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（專利號：ZL 201510093093.1） 簡介：本發(fā)明公開了一種基于激光沖擊波技術(shù)耐磨涂層制備的方法及裝置，涉及零件再制造技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明方法首先將待噴涂工件表面清洗、去油、噴砂和預(yù)熱處理后，利用等離子噴涂的方法在工件表面上得到厚度滿足要求的熱態(tài)的硬質(zhì)材料涂層后，緊接著利用激光沖擊波在已形成的熱態(tài)的硬質(zhì)材料涂層中連續(xù)多次嵌入軟質(zhì)材料的微粒，材料凝固和冷卻后，硬質(zhì)材料涂層中均勻分布著少量軟質(zhì)材料涂層。本發(fā)明裝置包括激光發(fā)生器、導(dǎo)光分光系統(tǒng)、電弧制液系統(tǒng)、工件夾具系統(tǒng)以及控制系統(tǒng)。本發(fā)明方法所制備的涂層硬度高、摩擦系數(shù)小、磨損率低，本發(fā)明裝置具有操作方便、成本低以及效率高的特點(diǎn)。  

本發(fā)明涉及水利工程無損檢測技術(shù)領(lǐng)域，旨在提供一種基于無線傳感器網(wǎng)絡(luò)的混凝土壩彈性波CT測試系統(tǒng)及方法。該系統(tǒng)包括人工振源模塊、振動信號采集模塊和無線傳感器模塊。振動信號采集模塊包括分別與計(jì)算機(jī)相連的無線傳感器傳輸組件、信號調(diào)理儀和信號采集儀；無線傳感器模塊由多個無線傳感器網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)組成，均包括：分別與控制單元相連的三分量加速度傳感器、GPS一機(jī)多天線定位組件和無線傳感器傳輸組件；人工振源模塊或振動信號采集模塊中設(shè)置GPS一機(jī)多天線定位組件。本發(fā)明測試安全性高，振源激發(fā)操作簡便；測點(diǎn)定位更加準(zhǔn)確和智能化；避免了現(xiàn)場測試時的大量連線作業(yè)；能夠?qū)崿F(xiàn)測試過程中的“一發(fā)多收”，可大大提高測試效率。

簡介：本發(fā)明公開一種基于激光沖擊波技術(shù)的金屬變徑管成形的方法和裝置,屬于激光加工技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明采用激光能量吸收層涂覆在與管件分離的堵桿上端部,激光束沿待成形的管坯的軸線進(jìn)入管坯的內(nèi)部,輻照在堵桿上端部的吸收層上,吸收層吸收激光能量后氣化、電離,形成高壓等離子體,高壓等離子體急速膨脹形成高幅沖擊波,以此推動管坯的膨脹直至和模具的型面貼合,使管坯的變形形狀和模具的型面一致。本發(fā)明采用參數(shù)受控的激光沖擊波作為管坯內(nèi)高壓成形的力源,具有很好的安全性,不僅適合于材料屈服極限較低的管坯成形,也適合屈服強(qiáng)度很高的管坯成形,可進(jìn)行連續(xù)多個脈沖激光輻照和實(shí)施不間斷多次沖擊,具有較高的生產(chǎn)效率。

本發(fā)明提供了動物源食品致病菌鑒定及其耐藥和毒力基因檢測復(fù)合芯片。本發(fā)明提供了用于鑒定動物源食品致病菌、致病菌耐藥基因和/或致病菌毒力基因的探針，由序列1?序列171所示的單鏈DNA分子組成。本發(fā)明實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：本發(fā)明的動物源食品中致病菌鑒定及其耐藥和毒力基因檢測復(fù)合芯片，能夠有效的達(dá)到同時鑒定細(xì)菌及其毒力和耐藥基因的綜合目的。

鼻咽癌是鼻咽上皮來源的惡性腫瘤，多發(fā)于鼻咽頂部和咽隱窩，是一種多因素影響的復(fù)雜性疾病，其 發(fā)生與發(fā)展與遺傳因素、EB病毒感染及環(huán)境因素密切相關(guān)。本研究成果提供了一種用于鼻咽癌的發(fā)病風(fēng) 險預(yù)測的試劑盒以及相應(yīng)的基因芯片，可同時檢測多個鼻咽癌易感基因SNP位點(diǎn)，為個體罹患鼻咽癌風(fēng)險 程度、鼻咽癌高發(fā)區(qū)人群普查，篩查鼻咽癌發(fā)病高危人群以及進(jìn)行相應(yīng)預(yù)防措施提供參考。本研究成果涵 蓋了11個鼻咽癌易感基因SNP位點(diǎn)及EB病毒分型，運(yùn)用本研究成果設(shè)計(jì)的Taqman探針及引物，采集受試者 的生物樣本進(jìn)行核酸提取及熒光定量PCR最終獲得其基因分型。本研究成果對于鼻咽癌發(fā)病風(fēng)險預(yù)測的效 果良好，曲線下面積可達(dá)0.737，95%置信區(qū)間為0.672-0.802；p值達(dá)到了5.06E-10。此預(yù)測模型預(yù)測鼻咽 癌發(fā)病風(fēng)險的靈敏度和特異度分別為87.41%和53.00%。

研究背景 芯片是人類最偉大的發(fā)明之一，也是現(xiàn)代電子信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)和核心。小到手機(jī)、電腦、數(shù)碼相機(jī)，大到6G、物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算均基于芯片技術(shù)的不斷突破。半導(dǎo)體光刻工藝水平的發(fā)展是以芯片為核心的電子信息產(chǎn)業(yè)的基石，目前半導(dǎo)體光刻的制造工藝幾乎是摩爾定律的物理極限。隨著制造工藝的越來越小，芯片內(nèi)晶體管單元已經(jīng)接近分子尺度，半導(dǎo)體制作工藝的“瓶頸效應(yīng)”越來越明顯。隨著全球化以及科技的高速發(fā)展，急劇增長的龐大數(shù)據(jù)量要求數(shù)據(jù)處理模型和算法結(jié)構(gòu)不斷優(yōu)化升級，帶來的結(jié)果就是對計(jì)算能力和系統(tǒng)功耗的要求不斷提高。而目前智能電子設(shè)備大多存在傳輸瓶頸、功耗增加以及計(jì)算力瓶頸等現(xiàn)象，已越來越難以滿足大數(shù)據(jù)時代對計(jì)算力與功耗的需求，因此提高運(yùn)算速度同時降低運(yùn)算功耗是目前信息工業(yè)界面臨的緊要問題。 如當(dāng)年集成電路開創(chuàng)信息時代一樣，當(dāng)下已經(jīng)普及的光通信正在成為新革命力量的開路先鋒。與此同時，光子芯片正在從分立式器件向集成光路演進(jìn)，光子芯片向小型化、集成化的發(fā)展趨勢已是必然。相對于電子驅(qū)動的集成電路，光子芯片有超高速率，超低功耗等特點(diǎn)，利用光信號進(jìn)行數(shù)據(jù)獲取、傳輸、計(jì)算、存儲和顯示的光子芯片，具有非常廣闊的發(fā)展空間和巨大的潛能。 項(xiàng)目功能 本項(xiàng)目瞄準(zhǔn)光通信關(guān)鍵技術(shù)及核心芯片，基于量子阱二極管發(fā)光探測共存現(xiàn)象，探索關(guān)鍵微納制造技術(shù)，研制出可以同時實(shí)現(xiàn)通信、感知功能的一體化光電子芯片。 技術(shù)路線 一、技術(shù)原理及可行性 本項(xiàng)目主要負(fù)責(zé)人王永進(jìn)教授發(fā)現(xiàn)如圖1所示的量子阱二極管發(fā)光探測共存現(xiàn)象，首次研制出同質(zhì)集成發(fā)射、傳輸、調(diào)制和接收器件的光電子芯片，這些原創(chuàng)工作引起了業(yè)界相關(guān)科研小組地廣泛關(guān)注，化合物半導(dǎo)體同質(zhì)集成光電子芯片成為研究熱點(diǎn)。香港大學(xué)的蔡凱威小組和申請人合作提出濕法刻蝕和激光選擇性剝離技術(shù)，在藍(lán)寶石氮化物晶圓上實(shí)現(xiàn)LED基同質(zhì)集成光電子芯片(Optica 5, 564-569 (2018))。沙特阿卜杜拉國王科技大學(xué)Ooi教授和美國加州大學(xué)圣巴巴拉分校Nakamura教授小組在藍(lán)寶石氮化物晶圓上，研制出基于氮化物激光器的同質(zhì)集成光電子芯片(Opt. Express 26, A219(2018))。中科院蘇州納米所孫錢小組在硅襯底氮化物晶圓上，研制出基于氮化物激光器的同質(zhì)集成光電子芯片(IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 24, 8200305 (2018))。在NRZ-OOK調(diào)制方式下，InGaN/GaN量子阱二極管可實(shí)現(xiàn)Gbps的光發(fā)射、調(diào)制和探測速率(Appl. Phys. Express 13, 014001 (2020))。這些工作表明研發(fā)基于光子傳輸?shù)幕衔锇雽?dǎo)體同質(zhì)集成光電子芯片以實(shí)現(xiàn)片上光子通信是可行的。   二、總體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及工藝流程 本項(xiàng)目提出的同時通信/感知一體化光電子芯片基于常規(guī)的藍(lán)寶石襯底氮化鎵基多量子阱LED外延片進(jìn)行設(shè)計(jì)，無需特殊定制的外延結(jié)構(gòu)。以典型的2寸氮化鎵基藍(lán)光LED外延片為例，其外延片結(jié)構(gòu)如圖2所示，從下至上依次為藍(lán)寶石襯底、AlGaN緩沖層、未摻雜GaN層、N型GaN層、InGaN/GaN多量子阱層和P型GaN層，通過調(diào)節(jié)InGaN/GaN多量子阱層的參數(shù)（層厚度與In的比例等等）可制備具有不同中心波長的光源器件。   圖3為本項(xiàng)目所提出的同時通信/感知一體化光電子芯片結(jié)構(gòu)。在藍(lán)寶石襯底的氮化物晶圓上通過刻蝕和沉積等一系列晶圓級微納加工技術(shù)，制備出單片集成的InGaN/GaN多量子阱LED和PD。光子芯片的P、N電極可以采用倒裝技術(shù)直接與基板相連，光線從透明的藍(lán)寶石襯底發(fā)出，這樣不僅使得器件具有優(yōu)良的電性能和熱特性而且簡化了其后期的封裝工藝。 三、技術(shù)創(chuàng)新優(yōu)勢 1、同一塊晶圓上集成LED和PD使得兩者間距離大大縮短，不僅有助于增強(qiáng)PD對藍(lán)寶石表面反射光線的耦合，提升感知系統(tǒng)性能，而且縮小了器件整體外形，符合集成電子器件小型化、便攜化的發(fā)展趨勢； 2、單片集成的LED和PD器件相比于傳統(tǒng)異質(zhì)的、分立的LED和PD簡化了封裝形式和工藝，不再需要對LED和PD進(jìn)行單獨(dú)的封裝，而且同質(zhì)集成器件的基板也較異質(zhì)結(jié)構(gòu)的簡單統(tǒng)一，極大地縮短了集成系統(tǒng)的制作周期； 3、同時通信/感知一體化光電子芯片采用相同的工藝就可以制作出LED和PD，簡化了生長異質(zhì)材料的復(fù)雜性，縮短了器件流片的周期，使用同一工藝就可將LED和PD進(jìn)行批量生產(chǎn)，有效地降低了生產(chǎn)成本。 四、實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證 本項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)所在的Peter Grünberg研究中心擁有完整的LED器件制備、光電性能測試與電學(xué)性能測試平臺，并且項(xiàng)目成員積累了豐富的測試技術(shù)與經(jīng)驗(yàn)，能夠滿足本項(xiàng)目的同時通信/感知一體化光電子芯片測試同時表征光電參數(shù)與電學(xué)參數(shù)的需求。下圖4所示為器件形貌表征圖，從左邊依次是掃描電鏡圖、光鏡圖、原子力顯微鏡圖。   基于通信感知一體化芯片，本項(xiàng)目利用單個多功能集成器件成功實(shí)現(xiàn)了對人體脈搏的監(jiān)測功能，如圖5所示。   另外基于通信感知一體化氮化鎵光電子芯片，我們還實(shí)現(xiàn)了照明、成像和探測功能為一體的LED陣列系統(tǒng)，如圖6所示。該系統(tǒng)可以在點(diǎn)亮照明的同時，實(shí)現(xiàn)對外界光信號的探測與感知，通過后端系統(tǒng)處理后，再將信息通過陣列顯示出來，實(shí)現(xiàn)多種功能的集成。 項(xiàng)目負(fù)責(zé)人王永進(jìn)教授是國家自然基金委優(yōu)秀青年項(xiàng)目、國家973項(xiàng)目獲得者，他以第一或通訊作者身份在Light-Sci Appl.等主流學(xué)術(shù)期刊發(fā)表一系列高質(zhì)量研究論文，獲授權(quán)中國發(fā)明專利23項(xiàng)，美國發(fā)明專利2項(xiàng)，被National Science Review、Semiconductor Today等做9次專題報(bào)道，榮獲2019年中國電子學(xué)會科學(xué)技術(shù)獎（自然科學(xué)）、2019年南京市十大重大原創(chuàng)成果獎等。

本發(fā)明公開了一種 LED 倒裝芯片的圓片級封裝結(jié)構(gòu)、方法及產(chǎn) 品，包括 LED 倒裝芯片、硅基板、透鏡、印刷電路板和熱沉；硅基板 正面加工有放置芯片的凹腔，凹腔底部的長度與芯片的長度相同；硅 基板的反面加工有兩組通孔，兩通孔與凹腔相連通；在凹腔和兩通孔 的表面沉積有絕緣層；凹腔表面的絕緣層上沉積有散熱金屬層和反光 金屬層；兩通孔內(nèi)填充有金屬體，通孔內(nèi)的金屬體與凹腔表面的散熱 金屬層相接；凹腔內(nèi)底部的兩金屬層存在一開口，用于將該金屬層隔 離為兩部分；硅基板的反面沉積有絕緣層，該絕緣層表面布線用于電 極連接的金屬層；凹腔內(nèi)涂覆有熒光粉，凹腔的外圍加工有用于固定透鏡的環(huán)形定位腔。本發(fā)明能夠提高 LED 出光效率、加強(qiáng)散熱能力且 完成自對準(zhǔn)。 

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