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《Joule》刊發(fā)北京航空航天大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院張曉亮教授課題組最新研究進(jìn)展
無(wú)機(jī)銫鉛碘（CsPbI3）鈣鈦礦材料由于不含揮發(fā)性有機(jī)組分，是有應(yīng)用前景的光伏材料。通過(guò)使用表面配體限制晶體生長(zhǎng)，將其制備成納米尺度的量子點(diǎn)是得到穩(wěn)定CsPbI3鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的有效途徑之一。
北京航空航天大學(xué)
2022-06-14
技術(shù)需求：1.耐火（高溫）管型母線外包絕緣材料的研發(fā)生產(chǎn)技術(shù)。2.基于管型母線的在線監(jiān)測(cè)系統(tǒng)。
1.耐火（高溫）管型母線外包絕緣材料的研發(fā)生產(chǎn)技術(shù)。2.基于管型母線的在線監(jiān)測(cè)系統(tǒng)。
山東中泰陽(yáng)光電氣科技有限公司
2021-08-24
關(guān)于組織開(kāi)展2023年山西省省級(jí)科技企業(yè)孵化器申報(bào)和績(jī)效評(píng)價(jià)工作的通知
為貫徹落實(shí)黨的二十大精神，加快實(shí)施創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略，加快實(shí)現(xiàn)高水平科技自立自強(qiáng)，促進(jìn)創(chuàng)業(yè)孵化機(jī)構(gòu)體系化、專業(yè)化建設(shè)，推動(dòng)科技創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展，形成示范帶動(dòng)效應(yīng)，現(xiàn)開(kāi)展2023年山西省省級(jí)科技企業(yè)孵化器認(rèn)定工作，有關(guān)事項(xiàng)通知如下
山西省科技廳國(guó)際與區(qū)域科技合作處
2023-07-20
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用于同時(shí)檢測(cè)CU2+ Ｐb2+ Cd2+的陣列式薄膜傳感器及其制備方法
本發(fā)明涉及用于同時(shí)檢測(cè)Cu2+,Pb2+,Cd2+的陣列式薄膜傳感器及基制備方法,以p型或n型Si片作基底,在基底上依次為SiO2層,對(duì)Cu2+,Pb2+,Cd2+敏感的三種薄膜;該薄膜傳感器是通過(guò)激光脈沖沉積技術(shù)在SiO2表面上制備三種敏感薄膜,采用激光沉積技術(shù)把三個(gè)敏感材料分別制備在SiO2表面上,最后形成三種陣列式薄膜傳感器.它對(duì)溶液中的Cu2+,Pb2+,Cd2+具有選擇性,能檢測(cè)出Cu2+,Pb2+,Cd2+的含量.本發(fā)明可在江河湖泊,生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域(如血液,體液),工業(yè)廢水,中藥,蔬菜,水果,茶葉等領(lǐng)域中對(duì)Cu2+,Pb2+,Cd2+同時(shí)進(jìn)行定性和定量檢測(cè).
東北電力大學(xué)
2021-04-30
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一種用于薄膜太陽(yáng)能電池的碳基光子晶體背反射器及其制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種用于薄膜太陽(yáng)能電池的碳基光子晶體背反射器，由兩種結(jié)構(gòu)不同的光子晶體疊加構(gòu)成，其結(jié)構(gòu)為[A/B]mAE[C/D]nC，其中A；B；C；D；E的厚度分別為d1=50nm，d2=100nm，d3=70nm，d4=140nm，d5=120nm，m；n為兩種光子晶體的周期數(shù)，m取3，n取4。其制備方法是：RF-PECVD法在普通載玻片上交替沉積a-Si:H和a-C薄膜。本發(fā)明的碳基光子晶體背反射器，具有一維光子晶體全角反射，可實(shí)現(xiàn)600—1300nm光波段平均75%的反射率，增加光波在太陽(yáng)能電池吸收層中的傳播光程，提高光子利用效率，增加光電流密度和光電轉(zhuǎn)換效率。制備工藝簡(jiǎn)單。
河北師范大學(xué)
2021-05-03
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一種基于開(kāi)槽結(jié)構(gòu)的四分之一模基片集成波導(dǎo)濾波器
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于開(kāi)槽結(jié)構(gòu)的四分之一模基片集成波導(dǎo)濾波器，包括四分之一模基片集成波導(dǎo)弧形腔，四分之一模基片集成波導(dǎo)弧形腔通過(guò)基片集成波導(dǎo)圓形腔沿任意兩條相互垂直的磁壁分割得到，四分之一模基片集成波導(dǎo)弧形腔包括介質(zhì)基片，介質(zhì)基片的上表面設(shè)有上金屬層，介質(zhì)基片的下表面設(shè)有下金屬層，介質(zhì)基片中沿四分之一模基片集成波導(dǎo)弧形腔的周向均勻分布有貫穿上金屬層和下金屬層的金屬通孔。本發(fā)明相對(duì)于傳統(tǒng)的基片集成波導(dǎo)圓形腔有效實(shí)現(xiàn)了小型化。并且，相對(duì)于傳統(tǒng)的多層結(jié)構(gòu)，本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，加工方便。此外，相對(duì)于傳統(tǒng)的微帶結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的濾波器品質(zhì)因數(shù)高，損耗小。
東南大學(xué)
2021-04-11
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一種基于多核處理器的高速印花機(jī)圖像數(shù)據(jù)旋轉(zhuǎn)處理系統(tǒng)及方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于多核處理器的高速印花機(jī)圖像數(shù)據(jù)旋轉(zhuǎn)處理系統(tǒng)，包括數(shù)據(jù)接收設(shè)備、數(shù)據(jù)解析處理設(shè)備、數(shù)據(jù)傳輸通道和數(shù)據(jù)輸出設(shè)備。本發(fā)明還公開(kāi)了一種基于多核處理器的高速印花機(jī)圖像數(shù)據(jù)旋轉(zhuǎn)處理方法，其通過(guò)以太網(wǎng)接口接收數(shù)據(jù)，利用處理器的多個(gè)核并行處理數(shù)據(jù)，由FPGA實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的輸出。相比現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明系統(tǒng)及方法能夠大大提高數(shù)據(jù)的旋轉(zhuǎn)效率以及吞吐量，從而實(shí)現(xiàn)數(shù)碼印花機(jī)的高效能產(chǎn)出。
浙江大學(xué)
2021-04-11
一種基于多核處理器的高速印花機(jī)圖像數(shù)據(jù)旋轉(zhuǎn)處理系統(tǒng)及方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于多核處理器的高速印花機(jī)圖像數(shù)據(jù)旋轉(zhuǎn)處理系統(tǒng)，包括數(shù)據(jù)接收設(shè)備、數(shù)據(jù)解析處理設(shè)備、數(shù)據(jù)傳輸通道和數(shù)據(jù)輸出設(shè)備。本發(fā)明還公開(kāi)了一種基于多核處理器的高速印花機(jī)圖像數(shù)據(jù)旋轉(zhuǎn)處理方法，其通過(guò)以太網(wǎng)接口接收數(shù)據(jù)，利用處理器的多個(gè)核并行處理數(shù)據(jù)，由FPGA實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的輸出。相比現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明系統(tǒng)及方法能夠大大提高數(shù)據(jù)的旋轉(zhuǎn)效率以及吞吐量，從而實(shí)現(xiàn)數(shù)碼印花機(jī)的高效能產(chǎn)出。
浙江大學(xué)
2021-04-11
一種帶水合反應(yīng)器的復(fù)合吸收劑循環(huán)捕捉CO2的裝置及方法
本發(fā)明公開(kāi)一種帶水合反應(yīng)器的復(fù)合吸收劑循環(huán)捕捉CO2的裝置及方法，該裝置包括煅燒?還原反應(yīng)器(1)、冷凝器(2)、水合反應(yīng)器(3)、空氣反應(yīng)器(4)、碳酸化反應(yīng)器(5)、換熱器(6)以及各部分之間的連接管道；該循環(huán)捕捉CO2的方法為：鈣銅基復(fù)合吸收劑中的Ca(OH)2和CaO與進(jìn)入碳酸化反應(yīng)器的煙氣反應(yīng)，捕捉CO2；固體產(chǎn)物在煅燒?還原反應(yīng)器中與通入其中的CH4反應(yīng)，產(chǎn)生高濃度CO2；部分反應(yīng)后的固體進(jìn)入水合反應(yīng)器改善孔隙結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)反應(yīng)活性；活化后的復(fù)合吸收劑進(jìn)入空氣反應(yīng)器完成銅基載氧體的再生。本發(fā)明使用鈣循環(huán)耦合化學(xué)鏈工藝實(shí)現(xiàn)了低能耗捕捉煙氣中的CO2，同時(shí)借助水合反應(yīng)抑制吸收劑碳酸化性能衰退。
東南大學(xué)
2021-04-11
一種高靈敏的ZnO/AlN核鞘納米棒陣列紫外光探測(cè)器的制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種高靈敏的ZnO/AlN核鞘納米棒陣列紫外光探測(cè)器的制備方法，包括如下步驟：在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)ZnO納米棒陣列；采用磁控濺射法在ZnO納米棒上濺射不同厚度的AlN鞘層薄膜；采用濺射法或者電子束蒸鍍分別在ZnO/AlN核鞘納米棒陣列兩端制備具有歐姆接觸的金屬電極，構(gòu)成完整的器件。本發(fā)明通過(guò)簡(jiǎn)單的磁控濺射方法，控制濺射時(shí)間，在ZnO納米棒上生長(zhǎng)不同厚度、表面光滑均一的AlN鞘層薄膜，制備的ZnO/AlN核鞘光探測(cè)器件不僅具有更好的紫外光響應(yīng)，在360nm紫外光照射下，電壓為5V時(shí)，明暗電流比為5.5×103，提高了一個(gè)數(shù)量級(jí)，同時(shí)具有更快速的響應(yīng)和恢復(fù)時(shí)間，分別是0.883和0.956s。
東南大學(xué)
2021-04-11