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開關變換器雙緣脈沖頻率調制V2型控制方法及其裝置
本成果來自國家科技計劃項目，現已結題，并獲國家發明專利授權（ZL201320031915.X），知識產權屬于西南交通大學。該成果公開了一種開關變換器雙緣脈沖頻率調制V2型控制方法及其裝置，根據基準電壓Vref和輸出電壓Vos經過誤差補償器后生成的控制電壓Vc與輸出電壓Vos的關系，結合預設的恒定導通時間或恒定關斷時間，產生三段時間t1、t2和t3，每個周期依次采用t1、t2、t3組成的控制時序，控制開關變換器開關管的導通與關斷。本成果可用于控制Buck變換器、Buck2變換器、Cuk變換器、Zeta變換器等開關變換器，其優點是：負載瞬態響應速度快，穩壓精度高，穩定性好。
西南交通大學
2016-06-27
一種動平臺對空目標雙色紅外異構并行自動目標識別器
本發明公開了一種動平臺對空目標雙色紅外異構并行自動目標識別器，所述目標識別器包括：交換式網絡與至少一個處理部件，所述處理部件與所述交換式網絡之間通過輸入 FIFO 接口、同步存儲器輸出接口以及控制線連接，所述交換式網絡用于動態鏈接不同的所述輸入 FIFO 接口和所述同步存儲器輸出接口，所述處理部件用于完成自動目標識別過程中所需的各種算法功能，所述輸入 FIFO 用于緩存輸入的待處理圖像數據，所述同步存儲器輸出接口用于
華中科技大學
2021-04-14
一種基于憶阻器的可編程模擬電路及其操作方法
本發明公開了一種基于憶阻器的可編程模擬電路及其操作方法， 可編程模擬電路包括：阻變元件、第一電阻、第二電阻、N 型 MOS 管 和 P 型 MOS 管；第一電阻的一端作為可編程模擬電路的第一端口，阻 變元件的一端與第一電阻的另一端連接，阻變元件的另一端作為可編 程模擬電路的第二端口；N 型 MOS 管的漏極和 P 型 MOS 管的漏極均 連接至阻變元件的另一端，N 型 MOS 管的源極和 P 型 MOS 管的源極 均
華中科技大學
2021-04-14
一種光纖 EFPI 次聲波傳感器及次聲信號探測系統
本發明公開了一種光纖 EFPI 次聲波傳感器及次聲信號探測系 統。本發明與同類型的其他聲學探測方法相比，在換能器中采用聚合 物薄膜，并對聚合物薄膜的厚度和直徑進行了優化設計，使得傳感器 能探測 1～20Hz 的次聲波，且靈敏度高達 121mV/Pa。在換能器的聚合 物薄膜內側中心粘貼鋁質薄膜，并對鋁質薄膜的厚度和直徑進行了優 化設計，不僅大幅提高了換能器的光學反射率，而且使聚合物薄膜的 中心振動保持平穩。本發明與傳統
華中科技大學
2021-04-14
氨式法HCN固定床反應器計算機優化控制技術
? 氨式法HCN固定床反應器是當前應用較多的由天然氣生成HCN的生成裝置，利用金屬鉑作催化劑，在1600℃高溫下反應合成HCN。該反應器對反應溫度、氣體純度、氣體配比和流速等都有很高的要求。國際上先進的氨式法反應器的收率一般都在78~82％，而國內該種反應器在2000年之前的收率基本都只有45％左右，操作穩定性差，存在一定的安全隱患。低收率造成該種反應器在當時使用普及度不高，也同時使HCN產品鏈主要依靠石化副產物的HCN，從而對產能有很大的約束。氨式法HCN固定床反應器計算機優化控制技術通
北京理工大學
2021-04-14
表征太赫茲量子級聯激光器多模效應的電路建模仿真方法
本發明涉及一種表征太赫茲量子級聯激光器多模效應的電路建模仿真方法，首先建立表征 THzQCL 有源層內部載流子輸運特性的多模速率方程組；接著建立表征ThzQCL內部多模態效應的物理方程模型； 然后通過變量代換和化簡得到相應的等效電路模型；建立表征 THzQCL 輸入端電氣特性的等效電路模型； 建立表征 THzQCL 輸出端光功率特性的等效電路模型；最后建立電路宏模型，包括一個電氣端口和一個 光功率輸出端口，基于電路宏模型進行光電性能仿真和輸出光譜性能測試。本發明可測試溫度對 THzQCL 各種光電性能的影響；可支持實現對 THzQCL 光電性能和輸出多模效應的模擬和仿真。
武漢大學
2021-04-13
融合擴張觀測器的超臨界火電機組機爐協調控制方法
本發明公開了一種融合擴張觀測器的超臨界火電機組機爐協調控制方法。首先根據1000MW超臨界火電機組的非線性模型，基于非線性分析的方法在機組的不同工況點建立多個局部線性模型。之后采用該組局部線性模型，設計了一種融合擴張狀態觀測器的多模型預測控制器(MMPC)。通過擴張狀態觀測器的引入，估計并補償了機組在不同通道內的擾動及模型不確定性，提升了預測控制器的擾動抑制性能。本發明的算法能在保證控制系統全局穩定的前提下實現機組負荷的大范圍跟蹤，并且具有良好的擾動抑制性能。
東南大學
2021-04-14
一種基于改進和聲搜索算法的無線傳感器網絡路由方法
本發明提出了一種基于改進和聲搜索算法的無線傳感器網絡路由方法，包括以下步驟：Step1、初始化算法相關參數 HMS、HMCR、PAR 以及評價次數 eval_Nomax；Step2、利用輪盤賭初始化和聲記憶庫 HM；Step3、評價和聲庫中各和聲路徑的適應度；Step4、設置 eval_No＝0；Step5、設置 i＝0；Step6、產生候選和聲；Step7、eval_No++，若 eval_No＜eval_Nomax，執行 Step8；否則執行 Step11；Step8、對和聲庫中的第 i 條和聲 Xi＝{s,x2,…xj,…,d},進行鄰域搜索；Step9、eval_No++，若 eval_No＜eval_Nomax，執行 Step10；否則執行 Step11；Step10、i++，若 i＜HMS，執行 Step6；否則執行 Step5；Step11、記錄和聲記憶庫中的最優和聲路徑。本發明的路由方法具有較高的能效，并且能夠有效地延長整個網絡的生命周期。
華中科技大學
2021-04-11
面向手勢識別的稀疏二值網絡激活圖像編解碼硬件加速器
本發明屬于集成電路技術領域，具體為一種面向手勢識別的稀疏二值網絡激活圖像編解碼硬件加速器。本發明的硬件加速器包括：激活圖像編碼單元，編碼圖像存儲單元，編碼圖像解碼單元。該加速器針對稀疏二值網絡的激活圖像中存在大量相同向量進行壓縮，這些相同的向量是由于二值化的手勢邊緣作為輸入所產生的，壓縮激活圖像可以有效地降低片上存儲容量，降低數據搬運功耗，進而降低芯片功耗；該加速器能夠對壓縮后的激活圖進行譯碼，在譯碼過程中跳過重復的計算，從而減少計算次數，提升計算速度，有效地提升硬件性能。本發明具有低功耗，低延時的特性，有效地降低硬件資源，提升硬件的能效比。
復旦大學
2021-01-12
基于二維半導體材料的電荷超注入存儲器及其制備方法
本發明屬于半導體存儲器技術領域，具體為一種基于二維半導體材料的電荷超注入存儲器及其制備方法。本發明通過存儲疊層能帶設計，在實現閃存的非易失性存儲特性；通過橫向電場設計以及器件的仿真模擬設計，利用二維半導體材料的原子級薄層特性，顯著增強最大橫向電場從而提升電荷的注入效率，實現存儲器中電荷的超注入機制，進而實現閃存的亞納秒編程。本發明存儲器在維持十年數據保持能力的同時，大幅提升了電荷注入效率，將編程速度提升至亞納秒，為解決電荷存儲領域超快編程和長保持時間無法共存的重大挑戰提供新的解決方案。
復旦大學
2021-01-12