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一種基于納米壓電纖維的柔性能量捕獲器件及其制備方法
本發明公開了一種基于納米壓電纖維的柔性能量捕獲器件及其 制備方法。所述器件自下而上依次包括：柔性基材、電極層、壓電纖 維層、保護層；所述柔性基材為柔性絕緣塑料薄膜；所述壓電纖維層 為 PVDF 纖維。通過采用柔性基材，采用照相制版工藝制備梳狀電極， 并選擇合適的靜電紡絲參數沉積 PVDF 壓電纖維，無需再對壓電纖維 進行極化，使纖維整齊排列、減小纖維缺陷，能夠簡化納米壓電纖維 能量捕獲器件制備工藝，提高能量轉換效率，尤其是對彎曲運動機械 能的捕獲效果。
華中科技大學
2021-04-11
一種基于拉伸共形原理的柔性膜曲面轉移機械手
本發明屬于柔性薄膜轉移及貼合工藝相關設備領域，并公開了 一種基于拉伸共形原理的柔性膜曲面轉移機械手，其包括基座、X 向 伸縮機構、Y 向張合機構和共形柔性曲面吸附盤，其中該 X 向伸縮機 構設于基座用于實現共形柔性曲面吸附盤的 X 向伸縮，該 Y 向張合機 構設于 X 向伸縮機構并用于實現共形柔性吸附盤的 Y 向伸縮;該共形 柔性曲面吸附盤與目標曲面共形，具有可彎曲、拉伸的特點，在
華中科技大學
2021-04-14
一種基于納米壓電纖維的柔性能量捕獲器件及其制備方法
本發明公開了一種基于納米壓電纖維的柔性能量捕獲器件及其制備方法。所述器件自下而上依次包括：柔性基材、電極層、壓電纖維層、保護層；所述柔性基材為柔性絕緣塑料薄膜；所述壓電纖維層為 PVDF 纖維。通過采用柔性基材，采用照相制版工藝制備梳狀電極，并選擇合適的靜電紡絲參數沉積 PVDF 壓電纖維，無需再對壓電纖維進行極化，使纖維整齊排列、減小纖維缺陷，能夠簡化納米壓電纖維能量捕獲器件制備工藝，提高能量轉換效率，尤其是對彎曲運動機械能的捕獲效果。
華中科技大學
2021-04-14
一種具備電場自適應特性的柔性電子電噴印設備及其方法
本發明屬于柔性器件制造相關領域，并公開了一種具備電場自 適應特性的柔性電子電噴印設備，其包括 XYZ 三軸運動模塊、電噴印 模塊和可變電場模塊，其中該XYZ三軸運動模塊用于控制電噴印模塊 與可變電場模塊的空間位置，進而控制陣列噴嘴的位置;該電噴印模 塊用于噴出高速帶電溶液到基板上制備柔性電子，該可變電場模塊則 用于提供可變化的電場，進而由電場控制陣列噴嘴噴出的液滴或射流 在基板上的落點。本發明還公開了相應的工藝方法。通過本發明，整 個柔性電子制造工藝過程可實現電場的自適應協調，并
華中科技大學
2021-04-14
具備高熱穩定性的柔性透明導電薄膜的制備方法及其產品
本發明公開了一種具備高熱穩定性的柔性透明導電薄膜的制備 方法，包括：步驟一，在平整光滑的目標襯底表面，均勻涂覆呈一維 結構的導電金屬納米材料，并形成為導電網絡結構；步驟二，在具有 導電網絡結構的目標襯底表面上，刮涂形成含氟聚酰亞胺的前驅體涂 層；步驟三，通過梯度升溫的方式來對含氟聚酰亞胺前驅體涂層執行 固化處理；步驟四，將完成上述固化后的含氟聚酰亞胺膜層從目標襯 底予以剝離，由此制得所需成品。本發明還公開了相應的柔性
華中科技大學
2021-04-14
一種適用于柔性電子制備的多功能氣壓控制系統
本發明公開了一種適用于柔性電子制備的多功能氣壓控制系統， 其包括氣源調節單元、信號處理單元和信號反饋單元，氣源調節單元·115·包括氣源組件、電磁閥組件、電控調壓閥組件和氣壓輸出口，氣源依 次經過氣源組件、電磁閥組件和電控調壓閥組件，并由氣壓輸出口輸 出；信號處理單元包括信號處理器、電磁閥控制器和調壓閥控制器， 信號處理器用于處理控制信號，電磁閥控制器用于控制氣路的通斷， 調壓閥控制器用于調節氣壓；信號反饋單元包括溫度傳感器和氣壓傳 感器組件，其用于將氣壓校正值反饋給信號
華中科技大學
2021-04-14
一種用于制造片材與柔性薄膜復合疊層的熱壓設備
本發明公開了一種用于制造片材與柔性薄膜復合疊層的熱壓設備，該設備包括：由上下兩個熱壓頭共同組成的熱壓裝置,位于熱壓裝置的外側用于將片材提供給真空拾放裝置的上料裝置，用于從上料裝置的片材料盒中取料并將片材輸送至下熱壓頭上的相應疊合位置的真空拾放裝置，位于柔性薄膜的輸送路徑上用于將輸送中的柔性薄膜撐起一定高度的撐膜裝置，以及分別用于對柔性薄膜的輸送位置和片材上料位置等信息進行檢測和反饋的薄膜檢測裝置和上料檢測裝置。通過本發明，能夠同時實現熱壓、上料、拾取和轉移等多種功能，結構緊湊，便于控制和操作，并利用視覺定位技術和獨立的熱壓裝置支撐框架來進一步保證薄膜疊層的精度。
華中科技大學
2021-04-11
手性( 2,2－ 二甲基－1,3 二氧環戊燒－4－ 基）輕基甲磺酸鹽制備方法
項目簡介 ： 在食品醫藥及化工行業中， 手性甘油醒縮丙酮是合成手性藥物和具有
西華大學
2021-04-14
高容量富鋰錳基正極材料的合成與性能研究
本發明公開了一種富鋰錳基正極材料及其制備方法。該方法采用共沉淀法制備前驅體[Ni(x-y/2)/x+(2-y)/3CoyMn((2-x)/3-y/2)/(x+(2-x)/3)](OH)2，然后采用高溫固相法得到富鋰錳基正極材料 Li[Li(1-2x)/3Nix-y/2CoyMn(2-x)/3-y/2]O2（0＜x＜0.5,0≤y≤0.15）。這些材料在 2.0-4.6V充放電比容量達到 200mAh/g 以上。本發明的制備方法工藝簡單，成本低，適用于工業化大生產，所得到的富鋰錳基正極材料在-20°C 下的放電容量可達到常溫放電容量的 70%以上，可以廣泛應用于電動汽車、通訊領域等。目前已經研究的體系有 Li[Li（1-x）/3Ni2x/3Mn （ 2-x ） /3]O2 ， Li[Li （ 1-x ） /3NixMn （ 2-2x ） /3]O2 ， Li[Li1/3-2x/3NixMn2/3-x/3]O2 ，Li1+x(Ni1/3Co1/3Mn1/3)O2+x/2 等。
江西理工大學
2021-05-04
超大功率硅基射頻LDMOS晶體管設計技術
大功率射頻LDMOS器件以其線性度好、增益高、輸出功率大、熱穩定性好、效率高、寬帶匹配性能好、價格低廉等方面的優勢已經成為基站、廣播電視發射機、航空電子、雷達等領域等應用最廣泛的射頻功率器件。 本團隊利用優化的法拉第屏蔽罩結構和版圖布局技術，基于國內8英吋工藝技術平臺，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（圖1），能夠提供完整的RF LDMOS器件的設計與研制方案。目前已制作出頻率0.5GHz，輸出功率>500W，功率增益>18dB、漏極效率>50%的單芯片RF LDMOS 器件；頻率1.2GHz，輸出功率>600W，功率增益>20dB、漏極效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；頻率3.1GHz，輸出功率>80W，功率增益>10dB、漏極效率>35%的單芯片S波段RF LDMOS 器件（圖2）。 (a) (b) 圖1 RF LDMOS器件：(a)晶圓顯微照片 (b)封裝器件 a b c 圖2 RF LDMOS器件功率測試曲線：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
電子科技大學
2021-04-10