太阳城集团亚洲娱乐城-澳门太阳城集团娱乐城最新地址_百家乐电影网_全讯网xb112 (中国)·官方网站

本發(fā)明公開了一種可重復(fù)利用柔性無(wú)機(jī)電致發(fā)光器件，從下至上依次包括印有圖文信息的塑料薄膜 層、不干膠層、透明電極層、發(fā)光層、絕緣層、背電極層；不干膠層通過(guò)滾涂方式粘附在透明電極層上； 透明電極層、發(fā)光層、絕緣層與背電極層通過(guò)絲網(wǎng)印刷方式緊密貼合在一起，塑料薄膜層與不干膠層可 反復(fù)剝離與粘結(jié)地貼合在一起。本發(fā)明所制得的柔性無(wú)機(jī)電致發(fā)光器件作為薄型燈箱的光源，可以通過(guò) 塑料薄膜層的反復(fù)剝離與粘結(jié)達(dá)到重復(fù)使用的目的，使圖文內(nèi)容的更換更加方便容易，同時(shí)節(jié)

本項(xiàng)目研究了超材料的電磁特性、基于超材料的反向切倫科夫輻射、基于納米材料冷陰極的場(chǎng)發(fā)射特性以及它們?cè)诟咝省⒏吖β屎透哳l率的真空電子器件中的應(yīng)用。相關(guān)SCI論文共計(jì)153篇，SCIE數(shù)據(jù)庫(kù)中的他引次數(shù)為1058次，代表性論文被《自然-納米技術(shù)》、《物理評(píng)論快報(bào)》、《先進(jìn)材料》等國(guó)際頂級(jí)期刊上發(fā)表的SCI論文他引157次。這些學(xué)術(shù)成果解決了真空電子器件所面臨的核心科學(xué)問(wèn)題，在國(guó)際真空電子學(xué)領(lǐng)域產(chǎn)生了重大的影響。

本發(fā)明涉及光伏并網(wǎng)逆變器技術(shù)領(lǐng)域。包括由功率電路組成的功率逆變單元和逆變控制單元兩部分，功率逆變單元主要包括輸入EMI 濾波電路、交錯(cuò)并聯(lián) Boost 升壓電路、采用混合器件的全橋逆變電路、輸出并網(wǎng)濾波電路，逆變控制單元主要包括電網(wǎng)相位檢測(cè)電路、采樣電路、及控制器。本發(fā)明采用雙級(jí)結(jié)構(gòu)，前級(jí)采用交錯(cuò)并聯(lián) Boost升壓，減小了電流的波動(dòng)，降低了輸出電壓紋波；后級(jí)逆變單元采用混合功率器件，有效減小了逆變損耗，提高系統(tǒng)效率

本發(fā)明公開了一種可重復(fù)利用柔性有機(jī)電致發(fā)光器件，從下至上依次包括印有圖文信息的塑料薄膜 層、不干膠層、陽(yáng)極層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極層；所述的不干膠層通過(guò)滾涂方式粘 附在陽(yáng)極層上；所述陽(yáng)極層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極層通過(guò)真空蒸鍍方式緊密貼合在 一起，所述的塑料薄膜層與不干膠層可反復(fù)剝離與粘結(jié)地貼合在一起。本發(fā)明所制得的柔性有機(jī)電致發(fā) 光器件作為薄型燈箱的光源，可以通過(guò)塑料薄膜層的反復(fù)剝離與粘結(jié)達(dá)到重復(fù)使用的目的，使圖

本成果以原有的直寫型3D打印技術(shù)為基礎(chǔ)，通過(guò)對(duì)于現(xiàn)有3D打印技術(shù)的進(jìn)一步開發(fā)，實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)便，高效的微結(jié)構(gòu)構(gòu)筑技術(shù)。實(shí)現(xiàn)微結(jié)構(gòu)納米晶器件的高效構(gòu)筑，進(jìn)一步提升器件的光溢出效率。 一、項(xiàng)目分類 關(guān)鍵核心技術(shù)突破 二、技術(shù)分析 成果源于國(guó)家自然科學(xué)基金“異價(jià)摻雜量子點(diǎn)的合成、聚合物基復(fù)合塊體3D打印制造與性能研究”，項(xiàng)目編號(hào)51872030。本成果以原有的直寫型3D打印技術(shù)為基礎(chǔ)，通過(guò)對(duì)于現(xiàn)有3D打印技術(shù)的進(jìn)一步開發(fā)，實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)便，高效的微結(jié)構(gòu)構(gòu)筑技術(shù)。實(shí)現(xiàn)微結(jié)構(gòu)納米晶器件的高效構(gòu)筑，進(jìn)一步提升器件的光溢出效率。傳統(tǒng)發(fā)光器件由于器件材料的折射率高于空氣，光從器件內(nèi)部向空氣傳播時(shí)，部分光會(huì)在器件的內(nèi)表面發(fā)生全反射，從而無(wú)法實(shí)現(xiàn)高效的光溢出效果。2017年，Nature Photonics上報(bào)道的塊體熒光器件內(nèi)部發(fā)出的光大量的在器件邊緣聚集（75%），正面與背面光溢出量的總和僅僅為25%(Nature Photonics, 2017,11,177-185.)。本成果以器件內(nèi)部微結(jié)構(gòu)構(gòu)筑為基礎(chǔ)，通過(guò)微結(jié)構(gòu)在器件內(nèi)部的全反射界面構(gòu)筑，改變光在材料內(nèi)部的傳輸路徑，實(shí)現(xiàn)器件正面的光溢出效果增強(qiáng)。 本專利的高光溢出效果可以廣泛的應(yīng)用于激光器、LED照明領(lǐng)域，提升能源利用效率。目前本專利可以將塊體材料單側(cè)約為~25%的溢出效率提升至~80%，約為3.2倍的提升。保守估計(jì)將此技術(shù)用于實(shí)際器件中，可以實(shí)現(xiàn)2倍以上的提升，這就意味著對(duì)于能源的消耗可以降低至原有的50%。照明約占全球能源消耗的15%-19%，全球溫室氣體排放的5%-6%。據(jù)統(tǒng)計(jì)2021年，全球照明市場(chǎng)總市值達(dá)到8089億元。照明技術(shù)是任何一個(gè)國(guó)家與地區(qū)都不可或缺的，高效的照明技術(shù)不僅可以為解決全球的能源危機(jī)提供有效解決途徑，同時(shí)為減少碳排放作出巨大貢獻(xiàn)，產(chǎn)生巨大的經(jīng)濟(jì)效益。

課題組基于NiO生長(zhǎng)工藝和異質(zhì)PN的前期研究基礎(chǔ)（Weibing Hao, et.al., Applied Physics Letters, 118, 043501, 2021），設(shè)計(jì)了結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)（Junction Termination Extension, JTE），并優(yōu)化退火工藝，成功制備出耐高壓且耐高溫的氧化鎵異質(zhì)結(jié)二極管。

傳統(tǒng)PZT壓電陶瓷應(yīng)用廣泛，但在居里溫度較低，環(huán)境溫度較高時(shí)，PZT陶瓷樣品極易退極化。隨著壓電材料的應(yīng)用范圍的進(jìn)一步拓展，一些極端條件對(duì)壓電陶瓷的應(yīng)用提出了新的挑戰(zhàn)。北京大學(xué)工學(xué)院實(shí)驗(yàn)室利用高居里點(diǎn)的鈧酸鉍 - 鈦酸鉛壓電陶瓷制備了基于 d31模式和d33模式的應(yīng)用于高溫環(huán)境中的壓電振動(dòng)能量回收器，器件可以穩(wěn)定地工作在 150℃以上的高溫環(huán)境中。高溫下由于電疇被活化，器件的壓電系數(shù)和相應(yīng)的輸出功率比室溫時(shí)提高一倍以上。 與壓電能量回收器不同的是，壓電驅(qū)動(dòng)器是一種利用壓電效應(yīng)，將電能轉(zhuǎn)化為機(jī)械能實(shí)現(xiàn)納米級(jí)驅(qū)動(dòng)的器件，壓電驅(qū)動(dòng)器利用壓電材料的準(zhǔn)靜態(tài)逆壓電效應(yīng)實(shí)現(xiàn)10微米至100微米的微小位移；同時(shí)，還可以利用壓電陶瓷的高溫諧振動(dòng)效應(yīng)制備高溫壓電馬達(dá)。

本申請(qǐng)涉及一種實(shí)現(xiàn)微型LED顯示器件封裝制作方法，通過(guò)設(shè)計(jì)新型的微型LED陣列顯示器件結(jié)構(gòu)，結(jié)合電極外引光刻工藝與貼片封裝工藝，以進(jìn)行微型LED陣列顯示器件與驅(qū)動(dòng)電路板的封裝集成。一方面通過(guò)制備電極外引結(jié)構(gòu)，可以增大像素的電極面積，使得貼片鍵合過(guò)程更容易操作且精確度更高，有效簡(jiǎn)化鍵合的步驟；另一方面結(jié)合漏印錫膏技術(shù)，將芯片與基板鍵合，減少金線或者合金等物料的使用，并且通過(guò)采用芯片高像素密度陣列式制作，提升生產(chǎn)效率，并降低生產(chǎn)成本。

本發(fā)明涉及一種具有存儲(chǔ)功能的晶體管器件的應(yīng)用，屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。針對(duì)現(xiàn)有二維電荷陷阱存儲(chǔ)器中因缺乏合適電荷陷阱介質(zhì)導(dǎo)致的可靠性差及集成度低等問(wèn)題，本發(fā)明提出采用二維碘化鉛（PbI<subgt;2</subgt;）作為電荷陷阱層，利用其天然存在的碘空位缺陷實(shí)現(xiàn)高效電荷捕獲。所述器件由二維半導(dǎo)體材料（如WSe<subgt;2</subgt;）與PbI<subgt;2</subgt;通過(guò)范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)集成，形成柵控存儲(chǔ)單元。該器件具有大存儲(chǔ)窗口、高開關(guān)比、快速寫入速度、多級(jí)存儲(chǔ)能力、高久性及長(zhǎng)數(shù)據(jù)保持時(shí)間。本發(fā)明為高集成度、低功耗非易失性存儲(chǔ)器提供了創(chuàng)新解決方案。