|
搜索
搜 索
高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺
.jpg){kind=logo}
硅基已知頻率縫隙耦合式間接式毫米波相位檢測器
本發(fā)明的硅基已知頻率縫隙耦合式間接式毫米波相位檢測器是由共面波導(dǎo)、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設(shè)置有四個縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個縫隙耦合結(jié)構(gòu)連接著兩個間接式熱電式功率傳感器，下方的兩個縫隙耦合結(jié)構(gòu)實現(xiàn)信號的相位測量，在前后縫隙之間設(shè)置有一個移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器是由共面波導(dǎo)、非對稱共面帶線和一個電阻組成；間接式熱電式功率傳感器主要由共面波導(dǎo)、兩個電阻以及
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基未知頻率縫隙耦合式間接式毫米波相位檢測器
本發(fā)明的硅基未知頻率縫隙耦合式間接式毫米波相位檢測器是由共面波導(dǎo)、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開關(guān)、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設(shè)置有四個縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個縫隙耦合結(jié)構(gòu)實現(xiàn)信號的頻率測量，下方的兩個縫隙耦合結(jié)構(gòu)實現(xiàn)信號的相位測量，在前后縫隙之間設(shè)置有一個移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器是由共面波導(dǎo)、非對稱共面帶線和電阻組成；間接式熱電式功率傳感器主要由共面波導(dǎo)、兩個電阻以及熱電
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基懸臂梁耦合間接加熱式毫米波信號檢測儀器
本發(fā)明的硅基懸臂梁耦合間接加熱式毫米波信號檢測儀器是由傳感器、模數(shù)轉(zhuǎn)換和液晶顯示三大模塊組成，傳感器模塊是由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、功率分配／合成器、間接加熱式微波功率傳感器和開關(guān)構(gòu)成，襯底材料為高阻Ｓｉ，功率通過輸入端口對應(yīng)的ＣＰＷ信號線終端的間接加熱式微波功率傳感器進(jìn)行檢測；頻率檢測通過利用間接加熱式微波功率傳感器測量兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號的合成功率實現(xiàn)；相位檢測通過將兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號，分別同兩路等分后的參考信號合成，同樣利用間接加熱式微波功率傳感器檢測合成功率
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基已知頻率縫隙耦合式直接式毫米波相位檢測器
本發(fā)明的硅基已知頻率縫隙耦合式直接式毫米波相位檢測器是由共面波導(dǎo)傳輸線、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設(shè)置有四個縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個縫隙耦合結(jié)構(gòu)連接著兩個直接式熱電式功率傳感器，下方的兩個縫隙耦合結(jié)構(gòu)實現(xiàn)信號的相位測量，在前后縫隙之間設(shè)置有一個移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器是由共面波導(dǎo)傳輸線、非對稱共面帶線和一個隔離電阻組成；直接式熱電式功率傳感器主要由共面波
東南大學(xué)
2021-04-14
.jpg){kind=logo}
高結(jié)晶性銀粉及晶硅太陽能電池正面銀漿
本項目是通過控制液相還原條件下銀納米晶的成核和生長速度，可以得到 單分散的、高結(jié)晶性的單晶銀納米粉；通過引入銀納米晶核，控制溶液相中均 79 相成核和晶體的各向異性生長，可以制備單分散的、高結(jié)晶性的銀微米粉，進(jìn) 而制得太陽能電池正面銀漿。
山東大學(xué)
2021-04-13
.jpg){kind=logo}
一種耐高溫納米硅薄膜二極管及其制備技術(shù)
該成果是一種用熱絲化學(xué)氣相沉積(HWCVD)方法進(jìn)行低成本的耐高溫二極管制備的技術(shù)，它采用高熔點的鎢或鉭絲作為催化分解熱絲，對通入生長腔體中的氣體進(jìn)行快速分解，通過控制熱絲溫度、H2稀釋比、襯底溫度和生長氣壓等參數(shù)，可以實現(xiàn)不同導(dǎo)電類型的納米硅薄膜的沉積和相關(guān)二極管的制備，制備的納米硅薄膜大面積均勻，載流子濃度和遷移率可控性好。 該成果主要面向微電子器件制造行業(yè)，如集成電路、大功率器件、特種環(huán)境探測器和傳感器、光伏產(chǎn)業(yè)、發(fā)光器件等相關(guān)領(lǐng)域。 該成果
南京航空航天大學(xué)
2021-04-14
高結(jié)晶性銀粉及晶硅太陽能電池正面銀漿
本項目是通過控制液相還原條件下銀納米晶的成核和生長速度，可以得到單分散的、高結(jié)晶性的單晶銀納米粉；通過引入銀納米晶核，控制溶液相中均相成核和晶體的各向異性生長，可以制備單分散的、高結(jié)晶性的銀微米粉，進(jìn)而制得太陽能電池正面銀漿。
山東大學(xué)
2021-04-14
技術(shù)大學(xué).jpg){kind=logo}
中國科大實現(xiàn)硅基量子芯片中自旋軌道耦合強度的高效調(diào)控
郭國平教授、李海歐教授等人與中科院物理所張建軍研究員、紐約州立大學(xué)布法羅分校胡學(xué)東教授以及本源量子計算有限公司合作，在硅基鍺空穴量子點中實現(xiàn)了自旋軌道耦合強度的高效調(diào)控，為該體系實現(xiàn)自旋軌道開關(guān)以及提升自旋量子比特的品質(zhì)提供了重要的指導(dǎo)意義。
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
2022-06-02
金屬元素分析儀, 錳磷硅分析儀,分析儀器
產(chǎn)品詳細(xì)介紹 南京金牛高速分析儀器有限公司專業(yè)制造各類鋼鐵成分分析儀器,鑄造生鐵化驗儀,有色金屬分析儀，多元素分析儀，高頻紅外碳硫分析儀，電腦碳硫分析儀，五大元素分析儀等高速分析儀器，產(chǎn)品高、中、低檔齊全。一、碳硫主要技術(shù)指標(biāo)：1、測量范圍：碳0.02％～6.00％ 硫0.002％～2.00％;2、測量時間：C、 S約45秒;3、測量精度：符合GB/T223.69-97 GB/T223.68-97標(biāo)準(zhǔn);二、元素分析主要技術(shù)指標(biāo)：1、分析方法：光電比色分析法;2、量程范圍：吸光度值0～1.999A、濃度值0～99.99％;3、測量精度：符合GB223.3－5.88標(biāo)準(zhǔn);4、可測元素：錳、磷、硅、鎳、鉬、鉻、鈦、銅、鉛、鋅、鐵、鋁、鎂、稀土、鈮、釩等元素的分析;5、電源電壓：220v±10% 50Hz ;三、碳硫主要特點：1、氣體容量法差壓式定碳、碘量法定硫；2、單片機(jī)控制電路，工作過程全自動操作、徹底消除人為誤差、性能穩(wěn)定可靠；3、進(jìn)口精密傳感器檢測數(shù)據(jù)，測量準(zhǔn)確，自動打印測量結(jié)果。4、啟動一次完成碳硫全部測定。操作簡單、維修方便。四、元素分析主要特點：1、零點、滿度均可自動調(diào)整，無需準(zhǔn)確調(diào)整，直讀吸光度或百分比含量，自動打印結(jié)果，包括爐號、日期、濃度百分含量；2、采用單片機(jī)控制電路，可儲存15條曲線；3、采用精密觸摸式鍵盤，32鍵音響提示，操作簡單、適用、穩(wěn)定性好；4、更換不同的冷光源或濾光片，可擴(kuò)大測量元素的種類和含量范圍；5、采用先進(jìn)的光電轉(zhuǎn)換技術(shù)，適用于各種金屬材料化驗。
南京金牛高速分析儀器有限公司
2021-08-23
硅二極管溫度傳感器錦正茂非標(biāo)定制
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨的標(biāo)定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨特的優(yōu)勢。
您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！
特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；
※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線；
※ 多種可選封裝方式。
您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！
參數(shù)：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達(dá)：75V；
※ 損壞前電流高達(dá)：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應(yīng)時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環(huán)境下使用。
???????
北京錦正茂科技有限公司
2022-07-28