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二維半導(dǎo)體材料與器件
提出了層數(shù)調(diào)制、柵極電壓調(diào)制和自組裝單分子層調(diào)制等物理、化學改性策略，顯著調(diào)控了MoS2載流子濃度和功函數(shù)，為開發(fā)低接觸電阻的高性能納電子器件提供了手段，研究成果發(fā)表于ACS Nano、APL等知名期刊，應(yīng)邀為Adv. Mater.撰寫綜述一篇。
哈爾濱工業(yè)大學
2021-04-14
一種 MEMS 器件的封裝方法
本發(fā)明公開了一種 MEMS 器件的封裝方法，包括 S1 在框架基 板與封蓋的內(nèi)表面上對稱附著圖形化的過渡金屬化層和釬料層；S2 在 框架基板的釬料層上附著圖形化的自蔓延多層膜；S3 將芯片鍵合固定 在框架基板上并實現(xiàn)信號互連；S4 將固定有芯片的框架基板與封蓋進 行除氣除濕處理后對準堆疊形成封裝結(jié)構(gòu)；S5 對封裝結(jié)構(gòu)施加壓力、 預(yù)熱后引燃自蔓延多層膜，自蔓延多層膜燃燒并熔化釬料層實現(xiàn)冶金 互連。本發(fā)明將封蓋直接與框架
華中科技大學
2021-04-14
光譜儀器光柵分光器件與部件
中階梯光柵的刻劃： ICP光譜儀的分光核心部件主要是中階梯光柵，中階梯光柵的二維分光系統(tǒng)，具備更高的分辨能力，使光譜儀具有分析精準、多元素同時檢測以及檢測速度快等優(yōu)點。 √ 分辨力高 √ 制作難度大
上海理工大學
2021-04-13
二維材料中紅外發(fā)光器件
中紅外光譜技術(shù)被廣泛應(yīng)用于醫(yī)療診斷、軍事偵察、工業(yè)控制、環(huán)境監(jiān)測等領(lǐng)域。其中，中紅外光源是實現(xiàn)中紅外技術(shù)的核心部件之一。作為二維層狀材料家族的新興成員，黑磷（BP）已因其獨特的性能而得到廣泛研究。
南方科技大學
2021-04-14
基于石墨烯、氮化硼等二維材料的防腐應(yīng)用
已有樣品/n石墨烯由于其獨特的二維納米結(jié)構(gòu)，且具有高強度、高熱穩(wěn)定性、高化學穩(wěn)定性以及優(yōu)良的導(dǎo)熱性等特性，在防腐涂料領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。石墨烯、氮化硼等二維材料由于其特殊的結(jié)構(gòu)使其具有不透過性，作為金屬基底與腐蝕環(huán)境的阻隔層而保護基底不被自然環(huán)境所腐蝕。通過化學氣相沉積法及塊體剝離法可分別制備直接生長于金屬表面的大面積石墨烯、氮化硼薄膜，或粉狀的石墨烯、氮化硼納米片。通過化學氣相沉淀法，二維材料可以在任意形狀的金屬基底的所有暴露面上生長，實現(xiàn)對金屬表面的全面保護。市場預(yù)期：該技術(shù)可應(yīng)用于精細元器
中國科學院大學
2021-01-12
一種基于催化氮化硅粉體及其制備方法
小試階段/n氮化硅陶瓷作為一種高溫結(jié)構(gòu)陶瓷，具有強度高、硬度大、高溫蠕變小、抗熱震穩(wěn)定性好、耐磨、耐腐蝕、化學穩(wěn)定性好等優(yōu)異特性，被廣泛應(yīng)用于機械、化工、熱工及航空航天等領(lǐng)域。氮化硅粉體是制備高性能氮化硅陶瓷的基礎(chǔ)， 氮化硅粉體的制備及性能對氮化硅陶瓷的制備具有舉足輕重的作用。目前，氮化硅粉體的制備方法主要有：碳熱還原二氧化硅法、自蔓延法、熱分解法、氣相反應(yīng)法和硅粉直接氮化法等。現(xiàn)有的氮化硅粉體制備技術(shù)都存在一些不足：成本高，反應(yīng)溫度高，氮化周期長，純度低，工藝過程復(fù)雜，不易控制，粉體不呈晶須狀等，
武漢科技大學
2021-01-12
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生物基葉面肥
成果簡介： 核苷酸是構(gòu)成生物體核酸的成份，除了含有其它葉面肥所有的基本N，P元素外，它還含有一個高能磷酸鍵，可為植物的光合作用提供必須的能量，從而使植物更好地生長。與氨基酸類葉面肥相比較，核苷酸葉面肥使用量每畝僅為50g左右，為氨基酸葉面肥的1/20，而且核苷酸葉面肥具有廣譜性，可廣泛用于水稻、果樹、蔬菜、中草藥、花卉、食用菌以及多種經(jīng)濟作物的葉面、枝干
南京工業(yè)大學
2021-01-12
硅基拓撲光子學
研究團隊利用能谷-贗自旋耦合原理，在絕緣層硅（SOI，silicon-on-insulator）上制備出能谷光子晶體平板。該拓撲光學結(jié)構(gòu)具有~40nm的特征尺寸，其光子模式（因工作于光錐以下）能夠較好地局域在平板內(nèi)，抑制了平板外損耗。他們制備了直線形、Z形和Ω形等三種拓撲光學通道，測量出高透平頂透射光譜帶，證實了近紅外波段下拓撲保護的寬帶抗散射傳輸。采用硅微盤技術(shù)產(chǎn)生相位渦旋源，無需低溫和強磁等極端環(huán)境，實現(xiàn)了拓撲界面態(tài)的選擇性激發(fā)，實現(xiàn)了亞微米量級耦合長度的寬帶光子路由行為，驗證了能谷-贗自旋耦合等拓撲光學原理。?在硅基平臺上證實拓撲光子學原理，是目前國際學術(shù)前沿的聚焦度較高的領(lǐng)域之一。研究團隊過去在拓撲光子學原理方面的工作，多次引起國際同行關(guān)注，論文入選ESI高被引。該工作中，他們深入系統(tǒng)地發(fā)展出硅基拓撲光學等關(guān)鍵理論，攻克了數(shù)十納米加工工藝等關(guān)鍵技術(shù)，率先在硅基光子平臺與拓撲光子學之間建立了聯(lián)系，突破了單一自由度調(diào)控的傳統(tǒng)框架，提出了硅基中多自由度耦合的多維調(diào)控新機制，為微納光學與光子學、光二極管等關(guān)鍵光子芯片器件、混合集成光子學、高保真光量子信息光學、非線性光學等領(lǐng)域，提供了新方法和新思路。
中山大學
2021-04-13
鐵基形狀記憶合金
鐵基形狀記憶合金是一種新型結(jié)構(gòu)功能材料。自90年代，我校已研究成功幾種Fe-Mn-Si-Cr-Ni系形狀記憶合金，這些合金的屈服強度可達300～450MPa，完全回復(fù)的形狀記憶應(yīng)變已達3%，予應(yīng)變?yōu)?%時凈回復(fù)應(yīng)變可達5%，具有良好的單程形狀記憶效應(yīng)和形狀記憶完全性，合金中Cr、Ni元素的加入兼具有良好的耐腐蝕性。鐵基形狀記憶合金的應(yīng)用如下： 1
西安交通大學
2021-01-12
鋁基復(fù)合材料
金屬基復(fù)合材料問世不足三年，但由于其制備工藝簡單，價格便宜，具有高比強、高比剛及高耐磨性等優(yōu)良性能，在國外已廣泛用于航空、航天、汽車、軍工等領(lǐng)域。我校于80年代開始進行鋁基復(fù)合材料的制備、性能及應(yīng)用研究，已獲得許多重要成果，現(xiàn)已可用穩(wěn)定工藝制備管材、棒材及形狀較為復(fù)雜的零部件，如汽車連桿、汽缸套、油田抽油機缸套、汽車摩擦片、皮帶輪等機器構(gòu)件，還可用于開發(fā)各
西安交通大學
2021-01-12