構中當前寬度最小的鰭結構的全部犧牲層以及其它寬度更寬的鰭結構的部分犧牲層；表面處理用于在待刻蝕對象的溝道層與剩余的犧牲層的暴露在外的表面形成保護層；所述二次刻蝕用于刻蝕掉當前寬度次之的鰭結構的全部的犧牲層，以及所述保護層。本發明在傳統的刻蝕工藝中加入氧化步驟，既實現了對溝道層的保護，又實現了在不同溝道寬度的刻蝕中，減少溝道層的損失量。
復旦大學
2021-01-12
高性能系列鈮酸鋰、鉭酸鋰晶體和光電器件
光電晶體及其器件作為激光技術的關鍵材料和器件，被諸多國家列為優先發展的技術領域。本項目在國家 863 計劃、天津市重大科技攻關、國防科工局民口配套等項目支持下，瞄準國家需求，圍繞產品化關鍵技術攻關，取得了以下主要科技創新：
（1）自主設計基于經驗數據庫的智能計算機晶體生長自動控制系統，并開發了晶體生長成套裝備，應用于多種晶體生長，得到批量推廣應用。
（2）發展了兩種非固液同成分共熔配比晶體的制備方法，實現了 SLN 晶體和 SLT 晶體的批量、廉價制備。
（3）開發了寬溫度范圍工作鈮酸鋰電光調 Q 晶體及電光調 Q 開關，在-55℃～70℃溫度區間穩定工作，大幅提高了軍用激光系統的溫度穩定性。（4）以高溫度穩定性電光調 Q 開關為核心技術自主研發的系列高溫度穩定性鈮酸鋰電光調 Q 激光系統，實現了批量生產和應用。
（5）開發了滿足激光雷達等長期在線工作的低內電場鈮酸鋰電光調 Q 晶體和電光調 Q 開關。
（6）開發了高抗光損傷閾值的鉭酸鋰電光調 Q 晶體和電光調 Q開關，典型 1064nm 波段的激光損傷閾值比鈮酸鋰晶體提高兩個數量級以上，且能夠滿足軍工寬溫度范圍要求。
南開大學
2021-04-13
在二維反鐵材料MnPS3中磁振子輸運的實驗進展
量子材料科學中心韓偉課題組在二維磁性體系中展開工作并取得了重要進展，觀測到了二維反鐵磁體系中磁振子的長距離輸運。MnPS3晶體是一種層狀反鐵磁材料，利用機械剝離手段得到了二維的MnPS3薄片。MnPS3薄片上制備了用于測量磁振子輸運的非局域器件，器件結構如圖A所示。器件左側Pt電極通過熱方法來注入磁振子，右側Pt電極探測在二維MnPS3中擴散傳輸的磁振子。在二維反鐵磁MnPS3中，實驗上觀測到了幾微米的磁振子擴散長度。并且從圖B中可以看出，隨著注入端和探測端距離的增加，探測到的非局域信號表現出e指數衰減的形式，跟一維漂移擴散模型的理論模型一致。在此基礎上，他們還系統研究了MnPS3厚度對磁振子弛豫性質的影響。隨著MnPS3厚度從40nm降低至8nm，磁振子弛豫長度由4μm減小到1μm（圖C），這可能是由較薄的MnPS3中較強的表面雜質散射效應導致的。 二維材料中的磁振子輸運實現為二維磁性材料在磁振子電子學的應用與發展奠定了基礎，也有望推動磁振子在量子尺度下的新穎量子物理性質研究。圖：二維反鐵磁體系中磁振子輸運研究。（A）二維反鐵磁MnPS3中的磁振子輸運測量結構示意圖。（B）自旋信號R_NL^*隨電極間距的依賴關系，與理論預言的e指數衰減吻合。（C）磁振子弛豫長度隨MnPS3厚度的依賴關系。
北京大學
2021-04-11
量子谷Berry Phase的拓撲聲子態在二維六角晶格材料
徐虎課題組發現具有量子谷Berry Phase的拓撲聲子態在二維六角晶格材料中普適存在。隨著研究的深入，拓撲材料的分類越來越豐富和多樣化。到目前為止，拓撲材料的研究主要集中在費米子相關的系統。隨著研究水平的進一步發展，拓撲的玻色子系統也越來越引起人們的關注，例如光子晶體、聲子晶體等人工晶體中的拓撲現象等。但是，固體中的THz頻率段的拓撲聲子的研究相對緩慢。理論研究表明，拓撲聲子對研究量子聲子霍爾效應、拓撲聲子熱器件等具有重要作用。因此，在現實材料中尋找拓撲聲子態是相關領域亟待解決的問題。 在研究中，徐虎課題組研究人員采用基于密度泛函理論的晶格動力學計算，根據二階力常數矩陣構造類似于電子系統的緊束縛哈密頓量，從而可以獲得聲子系統的Berry 相和拓撲邊緣態。在此基礎上，他們結合高通量計算，發現具有量子谷Berry相的Dirac聲子態在二維六角晶格材料中普適存在(圖3a)。研究結果對進一步研究拓撲聲子態以及其實際應用具有重要作用。 近兩年，徐虎課題組致力于拓撲材料的理論預測和設計方面的研究工作，以南方科技大學物理系為第一單位發表1篇Phys. Rev. Lett.，1篇Nano Lett.和8篇Phys. Rev. (其中5篇為Phys. Rev. B Rapid Communications)。
南方科技大學
2021-04-13