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成果與項(xiàng)目的背景及主要用途：該技術(shù)采用數(shù)控氣動閉環(huán)控制回路、機(jī)械手 可以上下插拔，在 XYZ 三個(gè)方向有力觸覺，可以感受作用力，如果力大，機(jī)械手 可以自動緩沖或收回。機(jī)械手具有抓夾功能。該項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)成功應(yīng)用到核工業(yè)元 件加工過程中。相同的技術(shù)和功能可以方便的應(yīng)用和移植到其它應(yīng)用領(lǐng)域。 技術(shù)原理與工藝流程簡介：利用數(shù)控氣動閉環(huán)控制回路。三維柔性力緩沖 XY 方向±1 ㎜，Z 方向 10 ㎜，Z 向下插行程 0～500 ㎜可調(diào)，可以安裝各種用途 機(jī)械爪，具有形成阻尼緩沖和氣動消音。 技術(shù)水平及專利與獲獎情況：處于國內(nèi)同類型先進(jìn)技術(shù)水平。 56天津大學(xué)科技成果選編 應(yīng)用前景分析及效益預(yù)測：該類型機(jī)械手技術(shù)可以應(yīng)用于很多領(lǐng)域，如：機(jī) 械制造業(yè)、汽車工業(yè)、化工業(yè)、核能工業(yè)、生物工業(yè)、安全領(lǐng)域等需要提高作業(yè) 效率、精度、危險(xiǎn)環(huán)境等行業(yè)。 目前該技術(shù)成熟，整機(jī)價(jià)格在 10～16 萬人民幣之間，可以進(jìn)行小批量工業(yè) 化生產(chǎn)。 應(yīng)用領(lǐng)域：械制造業(yè)、汽車工業(yè)、化工業(yè)、核能工業(yè)、生物工業(yè)、安全領(lǐng)域 等需要提高作業(yè)效率、精度、危險(xiǎn)環(huán)境等行業(yè)。 技術(shù)轉(zhuǎn)化條件（包括：原料、設(shè)備、廠房面積的要求及投資規(guī)模）： 所需原材料：均為市場上可采購原材料，無特殊要求，例如：氣動元件、機(jī) 械件等； 設(shè)備及環(huán)境要求： AC220V 電源、普通氣源； 所需廠房面積：普通廠房 100 平方米； 人員要求：若干機(jī)、電相關(guān)專業(yè)人員； 初期投資規(guī)模：除以上條件外需流動資金 60～80 萬。 合作方式及條件： 技術(shù)轉(zhuǎn)讓，轉(zhuǎn)讓費(fèi)：人民幣 50 萬元； 合作生產(chǎn)，具體可面談。 

一種Si-Mn-O玻璃態(tài)物質(zhì)中控制Si-Mn形核、生長的動力學(xué)方法，實(shí)現(xiàn)了毫米級長度的Mn5Si3 @SiO2柔性納米電纜（圖1）。單根納米線中，不論殼層厚度、還是電芯尺寸均表現(xiàn)出令人吃驚的均勻性（尺寸波動<4%），同時(shí)展現(xiàn)出極好的柔性與自支撐特性，不同彎曲程度下電阻幾乎沒有任何變化。統(tǒng)計(jì)電阻率數(shù)值為1.28 - 3.84×10-6 Ωm，最大耐受電流為1.22 - 3.54×107 A cm-2，分別為同等測試條件下同等尺寸銀納米線的10倍與1/3。這樣一根導(dǎo)線在300℃的溫度下，24小時(shí)的測試時(shí)間內(nèi)，電阻率保持不變，證明其能夠長時(shí)間在高溫環(huán)境中正常工作。 在1 mol/L的HCl溶液中模擬強(qiáng)酸性環(huán)境，發(fā)現(xiàn)I-V特性幾乎和空氣環(huán)境中一致；在較長的一段時(shí)間內(nèi)，原位監(jiān)測導(dǎo)線在溶液中的電學(xué)特性變化，發(fā)現(xiàn)性能并無衰退。進(jìn)一步，在溶液中外加矩形波電場，模擬復(fù)雜的外部干擾信號，導(dǎo)線僅由于電容效應(yīng)發(fā)生十分微小的電阻變化。另外，同樣考察了其耐氧化特性，放在30%雙氧水溶液中20小時(shí)，電阻未發(fā)生明顯變化。上述實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)充分證明所設(shè)計(jì)的復(fù)合納米電纜能夠在高溫、酸性及強(qiáng)氧化性等極端環(huán)境下正常工作，同時(shí)能夠抵抗復(fù)雜的電場信號干擾。

硅芯片是當(dāng)代信息技術(shù)的核心，當(dāng)前正向“深度摩爾”（More Moore）和“超越摩爾”（More than Moore）兩個(gè)方向發(fā)展。物聯(lián)網(wǎng)（IoT）應(yīng)用是“超越摩爾”技術(shù)路線中相當(dāng)重要的一環(huán)，需要數(shù)量巨大的集成電路芯片來分析處理來自外部傳感器件的海量信號。目前，大多數(shù)傳感信號采集器件和信號處理單元均為分離設(shè)計(jì)，將在整體上產(chǎn)生更大功耗并占據(jù)更大的空間。由此，復(fù)旦大學(xué)材料科學(xué)系教授梅永豐課題組提出了將信號檢測和分析功能集成于同一個(gè)芯片器件中的全新概念。作為演示，研究團(tuán)隊(duì)將單晶硅薄膜柔性光電晶體管與智能薄膜材料相結(jié)合和組裝，構(gòu)造了對不同環(huán)境變量進(jìn)行檢測和分析的柔性硅芯片傳感器及其系統(tǒng)。這一思路不僅具有優(yōu)異的可擴(kuò)展性，還可與當(dāng)前集成電路先進(jìn)制造工藝相兼容。5月2日，相關(guān)研究結(jié)果以《面向智能數(shù)字灰塵的硅納米薄膜光電晶體管多功能集成傳感器研究》（“Silicon Nanomembrane Phototransistor Flipped with Multifunctional Sensors towards Smart Digital Dust”）為題發(fā)表在《科學(xué)進(jìn)展》（Science Advances）上。研究團(tuán)隊(duì)從器件的傳感機(jī)理入手，利用柔性薄膜組裝集成芯片傳感器，實(shí)現(xiàn)了多種環(huán)境參數(shù)探測功能的集成。圖1：(A) 器件主要功能層示意圖；(B) 貼附于曲面上的柔性傳感器件陣列；(C) 智能傳感器件功能區(qū)的光學(xué)顯微照片；(D)用于濕度傳感的集成系統(tǒng)構(gòu)造圖；(E) 氫氣通入前后參比器件與檢測器件的電流變化，紅色為參比電流，藍(lán)色為檢測電流。智能材料在環(huán)境刺激中可以發(fā)生折射率、顏色、晶體結(jié)構(gòu)等方面的光學(xué)性質(zhì)變化，但一般需要光譜設(shè)備或比色卡才能進(jìn)行比對。而翻轉(zhuǎn)的硅薄膜光電晶體管由于沒有柵極金屬阻擋功能區(qū)域的光信號吸收，可以更容易獲得高靈敏的傳感特性。利用這一點(diǎn)，研究團(tuán)隊(duì)將多種智能薄膜材料貼合在器件功能區(qū)，智能材料內(nèi)部物理性質(zhì)變化引起了微小光學(xué)性能改變，從而表現(xiàn)在輸出的光電流上，因此可以在同一個(gè)芯片上實(shí)現(xiàn)對多種不同信號的同時(shí)檢測。圖1A展示了傳感器件典型的功能層結(jié)構(gòu)，頂層的智能薄膜材料對環(huán)境刺激發(fā)生響應(yīng)，進(jìn)而改變下方硅單晶薄膜光電晶體管的輸出信號。具有2微米厚的熱氧化二氧化硅層則作為光電晶體管的封裝，對下方器件進(jìn)行保護(hù)。硅薄膜光電晶體管完全由晶圓級先進(jìn)集成電路工藝方法制備而成，結(jié)合了傳統(tǒng)硅基光電子器件的高性能和硅納米薄膜超薄厚度下的優(yōu)良柔性。圖1B是貼附于半徑僅為2毫米直徑玻璃管上的柔性器件陣列，表現(xiàn)出良好的彎曲性能。圖1C是單個(gè)器件功能區(qū)域的特寫，在藍(lán)色虛框部分集成不同智能材料即可實(shí)現(xiàn)對不同環(huán)境信號的檢測。圖1D是具有完備傳感與數(shù)據(jù)處理功能的柔性系統(tǒng)合成圖，包括傳感與參比器件、邏輯與存儲單元、信號放大器和電源。研究團(tuán)隊(duì)利用該系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了對環(huán)境中濕度的實(shí)時(shí)、快速檢測，演示的信號為依次減小的三個(gè)濕度脈沖。整個(gè)過程中直接對環(huán)境變化做出響應(yīng)的信號，即參比器件與傳感器件輸出電流隨時(shí)間的變化如圖1E中所示。當(dāng)環(huán)境發(fā)生變化（如圖所示通入氫氣），傳感器件的輸出電流大幅增加，而參比電流保持平穩(wěn)，再利用差分電路處理，即可給出所檢測的環(huán)境參數(shù)的值。研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)了將智能材料與光電傳感結(jié)合的新穎傳感機(jī)制，并將傳感模塊與后續(xù)信號處理等模塊集成在一起，展示了其在氣體濃度、濕度、溫度等多種環(huán)境參數(shù)檢測方面的能力，已經(jīng)初步具備了未來的“智能數(shù)字灰塵”的雛形。該策略也可以應(yīng)用于其他的數(shù)字傳感系統(tǒng)，在后摩爾時(shí)代中將具有巨大的應(yīng)用潛力。論文主要由李恭謹(jǐn)博士，博士研究生馬喆和尤淳瑜合作完成，并獲得韓國延世大學(xué)Taeyoon Lee教授和中科院微系統(tǒng)所狄增峰研究員的合作支持。該工作得到國家自然科學(xué)基金委、上海市科委、復(fù)旦大學(xué)和專用集成電路與系統(tǒng)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室等大力支持。

（ (A) 器件主要功能層示意圖；(B) 貼附于曲面上的柔性傳感器件陣列；(C) 智能傳感器件功能區(qū)的光學(xué)顯微照片；(D)用于濕度傳感的集成系統(tǒng)構(gòu)造圖；(E) 氫氣通入前后參比器件與檢測器件的電流變化，紅色為參比電流，藍(lán)色為檢測電流 ）

山東大學(xué)燃煤污染物減排國家工程實(shí)驗(yàn)室開發(fā)的柔性電極濕式靜電除塵技 術(shù)，利用靜電除塵原理，采用新型耐酸堿腐蝕性優(yōu)良的柔性陽極材料，整套裝 置細(xì)顆粒物去除效率 83~87%，協(xié)同脫除酸霧>80%，水霧>95%，汞>70%，系 統(tǒng)可靠，零堿耗、零水耗、零廢水、無腐蝕，適用于鈣法\氨法脫硫和硫酸脫氨 尾氣治理。經(jīng)過以中國工程院秦裕琨院士為主任、任陣海院士為副主任的鑒定 委員會鑒定，為國內(nèi)唯一擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的濕式靜電除塵技術(shù)，成果達(dá) 國際領(lǐng)先水平。

本發(fā)明公開了一種高速柔性標(biāo)簽投放裝置，包括機(jī)架及安裝在 機(jī)架上的標(biāo)簽盒機(jī)構(gòu)、取標(biāo)機(jī)構(gòu)和送標(biāo)機(jī)構(gòu)，所述標(biāo)簽盒機(jī)構(gòu)包括標(biāo) 簽盒，以及安裝在標(biāo)簽盒上的直線導(dǎo)軌、上限位機(jī)構(gòu)、下限位桿、標(biāo) 簽壓塊、標(biāo)簽支撐板和吹氣噴嘴；所述取標(biāo)機(jī)構(gòu)包括旋轉(zhuǎn)氣缸、真空 吸盤和取標(biāo)氣缸；所述送標(biāo)機(jī)構(gòu)包括標(biāo)簽導(dǎo)向臺和推標(biāo)氣缸。本標(biāo)簽 投放裝置的標(biāo)簽盒取標(biāo)口處設(shè)有吹氣噴嘴結(jié)構(gòu)，在取標(biāo)時(shí)吹出平行氣 流，破壞標(biāo)簽之間的真空，將標(biāo)簽分離，保證取標(biāo)時(shí)只取一張標(biāo)簽。

本發(fā)明屬于柔性膜卷繞輸送相關(guān)設(shè)備領(lǐng)域，并公開了一種柔性膜張力檢測輥，它包括水平聯(lián)接成一體的總張力檢測組件和張力分布 檢測組件;所述總張力檢測組件呈底座的形式，并且它的底座芯軸沿 著周向方向設(shè)置有多個(gè)應(yīng)變式傳感器，用于對柔性膜輸送過程中總張 力的實(shí)時(shí)檢測;所述張力分布檢測組件呈輥筒的形式，由模塊化的多 個(gè)輥單元首尾連接而成，其中各個(gè)輥單元之間通過結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)來實(shí)現(xiàn)磁 性相連和依次供電，并且它的輥筒的軸向和周向分布有柔性傳感器， 由此執(zhí)行各個(gè)輥單元獨(dú)立對應(yīng)區(qū)域的張力分布檢測。通過本發(fā)明，能 夠以結(jié)構(gòu)緊湊、便

JS-008柔性抗裂找平砂漿 本產(chǎn)品是采用德國進(jìn)口瓦克柔性膠粉與多種精細(xì)研磨材料和無機(jī)材料復(fù)合而成的柔性抗裂找平砂漿，適用于外墻保溫砂漿面層、混凝土、水泥砂漿飾面層、真石漆...